mos管的米勒效應-講的很詳細-資料下載頁
2024-11-17 22:30本頁面
【正文】 個階段形成。你可認為：門電流Igate完全被Cds吸走，而沒有電流流向Cgs。當Cgd通過mos放電結束后(即在平臺區(qū)Cgd先放電然后Vgs給它充電)，MOS 進入了飽和階段，Vd變化緩慢。雖然Vgs 的增長也能夠讓部分電流流想Cds，但主要的門電流是流向Cgs 。門電流的分流比：I1：I2 = Cds：Cgs ，看看電流誰分的多？呵呵。當mos放電結束后，近似地認為門電流全部流過Cgs，因此：Vgs重新開始增長在手冊中，Ciss=Cgs+Cgd Coss=Cds+CgdCrss=Cgd內容總結
（1）米勒效應的影響：
MOSFET的柵極驅動過程，可以簡單的理解為驅動源對MOSFET的輸入電容（主要是柵源極電容Cgs）的充放電過程
（2）由于米勒電容阻止了Vgs的上升，從而也就阻止了Vds的下降，這樣就會使損耗的時間加長
（3）Vds的變化通過Cgd和驅動源的內阻形成一個微分
（4）米勒平臺是由于mos 的g d 兩端的電容引起的，即mos datasheet里的Crss
語文相關推薦
鄂ICP備17016276號-1