帶電粒子在復(fù)合場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)-資料下載頁(yè)
【導(dǎo)讀】0906帶電粒子在復(fù)合場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)2. 復(fù)合場(chǎng)是指、和重力場(chǎng)并存，或其中某兩場(chǎng)并存，或分。當(dāng)帶電粒子在復(fù)合場(chǎng)中所受合外力為零時(shí)，將處于靜止?fàn)顟B(tài)或做勻速直線運(yùn)動(dòng)．。當(dāng)帶電粒子所受的重力與力大小相等，方向相反時(shí)，帶電粒子在洛倫茲力的。作用下，在垂直于勻強(qiáng)磁場(chǎng)的平面內(nèi)做勻速圓周運(yùn)動(dòng)．。3．較復(fù)雜的曲線運(yùn)動(dòng)。當(dāng)帶電粒子所受的合外力的大小和方向均變化，且與初速度方向不在同一條直線上，粒子。做非勻變速曲線運(yùn)動(dòng)，這時(shí)粒子運(yùn)動(dòng)軌跡既不是圓弧，也不是拋物線．。平行板中電場(chǎng)強(qiáng)度E和磁感應(yīng)強(qiáng)度B互相。這種裝置能把具有一定速度的。若增大勻強(qiáng)磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度，其他條件不變，電子以速度v0沿垂直于電場(chǎng)和磁場(chǎng)的。板上，產(chǎn)生電勢(shì)差，設(shè)A、B平行金屬板的面積為S，相。距為L(zhǎng)，等離子體的電阻率為ρ，噴入氣體速度為v，板間磁場(chǎng)的磁感強(qiáng)度為B，板外電。阻為R，當(dāng)?shù)入x子體勻速通過A、B板間時(shí)，A、B板上聚集的電荷最多，板間電勢(shì)差最大，運(yùn)動(dòng)情況類平拋運(yùn)動(dòng)勻速圓周運(yùn)動(dòng)
【正文】 內(nèi)存在水平向右的勻強(qiáng)電場(chǎng)，場(chǎng)強(qiáng)大小 E＝ 10 N/C，在 y≥0的區(qū)域內(nèi)還存在垂直于坐標(biāo)平面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng)，磁感應(yīng)強(qiáng)度大小 B＝ T．一帶電量 q＝＋ C、質(zhì)量 m＝ kg 的小球由長(zhǎng) l＝ m 的細(xì)線懸掛于 P 點(diǎn)，小球可視為質(zhì)點(diǎn)，現(xiàn)將小球拉至水平位置 A 無初速釋放，小球運(yùn)動(dòng)到懸點(diǎn) P 正下方的坐標(biāo)原點(diǎn) O 時(shí)，懸線突然斷裂，此后小球又恰好能通過 O 點(diǎn)正下方的 N點(diǎn)． (g＝ 10 m/s2)求： (1)小球運(yùn)動(dòng)到 O 點(diǎn)時(shí)的速度大?。? (2)懸線斷裂前瞬間拉力的大??； (3)ON 間的距離． 4．如圖所示，平行于直角坐標(biāo)系 y 軸的 PQ是用特殊材料制成的，只能讓垂直打到 PQ界面上的電子通過．其左側(cè)有一直角三角形區(qū)域，分布著方向垂直紙面向里、磁感應(yīng)強(qiáng)度為B 的勻強(qiáng)磁場(chǎng)，其右側(cè)有豎直向上場(chǎng)強(qiáng)為 E 的勻強(qiáng)電場(chǎng)． 現(xiàn)有速率不同的電子在紙面上從坐標(biāo)原點(diǎn) O 沿不同方向射到三角形區(qū)域，不考慮電子間的相互作用．已知電子的電量為 e，質(zhì)量為 m，在 △ OAC中， OA＝ a， θ＝ 60176。.求： (1)能通過 PQ界面的電子所具有的最大速度是多少； (2)在 PQ右側(cè) x 軸上什么范圍內(nèi)能接收到電子． 5.(20xx重慶， 25)如圖所示，離子源 A 產(chǎn)生的初速度為零、帶電荷量均為 e、質(zhì)量不同的正離子被電壓為 U0 的加速電場(chǎng)加速后勻速通過準(zhǔn)直管，垂直射入勻強(qiáng)偏轉(zhuǎn)電場(chǎng)，偏轉(zhuǎn)后通過極板 HM 上的小孔 S 離開電場(chǎng)，經(jīng)過一段勻速直線運(yùn)動(dòng)，垂直于 邊界 MN進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為 B 的勻強(qiáng)磁場(chǎng)．已知 HO＝ d， HS＝ 2d， ∠ MNQ＝ 90176。.(忽略離子所受重力 ) (1)求偏轉(zhuǎn)電場(chǎng)場(chǎng)強(qiáng) E0的大小以及 HM 與 MN 的夾角 φ； (2)求質(zhì)量為 4m 的離子在磁場(chǎng)中做圓周運(yùn)動(dòng)的半徑； (3)若質(zhì)量為 4m 的離子垂直打在 NQ 的中點(diǎn) S1處，質(zhì)量為 16m 的離子打在 S2處， S1和 S2之間的距離以及能打在 NQ 上的正離子的質(zhì)量范圍．
鄂ICP備17016276號(hào)-1