機(jī)電自動(dòng)化專(zhuān)業(yè)畢業(yè)設(shè)計(jì)(論文)外文資料翻譯-資料下載頁(yè)
2025-07-19 19:11本頁(yè)面
【導(dǎo)讀】CompatiblewithMCS-51?Products. two16-bitTimer/Counters. Supplyvoltage.Ground.
【正文】 上拉電阻的 8位雙向 I/O口， P1的 輸出緩沖級(jí)可驅(qū)動(dòng)（吸收或輸出電流） 4個(gè) TTL邏輯門(mén)電路。對(duì)端口寫(xiě)“ 1”，通過(guò)內(nèi)部的上拉電阻把端口拉倒高電平，此時(shí)可作為輸入口，作輸入口使用時(shí)，因?yàn)閮?nèi)部存在上拉電阻，某個(gè)引腳被外部信號(hào)拉低時(shí)會(huì)輸出一個(gè)電流 I。 FLASH編程和程序校驗(yàn)期間， P1接受低 8位地址。 。 P2口 ： P2是一個(gè)帶有內(nèi)部上拉電阻的 8位雙向 I/O口， P2的輸出緩沖級(jí)可驅(qū)動(dòng)（吸收或輸出電流） 4個(gè) TTL邏輯門(mén)電路。對(duì)端口 P2寫(xiě)“ 1”，通過(guò)內(nèi)部的上拉電阻把端口拉倒高電平，此時(shí)可作為輸出口，作為輸入口使用時(shí)，因?yàn)閮?nèi)部存在上拉電阻，某個(gè)引腳被外部信號(hào)拉低時(shí)會(huì)輸出一 7 個(gè)電流（ I）。 在訪問(wèn)外部程序存儲(chǔ)器或 16位地址的外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器（例如執(zhí)行 MOVX@DPTR指令）時(shí)， P2口送出高 8位地址數(shù)據(jù)。在訪問(wèn) 8位地址的外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器（如執(zhí)行 MOVX@RI指令）時(shí)， P2口輸出 P2鎖存器的內(nèi)容。 FLASH編程或校驗(yàn)時(shí)， P2接受高位地址和一些控制器。 。 P3口： P3口是一組帶有 內(nèi)部上拉電阻的 8位雙向 I/O口。 P3口輸出緩沖級(jí)可驅(qū)動(dòng)（吸收或輸出電流） 4個(gè) TTL邏輯門(mén)電路。對(duì) P3口寫(xiě)入“ 1”時(shí)，它們被內(nèi)部上拉電阻高并可作為輸入口。此時(shí)，被外部拉低的 P3口將用上拉電阻輸出電流（ I）。 P3口除了作為一般的 I/O口線外，更重要的用途是它的第二功能，如下表所示： 端口引腳 第二功能 RXD(串行輸入口 ) TXD(串行輸出口 ) INTO(外中斷 0) INT1(外中斷 1) T0(定時(shí) /計(jì)數(shù)器 0) T1(定時(shí) /計(jì)數(shù) 器 1) WR(外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器寫(xiě)選通 ) RD(外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器讀選通 ) 此外， P3口還接受一些用于 FLASH閃速存儲(chǔ)器編程和程序校驗(yàn)的控制信號(hào)。 。 RST： 復(fù)位輸入。當(dāng)震蕩器工作時(shí)， RST引腳出現(xiàn)兩個(gè)機(jī)器周期以上的高電平將使單片機(jī)復(fù)位。 。 ALE/PROG： 當(dāng)訪問(wèn)外部程序存儲(chǔ)器或數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí)， ALE（地址鎖存允許）輸出脈沖用于鎖存地址的低 8位字節(jié)。一般情況下， ALE仍一時(shí)鐘震蕩頻率的 1/6輸出固定的脈沖信號(hào)，因?yàn)樗鼘?duì)外輸出時(shí)鐘或用于定時(shí)目的。要注意的是：每個(gè)訪問(wèn)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí)將跳 過(guò)一個(gè) ALE脈沖。 對(duì) FLASH存儲(chǔ)器編程期間，該引腳還用于輸入編程脈沖（ PROG）。 如有必要，可通過(guò)對(duì)特殊功能寄存器（ SFR）區(qū)中的 8EH單元的 D0位置位，可禁止 ALE操作。該位置位后，只有一條 MOVX和 MOVC指令才能將 ALE激活。此外，該引腳會(huì)被微弱拉高，單片機(jī) 8 執(zhí)行外部程序時(shí)，應(yīng)設(shè)置 ALE禁止位無(wú)效。 。 PSEN： 程序儲(chǔ)存允許（ PSEN）輸出是外部程序存儲(chǔ)器的讀選通信號(hào)，當(dāng) AT89C52由外部程序存儲(chǔ)器取指令（或數(shù)據(jù)）時(shí)，每個(gè)機(jī)器周期兩次 PSEN有效，即輸出兩個(gè)脈沖。在次期間，當(dāng)訪問(wèn)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 ，將跳過(guò)兩次 PSEN信號(hào)。 。 EA/VPP： 外部訪問(wèn)允許。欲使 CPU僅訪問(wèn)外部程序存儲(chǔ)器（地址為 0000HFFFFH）， EA端必須保持低電平（接地）。需要注意的是：如果加密位 LB1被編程，復(fù)位時(shí)內(nèi)部會(huì)鎖存 EA端狀態(tài)。 如 EA端高電平（接 VCC）， CPU則執(zhí)行內(nèi)部程序存儲(chǔ)器中的指令。 FLASH存儲(chǔ)器編程時(shí)，該引腳加上 +12V的編程允許電源 VPP，當(dāng)然這必須是該器件是使用12V編程電壓 VPP。 。 XTAL1： 振蕩 器反相放大器的 及內(nèi)部時(shí)鐘發(fā)生器的輸入端。 。 XTAL2： 振蕩器反相放大器的輸出端。 。特殊 功能寄存器： 在 AT89C51片內(nèi)存儲(chǔ)器中， 80HFFH共 128個(gè)單元為特殊功能寄存器（ SFE）， SFR的地址空間映象如表 2所示。 并非所有的地址都被定義，從 80HFFH共 128個(gè)字節(jié)只有一部分被定義，還有相當(dāng)一部分沒(méi)有定義。對(duì)沒(méi)有定義的單元讀寫(xiě)將是無(wú)效的，讀出的數(shù)據(jù)將不確定，而寫(xiě)入的數(shù)據(jù)也將丟失。 不應(yīng)該將數(shù)據(jù)“ 1”寫(xiě)入為定義的單元，由于這些單元在將來(lái)的產(chǎn)品中可能賦予新的功能，在這種情況下，復(fù)位后這些單元數(shù)值總是“ 0”。 。中斷寄存器： AT89C51有 5個(gè)中斷源， 2個(gè)中斷優(yōu)先級(jí)， IE寄存器控制各中斷 位， IP寄存器中 5個(gè)中斷源的每個(gè)可定為 2個(gè)優(yōu)先級(jí)。 。數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器： AT89C51有 256個(gè)字節(jié)的內(nèi)部 RAM， 80HFFH高 128個(gè)字節(jié)與特殊功能寄存器（ SFR）地址是重疊的，也就是高 128字節(jié)的 RAM和特殊功能寄存器的地址是相同的，但物理上他們是分開(kāi)的。 當(dāng)一條指令訪問(wèn) 7EH以上的內(nèi)部地址單元時(shí)，指令中使用的尋址方式不同的，也即尋址方 9 式?jīng)Q定是訪問(wèn)高 128字節(jié) RAM還是訪問(wèn)特殊功能寄存器。如果指令是直接尋址方式則為訪問(wèn)特殊功能寄存器。 例如，下面的直接尋址指令訪問(wèn)特殊功能寄存器。 MOV 0A0H， DATA 間接尋址指令訪問(wèn)高 128字節(jié) RAM，例如，下面的間接尋址指令中， R0的內(nèi)容為 0A0H，則訪問(wèn)數(shù)據(jù)字節(jié)地址為 0A0H，而不上一 P2口（ OAOH）。 MOV @R0， DATA 堆棧操作也是間接尋址方式，所以，高 128位數(shù)據(jù) RAM也可作為堆棧使用。 。定時(shí)器 0和定時(shí)器 1： 定時(shí)器 0和 1是一個(gè) 16位定時(shí) /計(jì)數(shù)器。
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