機(jī)電自動(dòng)化專業(yè)畢業(yè)設(shè)計(jì)(論文)外文資料翻譯-wenkub.com
2025-07-14 19:11 本頁(yè)面
【正文】 定時(shí)器 0和定時(shí)器 1： 定時(shí)器 0和 1是一個(gè) 16位定時(shí) /計(jì)數(shù)器。 例如，下面的直接尋址指令訪問(wèn)特殊功能寄存器。 。對(duì)沒(méi)有定義的單元讀寫將是無(wú)效的，讀出的數(shù)據(jù)將不確定，而寫入的數(shù)據(jù)也將丟失。 XTAL2： 振蕩器反相放大器的輸出端。 FLASH存儲(chǔ)器編程時(shí)，該引腳加上 +12V的編程允許電源 VPP，當(dāng)然這必須是該器件是使用12V編程電壓 VPP。 EA/VPP： 外部訪問(wèn)允許。 。 對(duì) FLASH存儲(chǔ)器編程期間，該引腳還用于輸入編程脈沖（ PROG）。 。 P3口除了作為一般的 I/O口線外，更重要的用途是它的第二功能，如下表所示： 端口引腳 第二功能 RXD(串行輸入口 ) TXD(串行輸出口 ) INTO(外中斷 0) INT1(外中斷 1) T0(定時(shí) /計(jì)數(shù)器 0) T1(定時(shí) /計(jì)數(shù) 器 1) WR(外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器寫選通 ) RD(外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器讀選通 ) 此外， P3口還接受一些用于 FLASH閃速存儲(chǔ)器編程和程序校驗(yàn)的控制信號(hào)。 P3口： P3口是一組帶有 內(nèi)部上拉電阻的 8位雙向 I/O口。 在訪問(wèn)外部程序存儲(chǔ)器或 16位地址的外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器（例如執(zhí)行 MOVXDPTR指令）時(shí)， P2口送出高 8位地址數(shù)據(jù)。 FLASH編程和程序校驗(yàn)期間， P1接受低 8位地址。 在 FLASH 編程時(shí)， P0 口接受指令字節(jié)，而在程序校驗(yàn)時(shí)，輸出指令字節(jié)，校驗(yàn)時(shí)，要求接上拉電阻。 GND： 地 。空閑方式停止 CPU 的工作，但允許 RAM，定時(shí) /計(jì)數(shù)器，串行通信口及中斷系統(tǒng)繼續(xù)工作?？删幊檀型ǖ? 。 256*8 字節(jié)內(nèi)部 RAM 。與 MCS51 產(chǎn)品指令和引腳完全兼容 。 4K 字節(jié)可重擦寫 FLASH 閃速存儲(chǔ)器 。 32 個(gè)可編程 I/O 口線 。低功耗空閑和掉電模式 AT89C51 是美國(guó) AMTEL 公司生產(chǎn)的低電壓，高性能 CMOS8 位單片機(jī)，片內(nèi)含 8KBYTES 的可反復(fù)擦寫的只讀程序存儲(chǔ)器（ EPROM）和 256BYTES 的隨機(jī)存 取數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器（ RAM），器件采用ATMEL 公司的高密度，非易失性存儲(chǔ)技術(shù)生產(chǎn)，與標(biāo)準(zhǔn) MCS51 指令系統(tǒng)及 8051 產(chǎn)品引腳兼容，片內(nèi)置通用 8 位中央處理器（ CPU）和 FLASH 存儲(chǔ)單元，功能強(qiáng)大 AT89C51 單片機(jī)適合于許多較為復(fù)雜控制應(yīng)用場(chǎng)合。掉電方式保存 RAM 中的內(nèi)容，但震蕩器停止工作并禁止其他所有部件工作直到下一個(gè)硬件復(fù)位。 P0 口： P0 口是一組 8 位漏極開路型雙向 I/O 口，也即地址 /數(shù)據(jù)總線復(fù)用口。 。 。在訪問(wèn) 8位地址的外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器（如執(zhí)行 MOVXRI指令）時(shí)， P2口輸出 P2鎖存器的內(nèi)容。 P3口輸出緩沖級(jí)可驅(qū)動(dòng)（吸收或輸出電流） 4個(gè) TTL邏輯門電路。 。 ALE/PROG： 當(dāng)訪問(wèn)外部程序存儲(chǔ)器或數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí)， ALE（地址鎖存允許）輸出脈沖用于鎖存地址的低 8位字節(jié)。 如有必要，可通過(guò)對(duì)特殊功能寄存器（ SFR）區(qū)中的 8EH單元的 D0位置位，可禁止 ALE操作。 PSEN： 程序儲(chǔ)存允許（ PSEN）輸出是外部程序存儲(chǔ)器的讀選通信號(hào)，當(dāng) AT89C52由外部程序存儲(chǔ)器取指令（或數(shù)據(jù)）時(shí)，每個(gè)機(jī)器周期兩次 PSEN有效，即輸出兩個(gè)脈沖。欲使 CPU僅訪問(wèn)外部程序存儲(chǔ)器（地址為 0000HFFFFH）， EA端必須保持低電平（接地）。 。 。 不應(yīng)該將數(shù)據(jù)“ 1”寫入為定義的單元，由于這些單元在將來(lái)的產(chǎn)品中可能賦予新的功能，在這種情況下，復(fù)位后這些單元數(shù)值總是“ 0”。數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器： AT89C51有 256個(gè)字節(jié)的內(nèi)部 RAM， 80HFFH高 128個(gè)字節(jié)與特殊功能寄存器（ SFR）地址是重疊的，也就是高 128字節(jié)的 RAM和特殊功能寄存器的地址是相同的，但物理上他們是分開的。 MOV 0A0H， DATA 間接尋址指令訪問(wèn)高 128字節(jié) RAM，例如，下面的間接尋址指令中， R0的內(nèi)容為 0A0H，則訪問(wèn)數(shù)據(jù)字節(jié)地址為 0A0H，而不上一 P2口（ OAOH）。 。 。如果指令是直接尋址方式則為訪問(wèn)特殊功能寄存器。中斷寄存器： AT89C51有 5個(gè)中斷源， 2個(gè)中斷優(yōu)先級(jí)， IE寄存器控制各中斷 位， IP寄存器中 5個(gè)中斷源的每個(gè)可定為 2個(gè)優(yōu)先級(jí)。 并非所有的地址都被定義，從 80HFFH共 128個(gè)字節(jié)只有一部分被定義，還有相當(dāng)一部分沒(méi)有定義。 。 如 EA端高電平（接 VCC）， CPU則執(zhí)行內(nèi)部程序存儲(chǔ)器中的指令。 。此外，該引腳會(huì)被微弱拉高，單片機(jī) 8 執(zhí)行外部程序時(shí)，應(yīng)設(shè)置 ALE禁止位無(wú)效。要注意的是：每個(gè)訪問(wèn)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí)將跳 過(guò)一個(gè) ALE脈沖。當(dāng)震蕩器工作時(shí)， RST引腳出現(xiàn)兩個(gè)機(jī)器周期以上的高電平將使單片機(jī)復(fù)位。此時(shí)，被外部拉低的 P3口將用上拉電阻輸出電流（ I）。 。對(duì)端口 P2寫“ 1”，通過(guò)內(nèi)部的上拉電阻把端口拉倒高電平，此時(shí)可作為輸出口，作為輸入口使用時(shí)，因?yàn)閮?nèi)部存在上拉電阻，某個(gè)引腳被外部信號(hào)拉低時(shí)會(huì)輸出一 7 個(gè)電流（ I）。對(duì)端口寫“ 1”，通過(guò)內(nèi)部的上拉電阻把端口拉倒高電平，此時(shí)可作為輸入口，作輸入口使用時(shí)，因?yàn)閮?nèi)部存在上拉電阻，某個(gè)引腳被外部信號(hào)拉低時(shí)會(huì)輸出一個(gè)電流 I。 在訪問(wèn)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器或者程序存儲(chǔ)器時(shí)，這組口線分時(shí)轉(zhuǎn)換地址（低
研究報(bào)告相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1