【正文】 er Ｇrooved, Buried Ｃontact Ｓolar Cells 解釋：由新南威爾士大學(xué)研究中心開發(fā)的電極設(shè)計。激光刻槽使副柵線深埋入電池，在減少電極遮光的同時保持良好的導(dǎo)電。：寄生電阻英文：Parasitic Resistance 解釋：電池串聯(lián)電阻與并聯(lián)電阻的總稱。：價帶 英文：Valence Band 解釋：通常是指半導(dǎo)體中在絕對零度下能被電子占滿的最高能帶。全充滿的價帶中的電子不能在固體中自由運動。：交錯背接觸電池英文：Interdigitated Back Contact(IBC)Cell 解釋：電池的正負極接觸都在背面，并且相互交叉，其結(jié)構(gòu)如圖所示。：減反膜英文：Antireflection Coating 解釋：在電池表面鍍上的薄膜，它使入射光由于干涉相消而減少反射率，理想情況下，單層減反膜可使一個特定波長的光的反射率降為零：金屬化（形成電極）英文：Metallisation 解釋：在電池的正表面或背表面上加上金屬使電池形成電極接觸 ：金字塔（表面制絨結(jié)構(gòu)）英文：Pyramids 解釋：堿溶液對單晶硅的腐蝕是各項異性的，在制絨過程中單晶硅的特定晶面會暴露出來，使得制絨后的硅表面出現(xiàn)數(shù)微米高的金字塔：禁帶英文：Forbidden Gap 解釋：在能帶結(jié)構(gòu)中能態(tài)密度為零的能量區(qū)間。常用來表示價帶和導(dǎo)帶之間的能態(tài)密度為零的能量區(qū)間。：單晶硅/晶體硅英文：Crystalline Silicon/Monocrystalline Silicon 解釋：硅的單晶體，具有基本完整的點陣結(jié)構(gòu)，純度高。：接觸電阻英文：Contact Resistance解釋：指電流流過半導(dǎo)體與電極金屬界面所克服的電阻。該電阻是電池總串聯(lián)電阻的一部分：間接帶隙半導(dǎo)體英文：Indirect Bandgap semiconductor解釋：指半導(dǎo)體的能帶圖上導(dǎo)帶底與價帶頂不在同一動量上。需要光子與聲子共同作用來激發(fā)電子孔穴對。硅就是常見的間接帶隙半導(dǎo)體：聚光光伏英文：Concentrator PV(CPV)解釋：通過光學(xué)器件將太陽光聚集到電池表面，等效于太陽能電池有了更大的受光面積K ：開路電壓英文：Open Circuit Voltage(Voc)解釋：電池光照下并且電路處于開路狀態(tài)時，正負電極之間產(chǎn)生的電勢差。開路電壓衡量了電池可以達到的最高電壓。：擴散英文：Diffusion 解釋：是粒子通過隨機運動從高濃度區(qū)域向低濃度區(qū)域的網(wǎng)狀的傳播。在光伏應(yīng)用中，擴散用于向襯底中參雜施主或受主原子以形成pn結(jié)或高低結(jié)：擴散長度/載流子擴散長度英文：Diffusion Length 解釋：半導(dǎo)體中載流子在復(fù)合前平均移動的距離。與少子壽命及擴散系數(shù)成正比，一般擴散長度越長材料的質(zhì)量越高。L ：理想二極管定律英文：Ideal Diode Law 解釋：電池在無光照情況下的電流電壓關(guān)系滿足如下理想二極管公式 I=I_0*(exp(qV/kT)1)：理想因子英文：Ideality Factor 解釋：用于描述電池等效電路模型中的二極管和理想二極管的接近程度。由于理想二極管方程有一些前提假設(shè)，而實際二極管會因一些二階效應(yīng)的影響表現(xiàn)出與理想二極管不同，理想因子被用于表征這種差異。：硫化（蓄電池）英文：Sulfation 解釋：由于長期處在低充電量狀態(tài)下，蓄電池電極出現(xiàn)硫酸鉛晶體的現(xiàn)象稱為硫化。硫化會使電池容量及充放電效率降低。M ：漫射輻射英文：Diffuse Radiation 解釋：通常指陰天條件下的太陽光輻射，其特點是輻射能量沿各個方向傳播且光強低。：冥王星電池英文：Pluto solar cells 解釋：由尚德電力主導(dǎo)研發(fā)的一種高效率太陽能電池。它具備激光參雜，選擇性發(fā)射級，以及背表面局部接觸等特點。2012年初，%。N ：N 型（半導(dǎo)體）英文：Ｎtype(semiconductor)解釋：在半導(dǎo)體中由于摻入施主元素而使得電子成為半導(dǎo)體內(nèi)的多數(shù)載流子。常用來制成N型半導(dǎo)體的施主元素為磷：逆變器英文：Inverter 解釋：又稱變流器、反流器，或稱反用換流器、電壓轉(zhuǎn)換器，是一個利用高頻電橋電路將直流電變換成交流電的電子器件，其目的與整流器相反。P ：PN 結(jié)英文：pn junction 解釋：P型與N型半導(dǎo)體相接處形成的特殊界面。由于內(nèi)建電場存在，電流容易從P型流向N型，反之則困難。太陽能電池利用PN節(jié)將被光激發(fā)的少數(shù)載流子從PN節(jié)的一端遷移到另一端：P 型（半導(dǎo)體）英文：ptype(semiconductor)解釋：在半導(dǎo)體中由于摻入受主元素而使得空穴成為半導(dǎo)體內(nèi)的多數(shù)載流子。常用來制成P型半導(dǎo)體的施主元素為硼：旁路二極管 英文：Bypass diode 解釋：是電池組件中用于防止組件由于遮擋產(chǎn)生局部過熱而附加的安全器件。旁路二極管與其所保護的電池并聯(lián)，但是二極管極性與電池相反。R ：日照常數(shù)英文：Solar Constant 解釋：數(shù)值上等于峰值日照小時數(shù)，沒有單位。S ：砷化鎵英文：Gallium Arsenide 解釋：由ⅢA族元素Ga和ⅤA族元素As化合而成的半導(dǎo)體材料。分子式為GaAs。，屬直接躍遷型能帶結(jié)構(gòu)。：失諧損失英文：Mismatch Losses 解釋：如果組件中串聯(lián)的電池板輸出電流的不一致，則總電流受最小電流限制，因而造成功率損失。：死層英文：Dead Layer 解釋：參雜濃度過高的電池前表面參雜區(qū)域。這會導(dǎo)致表層載流子壽命顯著減少，電池對短波長光譜反映嚴重衰減。T ：體電阻英文：Bulk Resistance 解釋：電流流穿電池襯底時所需克服的電阻。由電池的本底摻雜濃度決定：填充因子英文：Fill Factor 解釋：定義了電池最大輸出功率和開路電壓與短路電流乘積的比值。在圖形上，填充因子描述了電池伏安特性曲線的“直方性”。填充因子越大，伏安曲線約接近于方形。：銅銦鎵硒薄膜電池英文：CuInxGa(1x)Se2(CIGS)解釋：具有穩(wěn)定性好、抗輻照性能好、成本低、效率高等優(yōu)點。但也面臨三個主要的問題：制程復(fù)雜，投資成本高；關(guān)鍵原料的供應(yīng)不足；緩沖層CdS具有潛在的毒性。：同質(zhì)節(jié)英文：Homojunctions 解釋：PN節(jié)兩端由同種半導(dǎo)體組成，例如晶硅太陽能電池：太陽光譜英文：solar spectrum 解釋：太陽光在各個波長的輻射能量分布。不同的太陽光譜可能導(dǎo)致不同的電池效率，即使總光強一致。通常測試所用光譜的 X ：吸收系數(shù)英文：absorption coefficient 解釋：吸收系數(shù)決定了某一波長的光在材料中被吸收前能穿透的深度。例如藍光在硅中的吸收系數(shù)高，所以藍光在穿透很薄的硅后就被吸收了：效率英文：efficiency 解釋：又稱為光電轉(zhuǎn)換效率，是衡量電池質(zhì)量的最重要標準之一。電池效率由電池的最大輸出功率和輸入功率的比值決定。在標準測試條件（STC）下，輸入功率為：1瓦每平方米 X 電池面積。Y ：異質(zhì)結(jié)英文：Heterojunctions 解釋：PN節(jié)兩端由不同的半導(dǎo)體組成Z ：載流子壽命英文：carrier lifetime 解釋：是一個等效概念，指載流子從產(chǎn)生到復(fù)合經(jīng)歷的平均時長。載流子壽命高的材料通常能做出電壓更高的電池。：遮光英文：shading 解釋：電池運作時部分面積被遮擋而接收不到光照。：遮光損失英文：shading losses 解釋：由于遮光到來的光電流乃至效率的損失：折射率英文：refractive index 解釋：簡單來說，某材料的折射率表征光在真空中的速度與光在該材料中的速度之比率。：主柵線英文：busbars 解釋：電池受光面上較粗的導(dǎo)電電極。通常有兩三根貫穿整個電池，寬度幾毫米：阻流二極管 /阻滯二極管英文：blocking diode 解釋：串聯(lián)在組件上，阻止與之并聯(lián)的其它組件向其輸送電流的二極管：組件 英文：modules 解釋：具有封裝及內(nèi)部連接的、能單獨提供直流電輸出的、不可分割的太陽能電池組合裝置。通常由太陽能電池片、鋼化玻璃、EVA、透明TPT背板以及鋁合金邊框組成。：最大功率點英文：maximum power point 解釋：指電池或組件在特定光照條件下輸出功率最大的工作點：最大功率點跟蹤器英文：maximum power point tractor 解釋：整合到光伏系統(tǒng)電路中能自動調(diào)整組件運作電壓使其輸出功率達到最大的電子器件：載流子注入英文：carrier injection解釋：指多過剩流子的注入?？梢酝ㄟ^在電池上加正偏電壓或提供光照來實現(xiàn)：雜質(zhì)英文：Impurities解釋：半導(dǎo)體中除了半導(dǎo)體材料本身以外的其它雜質(zhì)。：直接帶隙半導(dǎo)體英文：direct bandgap semiconductor解釋：指半導(dǎo)體的能帶圖上導(dǎo)帶底與價帶頂在同一動量上。單一光子作用即可激發(fā)電子空穴對。砷化鎵是常見的直接帶隙半導(dǎo)體