行業(yè)研究報(bào)告-rfmems國(guó)內(nèi)外現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢(shì)-資料下載頁(yè)
【導(dǎo)讀】頻RF無(wú)源器件及微小型單片集成系統(tǒng)的概念與內(nèi)涵及其應(yīng)用市場(chǎng)，性能特點(diǎn)等，最后淺析RFMEMS領(lǐng)域的發(fā)展趨勢(shì)。件、單片集成子系統(tǒng)等。它具有小型化、低功耗、低成本、集成化等方面的優(yōu)勢(shì)，信系統(tǒng)、相控陣?yán)走_(dá)等。振器組成的基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)單元層面；②由移相器、濾波器、VCO等組成的組件層面；③由T/R組件、單片接收機(jī)、變波束雷達(dá)、相控陣天線等組成的應(yīng)用系統(tǒng)層面。營(yíng)收和出貨量的雙重增長(zhǎng)。20xx年，RFMEMS成熟市場(chǎng)占據(jù)了大部分的市場(chǎng)。份額，預(yù)計(jì)未來(lái)幾年新興市場(chǎng)的復(fù)合年增長(zhǎng)率將超過(guò)成熟市場(chǎng)。MEMS器件和子系統(tǒng)的需求量巨大。所示，2017~2022年MEMS市場(chǎng)增長(zhǎng)預(yù)測(cè)如圖3所示。納傳輸線/波導(dǎo)結(jié)構(gòu)組成的高性能T/R組件等。目前，RFMEMS領(lǐng)域的技術(shù)引領(lǐng)者主要是美國(guó)、日本及歐洲一些高科技企業(yè)，商包括Avago、Infineon、RadentMEMS、XCOMWireless、PanasonicMEW、基于MEMS技術(shù)的可變電容、電感可以用于構(gòu)建可重構(gòu)濾。RFMEMS電感是實(shí)現(xiàn)濾波、調(diào)諧、放大、阻抗耦合、頻率耦合的重要器。商業(yè)化的MEMS開(kāi)關(guān)產(chǎn)品比較見(jiàn)表2。
【正文】 了 MEMS 微納加工工藝及三維異質(zhì)集成互聯(lián)技術(shù)，使整體結(jié)構(gòu)的兩端接口最終形成標(biāo)準(zhǔn)的同軸插口。該集成射頻前端模塊是 MEMS 工藝優(yōu)勢(shì)和高集成度的集中體現(xiàn)，多種器件均互聯(lián)在模塊內(nèi)部，可采用垂直互聯(lián)的電 鑄工藝直接實(shí)現(xiàn)該模塊制備，這樣信號(hào)傳輸線和屏蔽結(jié)構(gòu)僅需要較小空間即可集成在一起，同時(shí)能夠保證它們不會(huì)相互干擾，如圖 9所示。 圖 9 基于 RF MEMS 技術(shù)的高性能射頻前端模塊和子系統(tǒng) 20xx年，美國(guó) Colorado大學(xué)的 Cullens E D 等人研制的基于 MEMS 技術(shù)的集成頻率掃描狹縫波導(dǎo)陣列，工作頻率為 130GHz~180GHz，整個(gè)頻率范圍內(nèi)的掃描角為 176。， 10個(gè)單元的陣列 150GHz頻率下的增益為 。 20xx年，美國(guó) Virginia Tech公司無(wú)線微系統(tǒng)實(shí)驗(yàn)室的研究人員 采用液態(tài)金屬垂直互連的方式將砷化鎵 MMIC 芯片和 3D 微同軸傳輸線連接在一起。經(jīng)過(guò)測(cè)試，在 ~， MMIC 芯片的增益下降了 。 除美國(guó)以外，國(guó)際上在 RF MEMS 集成微納系統(tǒng)方面還有英國(guó) BAE系統(tǒng)公司、韓國(guó)大田電子信息研究所、韓國(guó)工業(yè)大學(xué)、新加坡南洋理工大學(xué)等研究機(jī)構(gòu)。其中，英國(guó)的 BAE系統(tǒng)公司和韓國(guó)大田電子信息研究所與美國(guó) Colorado大學(xué)和Nuvotronics公司開(kāi)展了相關(guān)合作。 RF MEMS 集成微納系統(tǒng)是 MEMS 技術(shù)與射頻技術(shù)相結(jié)合的發(fā)展趨勢(shì)，它將 對(duì)傳統(tǒng)射頻微波的設(shè)計(jì)、系統(tǒng)集成及制造實(shí)現(xiàn)方式產(chǎn)生重大革新。 4. RF MEMS 發(fā)展趨勢(shì)淺論 結(jié)合前文對(duì) RF MEMS 領(lǐng)域市場(chǎng)狀態(tài)、發(fā)展情況、成熟產(chǎn)品、各類新型器件和微型片上系統(tǒng)的研究現(xiàn)狀及技術(shù)現(xiàn)狀等的論述和分析，給出如下六點(diǎn)發(fā)展趨勢(shì)： ① 進(jìn)一步提高性能指標(biāo)、可靠性和壽命等，例如頻帶和帶寬（ THz）、插入損耗、隔離度、耐受功率容量、開(kāi)關(guān)次數(shù)及壽命等。 ② 進(jìn)一步縮小體積、減輕重量、降低成本，例如優(yōu)化單步微納加工工藝和工藝集成創(chuàng)新，實(shí)現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)化工藝、大尺寸晶圓級(jí)加工和晶圓級(jí)封裝，以及后端工藝和測(cè)試檢驗(yàn)的智 能自動(dòng)化等。 ③ 采用新材料、新工藝、新原理、新結(jié)構(gòu)形式滿足未來(lái)射頻微波系統(tǒng)的更高需求，例如熔融石英材料的超低損耗正切角值和極小溫度系數(shù)可幫助實(shí)現(xiàn)超高性能的濾波器，基于 AlN材料的特定微納工藝實(shí)現(xiàn)的 FBAR濾波器可以達(dá)到超高性能指標(biāo)和超小體積，采用易于 MEMS 工藝實(shí)現(xiàn)的 SIW、腔體、微型同軸等結(jié)構(gòu)形式制造片上集成射頻前端子系統(tǒng)等。 ④ 集成化程度進(jìn)一步提高，例如各類無(wú)源器件（低損微型傳輸線、濾波器、移相器、功分器 、耦合器、阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)、天線等）的單片集成，無(wú)源器件與射頻微波前段有源低噪聲放大芯片的異質(zhì)集成等。 ⑤ 設(shè)計(jì)模式和途徑手段進(jìn)一步豐富和智能化，效率提升，市場(chǎng)響應(yīng)時(shí)間縮短，例如 IP 模型庫(kù)進(jìn)一步標(biāo)準(zhǔn)化和多量化，精確全波仿真分析等，各類不同設(shè)計(jì)分析手段的無(wú)縫配合協(xié)同可大大提升效率。 ⑥ MEMS 專業(yè)與射頻微波專業(yè)的深度融合， 用 MEMS 技術(shù)創(chuàng)新性解決射頻微波領(lǐng)域的瓶頸問(wèn)題，提升產(chǎn)品性能指標(biāo)，滿足市場(chǎng)新需求，例如基于 MEMS 技術(shù)開(kāi)發(fā)更多新類型射頻器件，利用 MEMS 工藝微納精細(xì) 加工實(shí)現(xiàn)射頻微波毫米波太赫茲單片子系統(tǒng)等。
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