【導(dǎo)讀】制備太陽能級(jí)多晶硅過程中需要使用坩堝。連，同時(shí)坩堝中的雜質(zhì)也會(huì)進(jìn)入硅熔體中。Fe等將使少子壽命顯著降低，影響電池性能。通常在坩堝上涂敷涂。然后以噴涂溫度為跳板綜合論述影響噴涂效果的主要因素，最。終確定一定的噴涂參數(shù)范圍既能使涂層有效的阻止雜質(zhì)進(jìn)入硅錠中，又能有良好的脫模效果。

　　

【正文】 噴涂的手法； 坩堝內(nèi)表面的平整度 河南科技大學(xué)畢業(yè)設(shè)計(jì) (論文 ) 17 如果上 述幾 點(diǎn)不 在要 求的 合理 的范 圍內(nèi) 就會(huì) 影響 涂層 的質(zhì) 量 近而影響晶錠的表面質(zhì)量，影響 良率； 如果溫度過高：水分蒸發(fā)太快影響涂層和坩堝以及氮化硅顆粒結(jié)合的致密度； 如果溫度過低：水分蒸發(fā)過慢會(huì)造成氮化硅涂層龜裂； 噴槍壓力主要影響噴出的噴霧的形狀 ( 要求噴涂最好為橢圓形且長軸不超過 10cm)近而影響噴涂的效果； 如果坩堝內(nèi)部過于光滑會(huì)影響噴涂和坩堝內(nèi)壁結(jié)合的面積近而影響噴涂效果； 另外如 果氮 化硅 粉脫 落且 不能 在長 晶的 過程 中有 效的 分凝 會(huì) 在晶錠內(nèi)部形成 Si3 N4 影響晶錠質(zhì)量 總的來 說各 種影 響氮 化硅 涂層 的因 素都 會(huì)直 接影 響到 進(jìn)入 硅 錠中雜質(zhì)的含量以及脫模效果，所以確定一個(gè)合理的噴涂參數(shù)是非常必要的。 河南科技大學(xué)畢業(yè)設(shè)計(jì) (論文 ) 18 結(jié) 論 本課題對(duì)鑄錠中噴涂 溫度 對(duì)硅錠質(zhì)量的影響做了研究，并與少子壽命做了對(duì)應(yīng)分析，得出以下結(jié)論： 有 稍許的改變就會(huì)引起硅錠粘鍋、裂錠等現(xiàn)象 。坩堝1 的脫模效果好說明噴涂溫度離 50℃ 越近，脫模效果越好，而坩堝 2溫度過高導(dǎo)致粘鍋現(xiàn)象嚴(yán)重。 號(hào)坩堝的平均少子壽命比 2 號(hào)坩堝平均少子壽命高說明坩堝噴涂溫度越低，硅錠內(nèi)部的少子壽命越高，硅錠質(zhì)量越好 。 本課題 的研 究目 的就 是為 了說 明坩 堝噴 涂對(duì) 硅錠 質(zhì)量 影響 的 重要性， 氮化硅涂層不僅能保證坩堝順利脫模而且能使多晶硅雜質(zhì)含量降低，少子壽命顯著提高，如果想要保證硅錠 的 高合格率 ，坩堝噴涂的高質(zhì)量是首先要考慮的 。 河南科技大學(xué)畢業(yè)設(shè)計(jì) (論文 ) 19 參考文獻(xiàn) [1] 李 彥林 , 羊 建坤 , 任 丙彥 等 . 太陽 能 級(jí) 硅 片生 產(chǎn) 工 藝中 懸 浮 液粘 度的研究 .第九屆中國太陽能光伏會(huì)議 ,2021 [2] 檀 柏梅 , 牛 新環(huán) , 趙 青云 等 . 單晶 硅 線 切 割技 術(shù) 及 切削 液 的 分析 研究 . 珠海 : 第 十 四 屆 全 國 半 導(dǎo) 體 集 成 電 路 硅 材 料 學(xué) 術(shù) 會(huì) 議 論 文集 ,2021:385~387 [3] 楊德仁 ,鄧海 .鑄造多晶硅研究進(jìn)展［ J］ .材料導(dǎo)報(bào) ,2021,2（ 3） :101～103 [4] , L shee umi num nitrde:review of synthsis me thods , ,1993,11(6):463～ 465 [5] 鄧志安 , 鄭 安 生 . 半 導(dǎo) 體 材 料 ［ M ］ . 北京 : 化 學(xué) 工 業(yè) 出 版社 ,2021:2526 [6] Habler C,Hosf H U,Koc h W,et matio n and a nni hilation o f oxyge n donors in mu1ticrys talline silicon for solar cells[J].Materials Science and Engineerin g,2021,71:3946 [7] 林安中 ,王斯成 .國內(nèi)外太 陽電池 和光伏 發(fā)電的 進(jìn)展與 前景［ J］ .太陽能學(xué)報(bào) ,1999,特刊 :6874 [8] Karg D,Pe nsl G,Sehul z M,etal. O xyge nRelated Defect Centers insolar Grade,Mul ticrystalline Silicon. A Resevoir of Life ti me killers［ J］ ..(b) ,2021:222 379 [9] Gosele ur rent understa nding o f diffusion mecha nis ms i n silicon[J]. .Proc,1986,5 9:541545 [10] Murin L,Mar keve h Y t of carbon o n ther mal double donor for matio n in silicon[J].Mater Sci Forum,1995,196 200:13151320建筑科技大學(xué)學(xué)報(bào) ,2021,37(2):287290 [11] Kishore R,Pastol J. L, Revel G. Grow th and c haracterizatio n o f polycrystalline silicon i ngots doped w ith C u,C,B or A1 b y directional solidification for p ho tovoltaic application. Solar Energy Materials,1989,19:221 236 [12] 崔進(jìn)煒 .二氧化硅和氮化 硅薄膜的 等離子汽 相沉積與 應(yīng)用［ J］ .河南科技大學(xué)畢業(yè)設(shè)計(jì) (論文 ) 20 半導(dǎo)體 技術(shù) ,2021,4:1517 [13] 楊德人 .半導(dǎo)體硅材料 [G].中國材料工程大典編委會(huì) .中國材料工程大典 .北京 :化學(xué)工業(yè)出版社 ,2021(15):3637 [14] Guopi ng D, La ng Z,Pietro R,et al. Hard incl usions and their detrime ntal effects o n the w ire saw ing process of mul ticrystalline silicon[J].Solar Energy Ma terialsamp。Solar Cel ls ,2021,91: 17431748 [15] Buo nassisia T,Istratova A A,Pic ketta M D,et al. Transition metals in pho tovoltaic grade ingotcast multicrys talline silicon: Assessing the role of i mp urities in silicon nitride crucible lini ng material[J].Journal of Crysta1 Grow th,2021,287:402407 [16] 楊德仁 .半導(dǎo)體材料測(cè)試與分析 .北京 :科學(xué)出版社 ,2021:21～ 28 [17] 楊德仁 .太陽能電池用多 晶硅材料 的現(xiàn)狀和 發(fā)展 ［ J］ .中國建設(shè)動(dòng)態(tài)（陽光能源 ),2021,10(1):3639 [18] 陳治明 , 王建農(nóng) .半導(dǎo)體器件的材料物理學(xué)基礎(chǔ) . 北京 : 科學(xué) 出 版社 ,2021:81～ 10 [19] 陳治明 .半導(dǎo)體概論 .北京 :電子工業(yè)出版社 ,2021:56～ 100 [20] Ranco ul,Gllbert Crucible for the treatme nt of molten silicon. Journal of Crystal Growth,2021,10（ 8） :56～ 78 [21] o f Seco nd Io n Mass Spectro metr y SIMS XⅡ .Elsevier,2021(97):50～ 52 [22] 闕 端 麟 , 陳修治 . 硅 材 料 科 學(xué) 與 技 術(shù) . 杭州 : 浙 江 大 學(xué) 出 版社 ,2021:499～ 504 河南科技大學(xué)畢業(yè)設(shè)計(jì) (論文 ) 21 致 謝 本論文是在 郭耀昌、張立峰 工程師和 鄭麗娜老師 的細(xì)心指導(dǎo)下完成的。本次實(shí)驗(yàn)是在上海超日（洛陽）太陽能有限 公司完成的。在做實(shí)驗(yàn)期間，超日的員工給了我很多幫助，特別是 郭 工的認(rèn)真負(fù)責(zé)的態(tài)度，讓我學(xué)會(huì)了很多生產(chǎn)上的知識(shí)，同時(shí)學(xué)習(xí)怎樣把書本上的知識(shí)用到實(shí)際當(dāng)中。無論是在實(shí)驗(yàn)的進(jìn)行過程還是在論文的撰寫過程中，都傾注了張工大量的心血。在此對(duì)他們表示深深的感謝！ 郭工 張工和 鄭老師嚴(yán) 謹(jǐn)求 實(shí)的 工作作 風(fēng)和 治學(xué) 態(tài)度以 及敏 銳的 思維 等都給 我留下了深刻的印象，這將成為我終生的財(cái)富。他們是我學(xué)習(xí)，做人做事的榜樣。在論文付梓之際，謹(jǐn)向 郭工 和張工致以崇高的敬意和誠摯的謝意。 本文研究能夠順利進(jìn)行還得益于以下許多人無私的幫助。在論文的寫作過程中，承 蒙 李謙副教授 的細(xì)心指導(dǎo)與幫助，同時(shí)在實(shí)驗(yàn)過程中，超日太陽能有限公司還有李劍主管等人給我提出了許多寶貴的意見，給我了很大的幫助。在此對(duì)他們表示衷心的感謝！同時(shí)對(duì)所有支持和幫助我的老師、同學(xué)、同事表示深深的謝意。