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畢業(yè)設(shè)計(jì)論文-酸法制絨下減薄量對(duì)多晶硅太陽能電池片電性能的影響-資料下載頁(yè)

2024-11-07 23:06本頁(yè)面

【導(dǎo)讀】光電轉(zhuǎn)換效率并沒有單晶硅太陽電池的高。其中主要有兩個(gè)原因:一方面是。由于多晶硅材料具有晶界、高密度的位錯(cuò)、微缺陷和相對(duì)較高的雜質(zhì)濃度,硅差,不能很好地吸收和利用太陽光。最終光電轉(zhuǎn)換效率最低。

  

【正文】 上連接最佳負(fù)載電阻時(shí)的最大能量轉(zhuǎn)換效率,等于太陽能電池 片 的輸出功率與入射到太陽能電池 片 表面的能量之比 [19]。轉(zhuǎn)換效率的大小是衡量太陽能電池片性能的標(biāo)準(zhǔn) [20]。由圖 36知減薄量在 %,減薄量在 電轉(zhuǎn)換效率最 高 為 %,減薄量在 1 Group Eff% 河南科技大學(xué)畢業(yè)設(shè)計(jì) (論文 ) 18 間 %, 這 說明太陽能電池片的光電轉(zhuǎn)換效率與減薄量之間并不是單純的線性關(guān)系 [20],而是存在一個(gè)減薄量區(qū)間,使得在這區(qū)間內(nèi)的太陽能電池片的光 電轉(zhuǎn)換效率最大。 結(jié)果 分析 : 減薄量在 時(shí), Rs 和 Rsh 均為最小,理論上可知此時(shí)多晶硅電池片的 Uoc 和 Isc 最大,由于輸出功率 P=Uoc*Isc,因此此時(shí)的輸出功率也應(yīng)該最大,但由于減薄量在 時(shí)的漏電流較大,使得 Isc降低,輸出功率也隨之降低,多晶硅太陽能電池片吸收的太陽光能雖然多但大部分以漏電流的形式損耗掉,因此光電轉(zhuǎn)換效率較低。 減薄量在 時(shí), Rs 和 Rsh 均較 小,理論可知此時(shí)的 Uoc 和 Isc 均較大,但由于此時(shí)多晶硅太陽能電池片的漏電流較小,使得 Isc 變的更大, 雖然此時(shí)多晶硅太陽能電池片對(duì)太陽光的反射較大,但多晶硅太陽能電池片吸收的光能較大一部分能夠轉(zhuǎn)換成電能,因此此時(shí)的光電轉(zhuǎn)換效率最高為 %。減薄量在 時(shí),測(cè)得 Rs 和 Rsh 均為最大,理論知此時(shí) Uoc 和 Isc 均最小, 輸出功率 P 最小,盡管此時(shí)電池片的漏電流最小,多晶硅太陽能電池片吸收的光能中一大部分能夠轉(zhuǎn)換為電能,但此時(shí)的多晶硅太陽能電池片對(duì)太陽光的反射率最高,也就是吸收的光能最低,使得最終的光電轉(zhuǎn)換效率最低。 通過本實(shí)驗(yàn)的探究將多晶硅太陽能電池片的光電轉(zhuǎn)換效率由原來的介于%%之間,提高到 %。這就將多晶硅太陽能電池片的等級(jí)提高了兩個(gè)等級(jí), 使得 電池片的價(jià)值由原來的 1012 元 ∕ 片 提高到 1518元 ∕片 ,為公司創(chuàng)造了較大的利潤(rùn)空間。 河南科技大學(xué)畢業(yè)設(shè)計(jì) (論文 ) 19 結(jié) 論 1. 本實(shí)驗(yàn)通過對(duì)減薄量對(duì)多晶硅太陽能電池片電性能的影響的探究,最終確定了最佳減薄量區(qū)間為 , 在此區(qū)間內(nèi)測(cè)得 Rs 和 Rsh 均較 小,理論上 Uoc 和 Isc 均較大, 由于此時(shí)多晶硅太陽能電池片的漏電流較小,使得 Isc 變的更大,雖然此時(shí)多晶硅太陽能電池片對(duì)太陽光的反射較大,但多晶硅太陽能電池片吸收的光能較大一部 分能夠轉(zhuǎn)換成電能,因此 得到最高 光電轉(zhuǎn)換效率為 %。 2. 本實(shí)驗(yàn)屬于探究性試驗(yàn),減薄量的區(qū)間劃分以 為間隔,得到最佳減薄量區(qū)間。建議在 的實(shí)驗(yàn)基礎(chǔ)上將減薄量區(qū)間的劃分間隔設(shè)為效率。 河南科技大學(xué)畢業(yè)設(shè)計(jì) (論文 ) 20 參考文獻(xiàn) [ 1] GERHARDS C,MARCKMANN C,TONE R,et Vtextured low cost multicrystalline silicon solar cells with a novel Printing metallization [C]//Proc of the 26th Photovohaic Specialists ,CA ,USA,1997,23( 7) :4346. [ 2] RUBY D S,ZAIDI S H,NARAYANAN S,et of industrial Mul ticrysta1line silicon solar cells[J]. Eng,2020,127(1):146149. [ 3] PARK S W ,KIM of acid texturing to MultiCrystalline silicon wafers[J].Journal of the Korean Physical Society,2020,43(3):423426. [ 4] NISHIMOTO Y,ISHIHARA T,NAMBA of Acidic texturization for multicrvstalhne silicon solar cells[ J].Journal of the Electrochemical Society,1999,146(2):457461. [ 5] 楊德仁 .太陽電池材料 [M].北京 :化學(xué)工業(yè)出版社 ,2020:5759. [ 6] SHIH S,JUNG K H,HSIEH T Y,et and formation Mechanism of chemically etched silicon [ J].Apply Phys Lett,1992,60 (15):163165. [ 7] 闕端麟 ,陳修治 .Si材料科學(xué)與技術(shù) [M].杭州 :浙江大學(xué)出版社 ,2020:246248. [ 8] 王濤 .多晶硅太陽電池的酸腐蝕絨面 技術(shù) :[畢業(yè)論文 ] .湖南 長(zhǎng)沙 :國(guó)防科技大學(xué)自動(dòng)化學(xué)院 ,2020,2022. [ 9] 中 山 大 學(xué) . 一 種 多 晶 硅 太 陽 電 池 絨 面 制 作 方 法 [ P]. 中國(guó) 專利 ,CN, [ 10] 常 州 天 合 光 能 有 限 公 司 . 多 晶 硅 酸 法 制 絨 工 藝 [ P]. 中國(guó) 專利 ,CN, [ 11] 廈 門 大 學(xué) . 多 晶 硅 太 陽 能 電 池 織 構(gòu) 層 的 制 備 方 法 [ P]. 中國(guó) 專利 ,CN, [ 12] BHARAT HEAVY in efficiency of Multi crystalline silicon solar cells using selfmasking and lowenergy reactive ion etching process for texturization[ P].USA patent,IN, [ 13] UNIV KOREA INDamp。ACADEMIC COLLABORATION (UYKON) Silicon surface texturing method for silicon solar battery,involves manufacturing 河南科技大學(xué)畢業(yè)設(shè)計(jì) (論文 ) 21 template by preparing mold prising set of concave parts,and obtaining template prising set of holes corresponding to concave parts by removing mold[ P].USA patent, KR855682, [ 14] 章小鴿著 ,張俊喜 ,張大全 譯 .硅及其氧化物的電化學(xué) 反應(yīng)、結(jié)構(gòu)和微加工 [ M].北京 :化學(xué)工業(yè)出版社 ,2020:2324. [ 15] 楊培根 .微電子工業(yè)中的清洗方法 [ J].半導(dǎo)體技術(shù) ,1997,7( 4) :4649. [ 16] 盧景霄 , 孫曉峰 , 王海燕 . 化學(xué)腐蝕法制備多晶硅的絨面 [ J]. 太陽能學(xué)報(bào) ,1998,19(1):3538. [ 17] Nishimoto YIshihara of Acidic Texturization for Multicrystalline Silicon Solar Cells[J].Journal of The Electrochemical Society,1999,14(6):457461. [ 18] dissolution of pand ntype silicon Kiic Study of the chemical mechanism[J].,9(3):279280. [ 19] 劉恩科 .光電池原理及應(yīng)用 [ M].北京 :科學(xué)出版社 ,1991:5658. [ 20] 趙玉文 ,林安中 .晶體硅太陽電池及材料 [ J].太陽能學(xué)報(bào) ,1999,10(1): 8594. 河南科技大學(xué)畢業(yè)設(shè)計(jì) (論文 ) 22 致 謝 畢業(yè)論文工作能夠順利完成,我要衷心地感謝導(dǎo)師 李飛龍工程師 、 張俊鵬 和 李謙在學(xué)習(xí)和工作中給予的諄諄教誨和悉心的關(guān)懷。在論文的選題、研究以及撰寫過程中,自始至終得到了兩位導(dǎo)師的精心指導(dǎo)和熱情幫助,其中無不凝聚著導(dǎo)師的心血和汗水。他們嚴(yán)謹(jǐn)求實(shí)和一絲不茍的學(xué)風(fēng)、扎實(shí)勤勉和孜孜不倦的工作態(tài)度時(shí)刻激勵(lì)著我努力學(xué)習(xí),并將鞭策我在未來的工作中銳意進(jìn)取、奮發(fā)努力。導(dǎo)師們的指導(dǎo)將使我終生受益。 在做畢業(yè)論文的 這段時(shí)間里,浙江尖山光電股份有限公司的工藝經(jīng)理張周達(dá)、工藝主管張大雨、工藝技術(shù)員華宇龍和黃貴等也給予了我很大的幫助,從原料的準(zhǔn)備到性能的檢測(cè),從開題報(bào)告到畢業(yè)論文的完成,都離不開他們的幫助和指導(dǎo)。 同時(shí),多晶電池車間清洗工序 的張強(qiáng) 、擴(kuò)散工序的吳華東、刻蝕工序的劉海洋、 PECVD 工序的楊勇 、印刷工序的沈超、檢測(cè)工序的路芊、尖山光電股份有限公司 電池車間實(shí)驗(yàn)室負(fù)責(zé)人張瑩等為實(shí)驗(yàn)的順利完成提供了便利。同工序的 同事們?cè)诠ぷ骱蜕钪幸步o予了我?guī)椭?,在此,一并表示深深的感謝! 值此即將完成學(xué)業(yè)之際,我衷心感謝 大學(xué)四年里教過并且?guī)椭^我的所有老師和同學(xué),祝你們健康快樂! 最后,謹(jǐn)向百忙中審閱我的論文和參加答辯的每一位老師表示由衷的感謝! 河南科技大學(xué)畢業(yè)設(shè)計(jì) (論文 ) 23
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