sputter原理和流程課件-資料下載頁(yè)
2025-03-10 20:12本頁(yè)面
【正文】 不理想，且容易產(chǎn)生 Void 解決方案： w 可以利用準(zhǔn)直管將大角度濺鍍現(xiàn)象濾除，使到達(dá)基板表面 的靶原子都是較小的行徑角度 Inclusion ? 在濺鍍的過(guò)程中 ,ITO膜形成時(shí) ,電漿中的負(fù)離子在濺鍍電壓（靶極電位）的作用下 ,往基板方向射入 ,此時(shí)在膜中形成黑色的絕緣物 InO（節(jié) 瘤成分） ? Sputter 之前 ,金屬靶表面可能已遭受不同程度之污染 ,比如氧化物 ,或金屬靶本身純度不好帶有雜質(zhì)時(shí) ,這些不純物隨著製程進(jìn)行而沉積在薄膜中形成雜質(zhì) ? 濺鍍過(guò)程中靶材並非全部沉積於基板 ,也會(huì)鍍?cè)?Chamber內(nèi) ,這些附著膜脫落也會(huì)形成雜質(zhì) ? Chamber中用來(lái)密封的 Oring之碎屑也可能成爲(wèi)製程中的異物 Inclusion 後果：可影響吸附原子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)及晶粒的成長(zhǎng)、大小與形狀 解決方案： ? 適當(dāng)降低濺鍍電壓（電壓絕對(duì)值）來(lái)降低負(fù)離子射入能量而降低膜質(zhì)破壞，進(jìn)而形成低阻值的 ITO膜 ? 在濺鍍初期為防止靶材表面氧化物隨濺鍍沉積於薄膜 ,先用Dummy代替 Substrate來(lái)進(jìn)行沉積 ,待穩(wěn)定後再換真正的Substrate 其它 ? 由外來(lái)雜質(zhì)引起的及材料本身具有的各種缺陷 (a) (c) (b) 其它 ? 由應(yīng)力造成的變形（彎曲等） (a) (c) (b) T=沉積高溫 T=室溫 T=室溫 薄膜底材 其它 後果： 解決方案： ? 在薄膜沉積完成後借助適當(dāng)回火調(diào)整應(yīng)力 ,使薄膜再結(jié)晶 ? 在薄膜沉積時(shí)借助適當(dāng)?shù)摹半x子轟擊”來(lái)控制薄膜應(yīng)力 Cryo Cryo Cryo Transfer chamber Load Lock Load Lock PVD Chamber PVD Chamber Test Leak Cryo Slit valve Open permanently PVD Tool XPR3 PVD Tool Cryo Cryo Cryo Test Leak Cryo XPR3 Transfer chamber Load Lock Load Lock PVD Chamber PVD Chamber 演講完畢，謝謝觀看！
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