sputter原理和流程課件-wenkub
2023-03-29 20:12:21 本頁面
【正文】 orr後通 Ar氣 ,使壓力控 制在約數(shù) mtorr ? 加入電場 (target為負(fù)極 ),點(diǎn)燃 plasma, 開始鍍膜 ? 膜厚度達(dá)到之後 ,停止電場 ? 基板從 S Chamber傳到 T Chamber ? 基板送入 L Chamber,破真空 取出 Hillock （ Al） 原因： w film的膨脹系數(shù)小于底材時 ,從高溫降至室溫 ,film受到擠壓應(yīng)力 ,若此應(yīng)力過大時 ,Al原子沿晶界向膜上移動 ,形成小的突起 w Al成膜的晶粒方向不一致 ,在後續(xù)高溫制程時 ,（ 110）晶粒在兩（ 111）晶粒間形成 hillock,形成的原因?yàn)椋?110）晶粒和（ 111）晶粒的熱膨脹系數(shù)不同 Hillock Hillock （ Al） 後果：易造成閘極線與信號線相會處短路 解決方案： w 用 AlNd target代替 Al target w 在 Al上面再鍍一層覆蓋金屬來抑制 Al hillock的產(chǎn)生 w 減小 grain size可降低 hillock凸出的大小 Splash 原因： ? 當(dāng) target局部（如 void、 oxide處） 散熱不均 ,過 熱地方在高溫下融化 , 在 Ar離子轟擊下滴落在 基板上 ,形成 Dome type的 splash ? 在 target edge有強(qiáng)烈的 arcing現(xiàn)象 ,使邊緣的金 屬融化濺落在基板上 , 形成 wing type的 splash Substrate Ar Oxide or Void Heated area Wing type Dome type Target Melted partical Splash 後果 ： 大塊金屬殘留導(dǎo)致閘極線與信號線短路 解決方案： ? 用 Shield plate裝置保護(hù) Target邊緣不被 Arcing ? 改變 Target的形狀可以減少 Arcing ? 預(yù)防 Arcing對策 提高 Target的純度 ,使其低氧化低
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