sputter原理和流程課件(編輯修改稿)
2025-03-28 20:12 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 ,使其低氧化低雜質(zhì) （ Inclusion） 提高 Target密度 （ Void ） 提高 Target表面平整度 （ Surface Finish） 減小 target晶粒的大小 ,提高均一性 （ Gain Size） Nodule（ ITO） 原因 : w ITO靶材是由氧化銦及氧化錫熱燒結(jié)而成 ,若混合不均及壓結(jié)密度不足 就易在濺鍍時產(chǎn)生節(jié)瘤 w ITO靶材 為高硬度陶瓷材 料 ,面積大 時 製造 較 難 ,故 採用 多塊小靶材拼接而成 , 接縫處常有 Nodule存在 w 制程中 Nodule爆裂開形 成許多 ITO屑 ,飛到靶材上 遮住部分靶材無法 Sputter, 形成新的 Nodule Nodule（ ITO） 後果： w 引起 ITO flake產(chǎn)生 ,掉落於基板為 Particle,影響鍍膜品質(zhì) ,導(dǎo)致 ITO層的阻抗惡化并且減少 ITO層的透光率 解決方案： ? 用超高密度的 ITO靶材（ 95%）可獲得改善 w 將 target表面處理平滑及乾淨(jìng) Void 原因： w film的膨脹系數(shù)大于底材時 ,從高溫降至室溫時 ,film受到拉伸應(yīng)力 ,如此應(yīng)力過大時 ,Al原子沿晶界向膜下移動 ,形成許多空隙 (Void)或裂痕(Cracks) w Al在高溫制程時 ,成膜的晶粒方向不一樣 ,（ 111） 晶粒在兩 （ 110） 晶粒間形成 Void,因為 （ 110） 晶粒和 （ 111） 晶粒的熱膨脹系數(shù)不同 w 金屬連線高低起伏的外觀使上面鍍絕緣層不易完全將縫隙填滿（填塞不良） ,留下 Void w ITO成膜速度太快使得薄膜呈柱狀結(jié)構(gòu)造成有很多孔洞（ Void）產(chǎn)生而影響膜質(zhì) Void 後果：增加膜的阻抗 解決方案： ? 減小 grain size ? 提高靶材密度 ? 金屬連線上絕緣層通常厚度比較薄在 1000到 3000之間 ,即使金屬層角落部分有凸出也不至於連起來形成 Void ? 控制 ITO成膜速度 合適 Spike(Al) 原因： ? Si在 400℃ 左右對 Al有一定的固態(tài)溶解度 ,因此沉積於 Si上 的 Al
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