【總結(jié)】集成電路制造工藝原理課程總體介紹:1.課程性質(zhì)及開(kāi)課時(shí)間:本課程為電子科學(xué)與技術(shù)專業(yè)(微電子技術(shù)方向和光電子技術(shù)方向)的專業(yè)選修課。本課程是半導(dǎo)體集成電路、晶體管原理與設(shè)計(jì)和光集成電路等課程的前修課程。本課程開(kāi)課時(shí)間暫定在第五學(xué)期。2.參考教材:《半導(dǎo)體器件工藝原理》國(guó)防工業(yè)出版社
2025-06-25 03:24
【總結(jié)】 CMOS集成電路制造工藝從電路設(shè)計(jì)到芯片完成離不開(kāi)集成電路的制備工藝,本章主要介紹硅襯底上的CMOS集成電路制造的工藝過(guò)程。有些CMOS集成電路涉及到高壓MOS器件(例如平板顯示驅(qū)動(dòng)芯片、智能功率CMOS集成電路等),因此高低壓電路的兼容性就顯得十分重要,在本章最后將重點(diǎn)說(shuō)明高低壓兼容的CMOS工藝流程?!』镜闹苽涔に囘^(guò)程CMOS集成電路的制備工藝是一個(gè)非常復(fù)雜而
2025-06-29 07:07
【總結(jié)】集成電路后端設(shè)計(jì)簡(jiǎn)介第一部分簡(jiǎn)單導(dǎo)言集成電路的發(fā)展?集成電路(IC:IntegratedCircuit)是指通過(guò)一系列特定的加工工藝,將晶體管、二極管等有源器件和電阻、電容、電感等無(wú)源器件,按照一定的電路互連,“集成”在一塊半導(dǎo)體晶片上,并封裝在一個(gè)外殼內(nèi),執(zhí)行特定電路或系統(tǒng)功能的一種器件。?1965年,In
2025-01-07 01:54
【總結(jié)】國(guó)際微電子中心集成電路設(shè)計(jì)原理第一章集成電路制造工藝集成電路(IntegratedCircuit)制造工藝是集成電路實(shí)現(xiàn)的手段,也是集成電路設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)。2/1/2023韓良1國(guó)際微電子中心集成電路設(shè)計(jì)原理?隨著集成電路發(fā)展的過(guò)程,其發(fā)展的總趨勢(shì)是革新工
2025-02-15 05:39
【總結(jié)】半導(dǎo)體半導(dǎo)體集成電路集成電路2.雙極集成電路中元件結(jié)構(gòu)雙極集成電路中元件結(jié)構(gòu)2023/1/28pn+n-epin+P-Sin+-BLCBESP+P+雙極集成電路的基本工藝雙極集成電路的基本工藝2023/1/28P-SiTepiCBEpn+n-epin+P-SiP+P+Sn+-BLTepiA
2025-01-06 18:37
【總結(jié)】1.高溫氧化工藝硅的熱氧化硅的熱氧化是指在高溫下,硅片表面同氧氣或水進(jìn)行反應(yīng),生成SiO2。硅的熱氧化有:干氧、濕氧、水汽氧化三種。如果氧化前已存在厚度為t0的氧化層,則(3-11)微分方程的解為:(tOX:是總的氧化層厚度)??????tBAttOXOX2
2025-01-06 18:43
【總結(jié)】第三章CMOS集成電路工藝流程白雪飛中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)系?多晶硅柵CMOS工藝流程?可用器件?工藝擴(kuò)展提綱2多晶硅柵CMOS工藝流程?初始材料–重?fù)诫sP型(100)襯底硅,P+–減小襯底電阻,提高抗CMOS閂鎖效應(yīng)能力?外延生長(zhǎng)–在襯底
2025-02-09 20:36
【總結(jié)】Spectre/Virtuoso/Calibre工具使用介紹實(shí)驗(yàn)地點(diǎn):信息科學(xué)實(shí)驗(yàn)中心研究生實(shí)驗(yàn)訓(xùn)練基地馮立松汪瀚2023/3/241共88頁(yè)模擬集成電路的設(shè)計(jì)流程(spectre)(virtuoso)(DRCLVS)(calibre)(cal
2025-03-05 06:15
【總結(jié)】關(guān)于集成電路制造工藝介紹-----------------------作者:-----------------------日期:集成電路制造工藝原理課程總體介紹:1.課程性質(zhì)及開(kāi)課時(shí)間:本課程為電子科學(xué)與技術(shù)專業(yè)(微電子技術(shù)方向和光電子技術(shù)方向)的專業(yè)選修課。本課程是半導(dǎo)體集成電路、晶體管原理與設(shè)計(jì)和光集成電路
2025-06-16 04:07
【總結(jié)】復(fù)習(xí)1.高溫氧化工藝硅的熱氧化硅的熱氧化是指在高溫下,硅片表面同氧氣或水進(jìn)行反應(yīng),生成SiO2。硅的熱氧化有:干氧、濕氧、水汽氧化三種。如果氧化前已存在厚度為t0的氧化層,則(3-11)微分方程的解為:(tOX:是總的氧化層厚度)??????tBAttO
2025-04-30 13:59
【總結(jié)】第四章集成電路制造工藝CMOS集成電路制造工藝?形成N阱?初始氧化?淀積氮化硅層?光刻1版,定義出N阱?反應(yīng)離子刻蝕氮化硅層?N阱離子注入,注磷?形成P阱?在N阱區(qū)生長(zhǎng)厚氧化層,其它區(qū)域被氮化硅層保護(hù)而不會(huì)被氧化?去掉光刻膠及氮化硅層?P阱離子注入,
2025-06-25 19:01
【總結(jié)】第四章集成電路制造工藝?集成電路設(shè)計(jì)與制造的主要流程框架設(shè)計(jì)芯片檢測(cè)單晶、外延材料掩膜版芯片制造過(guò)程封裝測(cè)試系統(tǒng)需求集成電路的設(shè)計(jì)過(guò)程:設(shè)計(jì)創(chuàng)意+仿真驗(yàn)證集成電路芯片設(shè)計(jì)過(guò)程框架From吉利久教授
2025-05-07 07:17
【總結(jié)】教學(xué)目的和要求:1、了解集成電路制造的過(guò)程和典型工藝流程。2、了解集成電路制造過(guò)程中的關(guān)鍵技術(shù)及概念。3、理解集成電路設(shè)計(jì)規(guī)則及其意義,初步認(rèn)識(shí)集成電路工藝水平對(duì)集成電路發(fā)展的影響。第二章集成電路制造工藝第一節(jié)概述意義:1、了解集成電路制造的基本過(guò)程的常識(shí)2、為了得到最佳集成電路設(shè)計(jì)
2025-01-06 13:54
【總結(jié)】集成電路工藝概述課程介紹普通高校專業(yè)學(xué)科目錄(1998版)?01哲學(xué)?02經(jīng)濟(jì)學(xué)?03法學(xué)?04教育學(xué)?05文學(xué)?06歷史學(xué)?07理學(xué)?08工學(xué)?09農(nóng)學(xué)?10醫(yī)學(xué)?11管理學(xué)?0806電氣信息類?080601電氣工程及其自動(dòng)化?080
2025-01-03 00:06