【正文】 rContactMetal1Via1平面視圖? 完成通孔96Silicon Substrate P+Silicon Epi Layer PP WellN WellN+ Drain N+ SourceP+ Drain P+ SourceBPSG W Contact PlugMetal1IMD1 W Via PlugMetal2Metal2淀積? Metal2淀積– 類似于 Metal1– 厚度和寬度增加，連接更長(zhǎng)的距離，承載更大的電流97Silicon Substrate P+Silicon Epi Layer PP WellN WellN+ Drain N+ SourceP+ Drain P+ SourceBPSG W Contact PlugMetal1PhotoresistIMD1 W Via PlugMetal2光刻膠成形? 光刻膠成形– 相鄰的金屬層連線方向垂直，減小層間的感應(yīng)耦合98Silicon Substrate P+Silicon Epi Layer PP WellN WellN+ Drain N+ SourceP+ Drain P+ SourceBPSG W Contact PlugMetal1PhotoresistIMD1 W Via PlugMetal2Metal2刻蝕? Metal2刻蝕– 類似于 Metal199Silicon Substrate P+Silicon Epi Layer PP WellN WellN+ Drain N+ SourceP+ Drain P+ SourceBPSG W Contact PlugMetal1IMD1 W Via PlugMetal2除去光刻膠100Trench Oxide PolysiliconCross SectionN WellP WellN+ Source/DrainP+ Source/DrainSpacerContactMetal1Via1Metal2平面視圖? 完成第二層互連，后面的剖面圖將包括右上角的壓焊點(diǎn)101Silicon Substrate P+Silicon Epi Layer PP WellN WellN+ Drain N+ SourceP+ Drain P+ SourceBPSG W Contact PlugMetal1IMD1 W Via PlugPassivationMetal2鈍化層淀積? 鈍化層淀積– 多種可選的鈍化層， Si3N SiO2和聚酰亞胺等– 保護(hù)電路免受刮擦、污染和受潮等102Silicon Substrate P+Silicon Epi Layer PP WellN WellN+ Drain N+ SourceP+ Drain P+ SourceBPSG W Contact PlugMetal1IMD1 W Via PlugPassivationBond PadPoly GateGate OxideSilicide SpacerMetal2鈍化層成形? 鈍化層成形– 壓焊點(diǎn)打開，提供外界對(duì)芯片的電接觸103Cross SectionTrench OxideN+ Source/DrainP+ Source/DrainSpacerContactMetal1Polysilicon Via1+5V SupplyVOUTN WellP WellMetal2GroundBond PadVIN平面視圖? 完成，顯示了電氣連接和部分壓焊點(diǎn)104完成105略有不同的另一個(gè)工藝流程Vth校正注入 場(chǎng)氧化層TiN實(shí)驗(yàn)一? 實(shí)驗(yàn)一 離子注入（ 4學(xué)時(shí)）? 內(nèi)容：包括擴(kuò)散和離子注入仿真實(shí)驗(yàn)過程。? 基本要求：? 學(xué)習(xí) MACI軟件離子注入軟件。? 熟悉參數(shù)的設(shè)置。106實(shí)驗(yàn)二 光刻工藝（ 4學(xué)時(shí)）內(nèi)容：包括基底的選擇，圖形的設(shè)計(jì)、掩膜板的設(shè)計(jì)、光刻膠的選擇和使用、光刻設(shè)備的使用、顯影液的使用和刻蝕液的選取和使用。? 基本要求：? 學(xué)習(xí) CAD軟件，進(jìn)行簡(jiǎn)單圖形的設(shè)計(jì)。? 進(jìn)行圖形轉(zhuǎn)移工藝流程的設(shè)計(jì)，了解工藝過程用到的材料和設(shè)備。? 掌握工藝過程中材料的配比和設(shè)備的操作流程。107什么是 MEMS? 微機(jī)電系統(tǒng)（ MEMS）是指用微機(jī)械加工技術(shù)制作的包括微傳感器、微致動(dòng)器、微能源等微機(jī)械基本部分以及高性能的電子集成線路組成的微機(jī)電器件與裝置。各個(gè)國(guó)家不同的定義? 美國(guó)：微型機(jī)電系統(tǒng)–MEMS: Micro electro mechanical system? 日本：微 機(jī)械–Micro machine? 歐洲：微系統(tǒng)–Micro system什么是微型機(jī)電系統(tǒng)例如：汽車安全氣囊煤氣報(bào)警器 聲光控開關(guān) MEMS中的核心元件一般包含兩類：一個(gè)傳感或致動(dòng)元件和一個(gè)信號(hào)傳輸單元。下圖說明了在傳感器中兩類元件的功能關(guān)系。為什么要學(xué)習(xí) MEMS？ —— 主要特點(diǎn)? 器件微型化、集成化、尺寸達(dá)到微米數(shù)量級(jí)? 功能多樣化、智能化? 功能特殊性? 能耗低、靈敏度高、工作效率高M(jìn)EMS與傳統(tǒng)機(jī)械有什么區(qū)別？? 微尺寸效應(yīng)? 表面與界面效應(yīng)? 量子尺寸效應(yīng)? 加工方式MEMS的國(guó)內(nèi)外概況? MEMS發(fā)展歷史回顧1947年：發(fā)明晶體管 技術(shù)基礎(chǔ)壓力傳感器：54年： Si、 Ge壓阻效應(yīng)66年：機(jī)械研磨做硅腔70年：各向同性腐蝕硅腔76年： KOH 腐蝕， MEMS加工手段80年代：集成式壓力傳感器目前：新機(jī)理壓力傳感器82年：美國(guó) .Bekeley，表面犧牲層技術(shù)微型靜電馬達(dá)成功MEMS進(jìn)入新紀(jì)元九十年代初 ADI的氣囊加速度計(jì)實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化90年代中： ICP的出現(xiàn)促進(jìn)體硅工藝的快速發(fā)展九十年代末 Sandia實(shí)驗(yàn)室 5層多晶硅技術(shù)代表最高水平MEMS在軍事領(lǐng)域的應(yīng)用軍事領(lǐng)域是 MEMS技術(shù)的最早應(yīng)用點(diǎn)，對(duì)推動(dòng)MEMS技術(shù)的進(jìn)步起到了很大作用? 引信安全、炮彈彈道修正、子母彈開倉控制、 侵徹點(diǎn)控制? 單兵攜帶? 雷達(dá)? 戰(zhàn)場(chǎng)毒氣檢測(cè)和救護(hù)? 偵察：小飛機(jī)? 后勤保障? 用于武器制導(dǎo)和個(gè)人導(dǎo)航的慣性導(dǎo)航組合? 用于超小型、超低功率無線通訊（ RF微米 /納米和微系統(tǒng)）的機(jī)電信號(hào)處理? 用于軍需跟蹤、環(huán)境監(jiān)控、安全勘察和無人值守分布式傳感器? 用于小型分析儀器、推進(jìn)和燃燒控制的集成流量系統(tǒng)? 武器安全、保險(xiǎn)和引信? 用于有條件保養(yǎng)的嵌入式傳感器和執(zhí)行器? 用于高密度、低功耗的大量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器件? 用于敵友識(shí)別系統(tǒng)、顯示和光纖開關(guān)的集成微光學(xué)機(jī)械器件? 用于飛機(jī)分布式空氣動(dòng)力學(xué)控制和自適應(yīng)光學(xué)的主動(dòng)的、共型表面。慣性 MEMS航空、航天? 航空：改進(jìn)飛機(jī)性能、保證飛機(jī)安全舒適、減少躁聲? 航天：天際信息網(wǎng)、微重力測(cè)量FLUDIC MEMS信息領(lǐng)域? 全光通信網(wǎng)：光開關(guān)和開關(guān)陣列、光可變衰減器、光無源互連耦合器、可調(diào)濾波器、光相干探測(cè)器、光功率限幅器、微透鏡、光交叉連接器 OXC、光分插復(fù)用器 OADM和波分復(fù)用器? 無線電話； MEMS電容、電感、傳輸線、 RF MEMS濾波器、 RF MEMS振蕩器、 MEMS移相器、微波收發(fā)機(jī) MEMS集成化射頻前端? 計(jì)算機(jī)；攝像頭、鼠標(biāo)? 投影儀、噴墨打印機(jī)? 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)汽車工業(yè)? 每部汽車內(nèi)可安裝 30余個(gè)傳感器：氣囊，壓力、溫度、濕度、氣體等? 微噴嘴? 智能汽車控制系統(tǒng)工業(yè)控制? 化工廠? 自動(dòng)化控制中的探測(cè)器等MEMS的應(yīng)用137138139140