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2024-12-29 12:49本頁面
【正文】 器? CMOS有源負(fù)載放大器G1D1S1S2D2G2 USSUDDUiUOEGgm1Ugs1IOD1D2rds1 rds2G1UO+Ui+ roS1 S2 G2電壓增益MOS單極放大器? CMOS有源負(fù)載放大器電壓增益gds比 gmb gm小 1~2個數(shù)量級特點(diǎn)： 1. 增益高 幾百倍乃至上千倍；2. 可在較低的電流下工作，有利于降低功耗；輸入電阻 很高，一般可達(dá) 1010?。輸出電阻3. 輸出電阻比 E/E型和 E/D型高。MOS單極放大器? CMOS互補(bǔ)放大器G1D1S1S2D2G2 USSUDDUOgm1Ugs1D1 D2rds1rds2G1 G2UO+Ui+ roS1 S2Ui Id1Id2gm2Ugs2電壓增益由圖可看出Ugs1=Ugs2=Ui如 gm1=gm2=gmro=rds1//rds2MOS單極放大器? CMOS互補(bǔ)放大器電壓增益特點(diǎn)： 1. 增益高 是 CMOS有源負(fù)載放大器的 2倍；2. 輸出電阻與 CMOS有源負(fù)載放大器相同。輸出電阻存在問題： 級聯(lián)存在電平匹配困難，因此一般作輸出級。MOS集成運(yùn)算放大器CMOS四運(yùn)放電路 (5G14573)BiMOS集成運(yùn)算放大器 MOS集成運(yùn)算放大器常用的MOS運(yùn)放NMOS運(yùn)放： 優(yōu)點(diǎn) — 速度與集成度高缺點(diǎn) — 電壓增益比較低，電路比較復(fù)雜。CMOS運(yùn)放： 優(yōu)點(diǎn) — 電壓增益高，電路比較簡單缺點(diǎn) — 速度與集成度比 NMOS低。電路結(jié)構(gòu)與雙極型運(yùn)放相似CMOS四運(yùn)放電路 (5G14573)IP0? MOS集成電路有 NMOS、 PMOS和 CMOS等工藝類型， MOS集成電路中大量采用有源負(fù)載代替實(shí)體電阻，常用的有源負(fù)載有：1. 單管增強(qiáng)型有源負(fù)載，它采用增強(qiáng)型 MOS管組成。 等效交流電阻為 : ro=1/(gds+gm+gmb) 式中 gds— 漏源輸出電導(dǎo)； gm— 管子跨導(dǎo)； gmb—— 管子襯底跨導(dǎo)。通常 gmgmbgds2. 單管耗盡型有源負(fù)載，它采用耗盡型 MOS管組成。 等效交流電阻為： ro=1/(gds+gmb)小 結(jié)小 結(jié)? MOS集成電路中普遍采用有源負(fù)載共源放大電路，常用的有四種，即、 E／ E型， E／ D型， CMOS型和 CMOS互補(bǔ)形放大器。1. E／ E型放大電路的放大管和有源負(fù)載管均采用增強(qiáng)型MOS管組成。 電壓增益為： AUE= gm1(rds1//RL1) 如放大管和負(fù)載管的 ID和 K一致，放大增益可表示為：電壓增益小，約為 5~10倍。小 結(jié)2. E／ D型放大電路的放大管采用增強(qiáng)型和負(fù)載管均采用耗盡型 MOS管組成。 電壓增益為： AUD= gm1(rds1//RL2) AUD≈AUE/?2 ?2=gm2/gmb2， 通常為 。 E／ D型的電壓增益比 E/E型大 10倍到幾十倍。3. CMOS有源負(fù)載放大電路是采用極性不同（ N溝或 P溝道）的放大管和負(fù)載管組成。電壓增益為： AU=gm/(gds1+gds2)其電壓增益比 AUD和 AUE大，一般在幾百倍。小 結(jié)4. CMOS互補(bǔ)放大電路是采用極性不同的兩只 MOS管組成，而且互為放大管和負(fù)載管，使輸出電流增加。電壓增益為： AU =2gm/(gds1+gds2)其電壓增益是 CMOS放大電路的 2倍，在四種 MOS放大電路，電壓增益最大。重點(diǎn)難點(diǎn)重點(diǎn) ： 常用 MOS放大單元電路（ E/E、 E/D、 CMOS、CMOS互補(bǔ)）的構(gòu)成、特點(diǎn)及分析方法。難點(diǎn) ： MOS放大單元電路的分析方法。 謝謝觀看 /歡迎下載BY FAITH I MEAN A VISION OF GOOD ONE CHERISHES AND THE ENTHUSIASM THAT PUSHES ONE TO SEEK ITS FULFILLMENT REGARDLESS OF OBSTACLES. BY FAITH I BY FAITH
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