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2025-08-22 21:51本頁面
【正文】 Panel 【Vernier】 【對(duì) 位 標(biāo) 志】 X/Vernier Y/Vernier 利用畫像處理 、 自動(dòng)檢測能使 A=B的位置，貼合精度以所測得的 Vernier值來表示。 Array側(cè) Vernier（基準(zhǔn)） L＝ 約 1000μm CF側(cè) Vernier A B Array側(cè) Marker □ 150μ m CF側(cè) Marker □ 50μ m Cell工藝簡介 43 Seal硬化 Seal硬化 目的： (1)通過 UV及加熱對(duì) seal進(jìn)行充分硬化，使真空貼合后的 CF及 TFT基板通過 seal高信賴性的無偏移接著，形成盒厚穩(wěn)定的液晶屏； (2)防止液晶氣泡的發(fā)生（長時(shí)間放置）； (3)使液晶完全擴(kuò)散 UV Lamp (Metal Halide Lamp ) ＵＶ光 Seal材達(dá)到一定程度的硬化， 真空貼合后的 CF,TFT基板接著，形成穩(wěn)定盒厚。 mask 熱風(fēng) Seal材充分硬化達(dá)到高信賴性，同時(shí)通過加熱再降溫使液晶 Isotropic化，進(jìn)行重新再配向 熱風(fēng)爐 （ Oven） （UV硬化 ） （本硬化 ） Cell工藝簡介 44 UV硬化原理示意 UV光照射會(huì)使 asi內(nèi)產(chǎn)生電子遷移，破壞 TFT的 Tr特性，故 采用 MASK遮擋 TFT部。 asi Ａｒｒａｙ基板 G遮光 aSi Drain G遮光 畫素 ITO PA GInsulator ＣＦ基板 Drain上 BM 色 層 色 層 Cell gap UV光 液晶 UV Mask ＣＦ基板 Ｓｅａｌ材 配向膜 Ａｒｒａｙ基板 TFT 公共電極 Ｓｐａｃｅｒ Seal內(nèi) Spacer ＵＶ光（光源： Metal Halide Lamp） 半透膜 Cell工藝簡介 45 本硬化工藝條件特性要求 120℃ 70℃ RT 60min 基板溫度 裝置內(nèi)溫度 本硬化溫度特性曲線 無塵恒溫槽 測定基板 溫度 記錄儀 本硬化爐及溫度曲線測定方法 120℃ 、60min Cell工藝簡介 46 4. Cell后工程簡介 Cell后工程的主要任務(wù)是把貼合后的大基板切斷成小塊的屏（ Panel），把合格的屏貼上偏光板。 Cell工藝簡介 47 個(gè)片切斷 目的： 將 TFT基板和 CF基板貼合后的大型基板按制品尺寸進(jìn)行上下切斷，分割為單塊屏。 上下切斷方式： Cell工藝簡介 48 垂直裂縫產(chǎn)生原理： Cell工藝簡介 49 上下切斷方式的優(yōu)點(diǎn)： 高浸透刀片的采用 ， 只劃片就能使基板完全斷裂 ， 無需裂片 ， 避免裂片時(shí)對(duì)屏產(chǎn)生的損傷；無大型基板翻轉(zhuǎn)避免翻轉(zhuǎn)時(shí)因夾雜異物而對(duì)屏產(chǎn)生損傷 。 刀片結(jié)構(gòu)： 由于垂直裂縫在切斷后無法被觀察到 ， 而它與 Rib mark有正比關(guān)系因此將 Rib mark作為考察垂直裂縫的標(biāo)準(zhǔn) 。 Cell工藝簡介 50 目的： ① .把使 Gate電極和 Drain電極短路連接的靜電破壞防止回路除去，使 Gate電極和 Drain電極各自分離獨(dú)立。 ② .液晶屏玻璃端面處理，防止后續(xù)工程中出現(xiàn)缺口以及劃傷驅(qū)動(dòng) IC等。 ③ .洗凈、干燥，裝入料盒進(jìn)行屏表示檢查。 研磨、洗凈 Cell工藝簡介 51 Cell工藝簡介 52 研磨、洗凈設(shè)備構(gòu)成 Cell工藝簡介 53 屏洗凈 目的： 偏光板帖付前除去屏上付著的異物。 ● 研磨頭在屏上移動(dòng)，除去異物； ?? ● 研磨帶一般卷取狀態(tài)，可以防止異物體再付著和摩耗； ?? ● 研磨使用濕處理方式，可以防止屏表面?zhèn)挽o電破壞。 Cell工藝簡介 54 研磨帶結(jié)構(gòu)： Cell工藝簡介 55 偏光板貼付 目的：根據(jù)屏的液晶配向方向，將偏光板的偏光軸與之重合進(jìn)行貼付。 偏光板貼付方式 Cell工藝簡介 56 偏光板貼付工藝檢查表： Cell工藝簡介 57 自動(dòng)除泡 目的： 偏光板貼附后，對(duì)屏進(jìn)行加壓加熱處理，以除去偏光板之間的微小氣泡。 裝置示意圖 Cell工藝簡介 58
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