芯片制造期末復(fù)習(xí)資料-資料下載頁(yè)
2025-08-05 15:55本頁(yè)面
【正文】 PCVD）： 典型：水平對(duì)流熱傳導(dǎo)LPCVD 超高真空CVD 增強(qiáng)型等離子體 高密度等離子體CVD（HDPCVD) 金屬有機(jī)物CVD（MOCVD）（3） 解釋分子束外延 分子束外延技術(shù)是在超高真空條件下，用其組元的分子（或原子）束噴射到襯底上生長(zhǎng)外延薄層的技術(shù)。 第十三章（1） 什么叫真空蒸發(fā)真空蒸發(fā)是將固體材料置于真空室內(nèi)，在真空條件下，將固體材料加熱蒸發(fā)，蒸發(fā)出來(lái)的原子或分子能自由地彌布到容器的器壁上（2） 真空泵有幾類 ①機(jī)械真空泵 ②油擴(kuò)散泵 ③低溫泵 ④離子泵 ⑤渦輪分子泵 （3） 列舉出對(duì)于芯片表面導(dǎo)體所使用的金屬材料的要求 ①良好的電流負(fù)載能力（電流密度） ②和晶圓表面具有的良好的粘合性 ③易于圖形化工藝 ④和晶圓材料具有良好的電接觸性能 ⑤高純度 ⑥耐腐蝕 ⑦具有長(zhǎng)期的穩(wěn)定性 ⑧能夠淀積出均勻而且沒(méi)有“空洞”和“小丘”的薄膜 ⑨均勻的顆粒結(jié)構(gòu)（4） 描述濺射的原理 在真空反應(yīng)室中，由鍍膜所需的金屬構(gòu)成的固態(tài)厚板被稱為靶材，它是電接地的。首先將氬氣充入室內(nèi)，并且電離成正電荷。帶正電荷的氬離子被接地的靶吸引，加速?zèng)_向靶。在加速過(guò)程中這些離子受到引力作用，獲得動(dòng)量，轟擊靶材。這樣在靶上就會(huì)出現(xiàn)動(dòng)量轉(zhuǎn)移現(xiàn)象。氬離子轟擊靶，引起其他的原子分散。被氬離子從靶上轟擊出的原子和分子進(jìn)入反應(yīng)室。這就是濺射過(guò)程。被轟擊出的原子和分子散布在反應(yīng)室中，其中一部分漸漸地停落在晶圓上。第十四章（1） 畫出四探針測(cè)試儀的部件和電流流向示意圖 P271
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