芯片制造期末復(fù)習(xí)資料(已修改)
2025-08-17 15:55 本頁(yè)面
【正文】 芯片制造期末復(fù)習(xí)資料第一章（1） 誰(shuí)發(fā)明了集成電路? 德國(guó)青年工程師 Jack Kilby(1959)（2） 分立器件：每個(gè)芯片中只含有一個(gè)元件的器件。 分類：晶體管，二極管，電容器，電阻器等（3） 集成電路：采用一定工藝，把一個(gè)電路中所需的晶體管，二極管，電阻，電容，電感等元件及布線連在一起的基片。 分類①功能結(jié)構(gòu)：模擬集成電路 數(shù)字集成電路 數(shù)/模集成電路。②按集成程度高低：小規(guī)模，中，大，超大，甚大。③導(dǎo)電性：雙極型，單極型。（4） 特征尺寸：特征尺寸即芯片表面電路和特征線寬。特征尺寸越小，單位面積內(nèi)的晶體管集成程度就越高，速度越快，性能越好，是衡量集成電路設(shè)計(jì)和制造水平的重要尺度。第二章（1） 半導(dǎo)體：常溫下導(dǎo)電性介于導(dǎo)體和絕緣體之間的材料。 導(dǎo)體：容易導(dǎo)電的物體，即能夠讓電流通過(guò)的材料。 絕緣體：表現(xiàn)出核子對(duì)軌道電子的強(qiáng)大束縛，即對(duì)電子移動(dòng)有很大阻礙的材料。（2） 常用半導(dǎo)體材料：鍺，硅，硒。（3） 制造半導(dǎo)體過(guò)程中常用的化學(xué)品：酸，堿，溶劑，水第三章（1） 晶體：原子在整個(gè)材料里重復(fù)排列成非常固定結(jié)構(gòu)的材料。 非晶體：原子沒(méi)有固定和周期性排列的材料。（2） 晶體生長(zhǎng)的三種方法：直拉法，液體掩蓋直拉法，區(qū)熔法。第四章(1） 晶圓生產(chǎn)工藝 ①薄膜工藝：是在晶圓表面形成薄膜的加工工藝。薄膜可以是絕緣體，半導(dǎo)體，導(dǎo)體。這些工藝技術(shù)是生長(zhǎng)二氧化硅膜和沉淀不同材料薄膜。通用的沉淀技術(shù)：物理氣相沉積（PVD），化學(xué)氣相沉積（CVD），蒸發(fā)和濺射。 ②圖形化工藝：通過(guò)一系列生產(chǎn)步驟將晶圓表面薄膜的特定部分除去的工藝，又可稱為光掩膜，掩膜，光刻或微光刻。是4個(gè)基本工藝中最關(guān)鍵的。 ③摻雜：將特定量的雜質(zhì)通過(guò)薄膜開(kāi)口引入晶圓表層的工藝過(guò)程。兩種方法：熱擴(kuò)散和離子注入 ④熱處理：簡(jiǎn)單地將晶
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