第八章-晶格振動的吸收光譜-資料下載頁
2025-08-05 10:45本頁面
【正文】 晶格模 SiSi振動頻率的影響 經(jīng)驗(yàn)公式Si, SR=, ?SiSi=480cm1F 原子替代 Si, SRF=, ?SiSi=506cm1Si, SSi ’=, ?SiH= 1953 cm1N, SN ’=, ?SiH = 2152 cm1O, SO ’=, ?SiH = 2246 cm1局域模的振動方式 (頻率依振動方式而異 )SiH鍵的不同振動方式：SiH 拉伸 ?2022cm1Si ?900cm1(SiH)n搖擺 ?640cm1H H H在 Si中的高頻局域模不同功率下氫化非晶硅 (aSi:H)薄膜的紅外吸收光譜彎曲 (剪切 )StretchBendWag(A)(A)(A)(C)SiH2拉伸（反對稱）SiH拉伸（對稱） SiH鍵的可能振動方式 [以氫化非晶硅 (aSi:H) 為例 ]單 H鍵雙 H鍵三 H鍵輕雜質(zhì)誘導(dǎo)低頻準(zhǔn)局域模v輕雜質(zhì)誘導(dǎo)低頻準(zhǔn)局域模216。無序體系，全部晶格模激活216。與雜質(zhì)含量相關(guān)，存在一個臨界雜質(zhì)濃度，形成團(tuán)簇 (cluster)， 如 (SiH4), (SiD4), (GeH4), (GeD4), 216。不遵守質(zhì)量平方根反比律216。存在同位素效應(yīng)216。在晶格臨界點(diǎn)附近 , 兼有晶格模延展性和局域化性質(zhì)H誘導(dǎo)低頻準(zhǔn)局域模： aSi, aSi:H(左 ), aGe, aGe:H(右 )的紅外吸收光譜 (下 ), 單晶 Si和 Ge態(tài)密度的計算結(jié)果 (上圖 )，注意氫引起的準(zhǔn)局域振動模： aSi:H中為 215cm1， aGe:中為 120 cm1求 H、 D 在 aSi:H中 的 準(zhǔn)局域模 頻率：引入質(zhì)量缺求解久期方程作簡化處理可得對 aSi:H： 多聲子過程的 IR 吸收v起源 :(格 )波的疊加v頻率關(guān)系：v波矢關(guān)系：v原則上， B區(qū)全部聲子都可以參與多聲子過程 晶格振動光吸收的量子力學(xué)處理 (自學(xué) !) 多聲子過程波矢關(guān)系示意圖 . 實(shí)線代表聲子 , 虛線代表倒格矢量 G,， 點(diǎn)線為合成的聲子波矢 .? 和頻? 差頻? 泛頻(overtone) — 2次 , 3次 … 諧波單晶硅多聲子紅外吸收光譜 ? (cm1)500 1000 1500 波數(shù) (cm1)單晶硅多聲子紅外吸收譜的辯認(rèn)峰值波數(shù) (mm1)峰值能量 (eV) 多聲子過程辨認(rèn) 3TO 2TO + LA 2TO + LO。 2TA + LA 2TO TO + LO TO + LA LO + LA TO + TA LO + TAu多聲子紅外吸收的溫度效應(yīng)不同溫度下單晶硅多聲子紅外吸收光譜由量子理論可知 :對單聲子過程 : 吸收強(qiáng)度與溫度無關(guān) 對雙聲子過程 : 吸收強(qiáng)度與溫度
環(huán)評公示相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1