硅片沾污控制-資料下載頁
2025-08-05 09:54本頁面
【正文】 ?噴射清洗 ?加熱去離子水清洗 ?旋轉(zhuǎn)式甩干 ?IPA異丙醇蒸氣干燥 缺點(diǎn)：單片操作，效率低，難以實(shí)現(xiàn)批處理。 ? 硅片甩干 ： 硅片對(duì)水的響應(yīng)程度稱為它的可濕性。水可浸潤親水性的潔凈硅片上，而在疏水性表面上因?yàn)楸砻鎻埩κ湛s為水珠，即反浸潤。這樣的水珠在干燥后會(huì)在硅片表面形成斑點(diǎn)。 ? 經(jīng)過氫氟酸腐蝕的無氧化物表面由于氫終結(jié)了表面原子層因而是疏水性的。必須徹底干燥硅片表面。 ? 旋轉(zhuǎn)式甩干機(jī)：難以除去孔穴中的水分；高速旋轉(zhuǎn)引起電荷積累吸引顆粒 ? 異丙醇蒸氣干燥： IPA的純度級(jí)別必須加以控制 （ 1）微粗糙度（ RMS）； （ 2）自然氧化物清除率； （ 3）金屬沾污、表面顆粒度以及有機(jī)物沾污； （ 4）芯片的破損率； （ 5）清洗中的再沾污； （ 6）對(duì)環(huán)境的污染； （ 7）經(jīng)濟(jì)的可接受性（包括設(shè)備與運(yùn)行成本、 清洗效率）等。 ?顆粒的產(chǎn)生 ?較難干燥 ?價(jià)格 ?化學(xué)廢物的處理 ?和先進(jìn)集成工藝的不相容 濕法清洗的問題 現(xiàn)在已經(jīng)研究出幾種可以取代 RCA清洗的清洗技術(shù) ,像等離子體干法清洗、使用螯合劑、臭氧、低溫噴霧清洗等 ,但在工業(yè)生產(chǎn)上還未大量應(yīng)用。 RCA濕法清洗的替代方案 干法清洗工藝 ?氣相化學(xué)，通常需激活能在低溫下加強(qiáng)化學(xué)反應(yīng)。 ?所需加入的能量，可以來自于等離子體，離子束，短波長輻射和加熱，這些能量用以清潔表面，但必須避免對(duì)硅片的損傷 ?HF／ H2O氣相清洗 ?紫外一臭氧清洗法（ UVOC） ?H2／ Ar等離子清洗 ?熱清洗 ? 等離子清洗有物理清洗和化學(xué)清洗（表面改性）兩種方式。前者稱為 PE方式，后者稱為 RIE方式。將激發(fā)到等離子態(tài)的活性粒子與表面分子反應(yīng)，而產(chǎn)物分析進(jìn)一步解析形成氣相殘余物而脫離表面。 ? 目前等離子體技術(shù)已經(jīng)用來除去有機(jī)光刻膠（灰化）和有機(jī)物沾污，是替代濕法化學(xué)方法的一種綠色手段，是被人們十分關(guān)注的根本治理污染的技術(shù)。 ? 螯合劑用來結(jié)合并除去金屬離子，加入到清洗液中，能夠減少溶液中的金屬再淀積。 ? 典型的螯合劑如乙二胺四乙酸（ EDTA）。這類螯合劑通常通過配位鍵與溶液中的金屬離子達(dá)到非常穩(wěn)定的結(jié)合，以實(shí)現(xiàn)金屬與硅片表面的隔離。 ? 臭氧處理過的純水結(jié)合緊隨其后的 SC2清洗步驟能有效除去諸如銅（ Cu）和銀（ Ag）這類金屬，同時(shí)能去除有機(jī)物沾污。 原理：充分冷卻氣體（如氬氣 Ar），形成固態(tài)晶粒，噴射到硅片表面除去顆粒沾污 ? 原理：用高壓壓縮 CO2氣體，使之成一種介于液體和氣體之間的流體物質(zhì)， “ 超臨界 ” 狀態(tài)。這種流體與固體接觸時(shí)，不帶任何表面張力，因此能滲透到晶圓內(nèi)部最深的光刻位置，因而可以剝離更小的顆粒。 ? 此外，超臨界流體的粘度很低，可以清除掉晶圓表面的無用固體。采用超臨界流體清洗給組合元件圖案造成的損傷少并可以抑制對(duì) Si基板的侵蝕和不純物的消費(fèi)?？蓪?duì)注入離子的光敏抗腐蝕劑掩模用無氧工藝進(jìn)行剝離。
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