tz-2400硅片自動(dòng)裝片機(jī)介紹-資料下載頁(yè)
2025-06-26 00:06本頁(yè)面
【正文】 3 倒角：由于剛切下來(lái)的晶片外邊緣很鋒利，硅單晶又是脆性材料，為避免邊角崩裂影響晶片強(qiáng)度、破壞晶片表面光潔和對(duì)后工序帶來(lái)污染顆粒，必須用專用的設(shè)備自動(dòng)修整晶片邊緣形狀和外徑尺寸。相關(guān)設(shè)備 倒角機(jī) 4 拋光：利用拋光劑對(duì)研磨后的晶片進(jìn)行物理、化學(xué)的表面加工，以獲取無(wú)晶格損傷的高潔凈度、高平整度的鏡面晶片。相關(guān)設(shè)備 單/雙面拋光機(jī) 單/多頭拋光機(jī) 5 清洗：合理的清洗是保證硅片表面質(zhì)量的重要條件。在晶片制備過(guò)程中需要多次清洗，以去除殘留在晶片表面或邊緣的廢屑等。相關(guān)設(shè)備 清洗機(jī) 沖洗甩干機(jī) 6外延：在單晶襯底晶片上生長(zhǎng)一層具有與基片不同電子特性的薄硅層。相關(guān)設(shè)備外延爐7氧化：在高溫下，氧和水蒸氣跟硅表面起化學(xué)作用，形成薄博、均勻的硅氧化層。相關(guān)設(shè)備氧化爐8化學(xué)汽相淀積（CVD）：使一種或數(shù)種物質(zhì)的氣體以某種方式激活后，在襯底表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，并淀積所需固體薄膜。相關(guān)設(shè)備CVD設(shè)備 9濺射：正離子受強(qiáng)電場(chǎng)加速，形成高能量的離子流轟擊靶材，當(dāng)離子的動(dòng)能超過(guò)靶原子的結(jié)合能時(shí)，靶表面的原子就脫離表面，濺射到對(duì)面的陽(yáng)極上，淀積成薄膜。相關(guān)設(shè)備濺射臺(tái)10光刻：將掩模圖形轉(zhuǎn)印到涂有光刻膠的襯底晶片上。對(duì)準(zhǔn)和曝光是光刻工藝中最關(guān)鍵的工序。相關(guān)設(shè)備接觸/接近式曝光機(jī) 分步投影曝光機(jī)11刻蝕：活性氣體可使曝光區(qū)，在晶片表面建立幾何圖形。相關(guān)設(shè)備刻蝕機(jī)12離子注入：先使待摻雜的原子電離，再加速到一定能量使之“注入”到晶體中，經(jīng)過(guò)退火使雜質(zhì)激活，達(dá)到摻雜目的。相關(guān)設(shè)備離子注入機(jī)13探針測(cè)試：對(duì)晶圓上的每個(gè)電路進(jìn)行電性能測(cè)試及特性測(cè)試。相關(guān)設(shè)備探針測(cè)試臺(tái)14劃片：將具有集成電路管芯的圓片用金剛砂刃具、激光束等方法分割成單獨(dú)的管芯以便封裝。相關(guān)設(shè)備砂輪劃片機(jī)15粘片：把集成電路芯片用銀漿、銀玻璃、低溫焊料或共晶焊料裝配到塑料封裝的引線框架或陶瓷封裝外殼底座上。相關(guān)設(shè)備粘片機(jī)16引線鍵合：用金引線把集成電路管芯上的壓焊點(diǎn)與外殼或引線框架上的外引線內(nèi)引出端通過(guò)鍵合連接起來(lái)。相關(guān)設(shè)備引線鍵合機(jī)17封裝：密封組件用作機(jī)械和外界保護(hù)。為保證封裝質(zhì)量，管殼必須具有良好的氣密性、足夠的機(jī)械強(qiáng)度、良好的電氣性能和熱性能。相關(guān)設(shè)備塑封壓機(jī) 切筋打彎?rùn)C(jī) 打標(biāo)機(jī)18終測(cè)：又叫成品測(cè)試，目的是確保IC能滿足最低電氣規(guī)范化要求，并按不同要求分類，統(tǒng)計(jì)出分類結(jié)果和不同參數(shù)分布，供質(zhì)量和生產(chǎn)部門參考。相關(guān)設(shè)備數(shù)字集成電路測(cè)試系統(tǒng)19編帶：將IC成品經(jīng)自動(dòng)識(shí)別檢測(cè)，熱封覆蓋膜并編入凹?xì)ぽd帶。11 / 11
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