【正文】 量所通過(guò)的一個(gè)立體角內(nèi)的空間范圍。泄漏輻射和散射輻射不能構(gòu)成輻射束。 輻射野 radiation field 亦稱照射野。指與輻射束相交的平面內(nèi)，其中輻射強(qiáng)度超過(guò)某一比例或規(guī)定水平的區(qū)域。 放射治療模擬機(jī) radiotherapy simulator 利用X射線設(shè)備從物理上模擬治療用的輻射束，使得放射治療所施行的照射都能集中在治療體積內(nèi)，并能確定治療時(shí)照射野的位置和尺寸。 治療計(jì)劃系統(tǒng) treatment planning system（TPS） 現(xiàn)代放射治療中設(shè)計(jì)和計(jì)算劑量分布的重要的放射治療輔助設(shè)備。TPS使用專用的計(jì)算機(jī)，可將X射線CT或MRI上采集的患者身體截面圖，連同放射治療物理參數(shù)（如能量、照射野大小、照射距離、各種校正、楔形板、組織補(bǔ)償?shù)龋┮黄疠斎?，?jīng)處理后顯示出等劑量分布曲線，然后調(diào)整物理?xiàng)l件，直到獲得最優(yōu)化的劑量分布。 后裝技術(shù) afterloading technique 用手動(dòng)或遙控的傳動(dòng)方式將一個(gè)或多個(gè)密封放射源從儲(chǔ)源器傳送到預(yù)先定好位置的施源器后進(jìn)行腔內(nèi)治療的技術(shù)。 儲(chǔ)源器 source carrier 可容納一個(gè)或多個(gè)放射源的容器，當(dāng)這些源不用時(shí)它可提供電離輻射的防護(hù)。 載源器 source carrier 放射治療設(shè)備中位于輻射頭上固定密封輻射源的部件。 施源器 source applicator 近距離放射治療設(shè)備中將一個(gè)或多個(gè)放射源送入預(yù)定位置的部件，也可帶有防護(hù)屏蔽。 通道 channel 遙控后裝設(shè)備中，專供密封放射源或其組件在其中運(yùn)動(dòng)的管道 醫(yī)用電子加速器 medical electron accelerator 用于放射治療的電子加速器。其有用射束是由加速的電子束組成或由加速的電子束產(chǎn)生的高能X射線。 聯(lián)鎖 interlock 在某些預(yù)定的條件未得到滿足時(shí)，防止設(shè)備啟動(dòng)或持續(xù)運(yùn)行的一種保護(hù)裝置。 定時(shí)開(kāi)關(guān) time switch 預(yù)置照射時(shí)間的一種裝置。當(dāng)照射到達(dá)預(yù)置時(shí)間時(shí)給出停止照射的信號(hào)并終止照射。 初級(jí)準(zhǔn)直器 primary collimator 對(duì)從源射出的輻射束進(jìn)行第一次準(zhǔn)直的裝置。 劑量監(jiān)測(cè)系統(tǒng) dose monitoring system 測(cè)量和顯示直接與吸收劑量有關(guān)的輻射量的裝置系統(tǒng)，它可以具有當(dāng)?shù)竭_(dá)預(yù)選值時(shí)終止輻射照射的功能。 主次劑量監(jiān)測(cè)系統(tǒng) primarysecondary dose monitoring system 一種兩道劑量監(jiān)測(cè)系統(tǒng)的組合，在這種組合中，一道作為主劑量監(jiān)測(cè)系統(tǒng)，另一道作為次級(jí)劑量監(jiān)測(cè)系統(tǒng)。 終止照射 to terminate irradiation。 termination of irradiation 當(dāng)劑量監(jiān)測(cè)達(dá)到預(yù)選值時(shí)，或者照射時(shí)間到達(dá)預(yù)選值時(shí)，或者有意的人為操作時(shí)，或者由于聯(lián)鎖的作用，或者旋轉(zhuǎn)治療中由于機(jī)架角位到達(dá)預(yù)選值時(shí)，設(shè)備停止照射的一種狀態(tài)，如果不重新選擇所有的運(yùn)行條件，照射不可能重新開(kāi)始。 中斷照射 to interrupt irradiation。 interruption of irradiation 設(shè)備停止運(yùn)行和照射的一種狀態(tài)，但無(wú)需重新選擇工作條件就可以繼續(xù)運(yùn)行進(jìn)行照射。 模擬燈 field defining lamp 提供光束用于射到人體表面以模擬實(shí)際照射野的光源。 過(guò)濾器 filter 放射治療設(shè)備中用來(lái)對(duì)有用射束進(jìn)行預(yù)期過(guò)濾的材料或裝置。 補(bǔ)償過(guò)濾器 pensating filter 能根據(jù)受照患者具體特點(diǎn)酌情改變劑量分布的過(guò)濾器。 楔形過(guò)濾器 wedge filter 能把有用射束的全部或一部分連續(xù)衰減的附加過(guò)濾器。 均整度 flatteness 量度某一規(guī)定照射野內(nèi)各點(diǎn)吸收劑量率是否均勻的性能指標(biāo)。 半影 penumbra 在照射野邊緣附近20%至80%等劑量線之間的距離。 半影調(diào)節(jié)器 penumbra trimmer 用來(lái)減少半影的寬度，且平行于主準(zhǔn)直器邊緣的限束裝置。 散射箔 scattering foil 為了加寬電子束的寬度而使用的金屬箔片，它使得垂直輻射束軸平面的劑量分布變得更加均勻。 射野擋塊 shield block 阻擋有用射束的防護(hù)塊，可用于調(diào)整形成任意形狀的照射野。 影子盤(pán) shadow tray 射野擋塊托架，可固定射野擋塊以形成任意形狀照射野的裝置。 輻射束軸 radiation beam axis 對(duì)于一個(gè)對(duì)稱輻射束，通過(guò)輻射源中心以及限束裝置兩對(duì)有效邊緣中分線交點(diǎn)的直線。一般輻射束軸在所要求的容差范圍內(nèi)與輻射源參考（基準(zhǔn)）軸重合。 基準(zhǔn)深度 base depth 體模內(nèi)包含輻射束軸上最大吸收劑量90%點(diǎn)的平面所在的深度。 劑量建成 dose buildup 吸收劑量隨深度增加而增加，到某一深度達(dá)到最大峰值的現(xiàn)象。 建成因子 buildup factor 在高能X射線或γ射線束中，表面吸收劑量與峰值吸收劑量的比值。 深度劑量 depth dose 在輻射束軸上，被照射物體表面下某一特定深度處的吸收劑量。 深度劑量曲線 depth dose chart 在源表距和輻射野面積一定時(shí)，輻射束軸上的吸收劑量隨深度而變化的關(guān)系曲線。 等劑量曲線 isodose chart 放射治療中，體模內(nèi)指定平面上，百分吸收劑量相等的點(diǎn)的連線。 品質(zhì)指數(shù) quality index 對(duì)10cm10cm的X射線輻射野，輻射探測(cè)器位于正常治療距離處，在體模內(nèi)沿輻射束軸于20cm深度處和10cm深度處所測(cè)量的吸收劑量之比值。 實(shí)際射程 practical range 對(duì)電子束輻射，體模表面位于正常治療距離，輻射束軸上吸收劑量分布下降最陡段（斜率最大處）切線的外推與深度吸收劑量分布曲線末端的外推線相交點(diǎn)處所對(duì)應(yīng)的深度。 參考平面 reference plane 在吸收劑量最大值處或與輻射類型相對(duì)應(yīng)的某一特定深度下垂直輻射束軸且平行于體模表面的平面。 參考點(diǎn) reference point 參考平面與輻射束軸相交處的點(diǎn)。 相對(duì)表面劑量 relative surface dose 體模表面處于一特定距離時(shí)。 源軸距 sourceaxis distance（SAD） 沿著輻射束軸測(cè)量的輻射源與機(jī)架旋轉(zhuǎn)軸之間的距離。 源表距 sourcesurfaced distance（SSD） 沿著輻射束軸測(cè)量的輻射源與受照體表之間的距離。 感生放射性 induced radioactivity 由輻射照射而產(chǎn)生的放射性。 中子污染 neutron contamination 用X射線或電子束進(jìn)行放射治療時(shí)，由于中子引起的吸收劑量增加的現(xiàn)象。 電子污染 electron contamination 用X射線進(jìn)行放射治療時(shí)，由于各種因素產(chǎn)生的電子輻射而引起的吸收劑量增加的現(xiàn)象。 X射線污染 Xray contamination MU=Monitor Unit,加速器機(jī)頭內(nèi)的監(jiān)測(cè)電離室的計(jì)數(shù)單位，是衡量出束多少的一個(gè)指示標(biāo)準(zhǔn)。剛出場(chǎng)的加速器，在出束時(shí)，其監(jiān)測(cè)電離室產(chǎn)生一個(gè)計(jì)數(shù)單位在體模中對(duì)應(yīng)的吸收劑量是多少cGy，我們是不知道的，因此必須經(jīng)過(guò)刻度及校正。 臨床通常在SSD條件下刻度在該能量的最大劑量點(diǎn)，即經(jīng)過(guò)刻度及校準(zhǔn)后的加速器，其監(jiān)測(cè)電離室跳過(guò)1MU后，在SSD下標(biāo)稱射野的最大劑量點(diǎn)沉積的劑量剛好為1cGy。 所有能影響加速器射線束能譜分布的電路或機(jī)械方面的因素都可能會(huì)影響MU，使得監(jiān)測(cè)電離室產(chǎn)成1MU的積分?jǐn)?shù)不等于1cGy。所以應(yīng)定期對(duì)此進(jìn)行校準(zhǔn)