3晶體理論簡述-資料下載頁
2025-08-04 08:29本頁面
【正文】 為組成缺陷，是由外加雜質(zhì)的引入所產(chǎn)生的缺陷。 特征 :如果雜質(zhì)的含量在固溶體的溶解度范圍內(nèi)，則雜質(zhì)缺陷的濃度與溫度無關(guān)。 （ 3）非化學(xué)計量缺陷 定義 :指組成上偏離化學(xué)中的定比定律所形成的缺陷。它是由基質(zhì)晶體與介質(zhì)中的某些組分發(fā)生交換而產(chǎn)生。 特點 :其化學(xué)組成隨周圍 氣氛的性質(zhì) 及其 分壓大小 而變化。 （ 4）其它缺陷，如電荷缺陷，輻照缺陷等 三、晶體生長理論簡介 從宏觀角度看，晶體生長過程是晶體 環(huán)境相 (蒸氣、溶液、熔體 )界面向環(huán)境相中不斷推移的過程，也就是由包含組成晶體單元的母相從低秩序相向高度有序晶相的轉(zhuǎn)變 。 從微觀角度來看，晶體生長過程可以看作一個 “ 基元 ” 過程，所謂 “ 基元 ” 是指結(jié)晶過程中最基本的結(jié)構(gòu)單元，也叫成核。從廣義上說， “ 基元 ” 可以是原子、分子、也可以是具有一定幾何構(gòu)型的原子 (分子 )聚集體 。所謂的 “ 基元 ” 過程包括以下主要步驟 ： ? (1) 基元的形成：在一定的生長條件下，環(huán)境相中物質(zhì)相互作用，動態(tài)地形成不同結(jié)構(gòu)形式的基元，這些基元不停地運動并相互轉(zhuǎn)化，隨時產(chǎn)生或消失。 ? (2) 基元在生長界面的吸附：由于對流，熱力學(xué)無規(guī)則運動或原子間吸引力，基元運動到界面上并被吸附。 ? (3) 基元在界面的運動：基元由于熱力學(xué)的驅(qū)動，在界面上遷移運動。 ? (4) 基元在界面上結(jié)晶或脫附：在界面上依附的基元，經(jīng)過一定的運動，可能在界面某一適當?shù)奈恢媒Y(jié)晶并長入固相，或者脫附而重新回到環(huán)境相中。 均勻成核： 在體系內(nèi)任何部位成核率是相等的。 非均勻成核： 在體系的某些部位（雜質(zhì)、容器壁）的成核率高于另一些部位。 一旦晶核形成后，就形成了固－液界面，在界面上就要進行生長，即組成晶體的原子、離子要按照晶體結(jié)構(gòu)的排列方式堆積起來形成晶體。 螺旋生長理論模型 最佳生長位置是三面凹角位，其次是兩面凹角位，最不容易生長的位置是平坦面。
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