3晶體理論簡(jiǎn)述-資料下載頁(yè)
2025-08-04 08:29本頁(yè)面
【正文】 為組成缺陷，是由外加雜質(zhì)的引入所產(chǎn)生的缺陷。 特征 :如果雜質(zhì)的含量在固溶體的溶解度范圍內(nèi)，則雜質(zhì)缺陷的濃度與溫度無(wú)關(guān)。 （ 3）非化學(xué)計(jì)量缺陷 定義 :指組成上偏離化學(xué)中的定比定律所形成的缺陷。它是由基質(zhì)晶體與介質(zhì)中的某些組分發(fā)生交換而產(chǎn)生。 特點(diǎn) :其化學(xué)組成隨周圍 氣氛的性質(zhì) 及其 分壓大小 而變化。 （ 4）其它缺陷，如電荷缺陷，輻照缺陷等 三、晶體生長(zhǎng)理論簡(jiǎn)介 從宏觀角度看，晶體生長(zhǎng)過(guò)程是晶體 環(huán)境相 (蒸氣、溶液、熔體 )界面向環(huán)境相中不斷推移的過(guò)程，也就是由包含組成晶體單元的母相從低秩序相向高度有序晶相的轉(zhuǎn)變 。 從微觀角度來(lái)看，晶體生長(zhǎng)過(guò)程可以看作一個(gè) “ 基元 ” 過(guò)程，所謂 “ 基元 ” 是指結(jié)晶過(guò)程中最基本的結(jié)構(gòu)單元，也叫成核。從廣義上說(shuō)， “ 基元 ” 可以是原子、分子、也可以是具有一定幾何構(gòu)型的原子 (分子 )聚集體 。所謂的 “ 基元 ” 過(guò)程包括以下主要步驟 ： ? (1) 基元的形成：在一定的生長(zhǎng)條件下，環(huán)境相中物質(zhì)相互作用，動(dòng)態(tài)地形成不同結(jié)構(gòu)形式的基元，這些基元不停地運(yùn)動(dòng)并相互轉(zhuǎn)化，隨時(shí)產(chǎn)生或消失。 ? (2) 基元在生長(zhǎng)界面的吸附：由于對(duì)流，熱力學(xué)無(wú)規(guī)則運(yùn)動(dòng)或原子間吸引力，基元運(yùn)動(dòng)到界面上并被吸附。 ? (3) 基元在界面的運(yùn)動(dòng)：基元由于熱力學(xué)的驅(qū)動(dòng)，在界面上遷移運(yùn)動(dòng)。 ? (4) 基元在界面上結(jié)晶或脫附：在界面上依附的基元，經(jīng)過(guò)一定的運(yùn)動(dòng)，可能在界面某一適當(dāng)?shù)奈恢媒Y(jié)晶并長(zhǎng)入固相，或者脫附而重新回到環(huán)境相中。 均勻成核： 在體系內(nèi)任何部位成核率是相等的。 非均勻成核： 在體系的某些部位（雜質(zhì)、容器壁）的成核率高于另一些部位。 一旦晶核形成后，就形成了固－液界面，在界面上就要進(jìn)行生長(zhǎng)，即組成晶體的原子、離子要按照晶體結(jié)構(gòu)的排列方式堆積起來(lái)形成晶體。 螺旋生長(zhǎng)理論模型 最佳生長(zhǎng)位置是三面凹角位，其次是兩面凹角位，最不容易生長(zhǎng)的位置是平坦面。
環(huán)評(píng)公示相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1