3晶體理論簡述(編輯修改稿)
2024-08-31 08:29 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 A B C D E F G H （ 3）晶向指數(shù)是按以下幾個步驟確定的： 1．以晶胞的某一陣點為原點，三個基矢為坐標軸，并以點陣基矢的長度作為三個坐標的單位長度； 2．過原點作一直線 OP，使其平行于待標定的晶向 AB，這一直線必定會通過某些陣點； 3．在直線 OP上選取距原點 O最近 的一個陣點 P，確定 P點的坐標值； 4．將此坐標值乘以最小公倍數(shù) 化為最小整數(shù) h、 k、 l，加上 方括號， [hkl] 即為 AB晶向的 晶向指數(shù)。 如果 h、 k、 l中某一數(shù)為負值， 則將負號標注在該數(shù)的上方。 在立方晶系中，具有相同指數(shù)的晶向和晶面必定是相垂直的，即 [hkl] 垂直于（ hkl）。例如： [100] 垂直于（ 100）， [110] 垂直于（ 110）， [111] 垂直于（ 111）等等。但是，此關系不適用于其它晶系。 (1) 離子晶體 (2) 原子晶體 (5) 混合型晶體 (3) 分子晶體 (4) 金屬晶體 硅的晶體結構： 面心立方型的金剛石結構 每個原子最鄰近的四個鍵合原子，是位于該原子為中心的正四面體角落上。 硅單晶（ 100）方向的球極平面投影圖 晶體缺陷： 晶體中某些區(qū)域粒子的排列不象理想晶體那樣規(guī)則和完整，這種偏離完整性的區(qū)域，或者說晶體中一切偏離理想的晶格結構稱做晶體缺陷。 二、晶體缺陷 １、按照缺陷的形成和結構分類： 本征缺陷 (固有缺陷 )： 指不是由外來雜質原子形成，而是由于晶體結構本身偏離晶格結構造成的缺陷。 雜質缺陷： 指雜質原子進入基質晶體中所形成的缺陷。 按照缺陷的幾何特征分類： 點缺陷、線缺陷、面缺陷、體缺陷。 （１）點缺陷： 晶格結點粒子發(fā)生局部錯亂的現(xiàn)象。 按引起點缺陷的粒子不同，可分為： 錯位粒子、間隙粒子、替位粒子和空位。 點缺陷
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