41-mos場效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)工作原理和輸出特性-資料下載頁
2025-07-26 05:31本頁面
【正文】 低頻跨導(dǎo)反映了柵壓對漏極電流的控制作用， 這一點(diǎn)與電子管的控制作用相似。 gm可以在轉(zhuǎn) 移特性曲線上求取，單位是 mS(毫西門子 )。 ⑥ 最大漏極功耗 PDM 最大漏極功耗可由 PDM= VDS ID決定，與雙極型 三極管的 PCM相當(dāng)。 (2)場效應(yīng)三極管的型號 場效應(yīng)三極管的型號 , 現(xiàn)行有兩種命名方法。其一是與雙極型三極管相同，第三位字母 J代表結(jié)型場效應(yīng)管， O代表絕緣柵場效應(yīng)管。第二位字母代表材料， D是 P型硅，反型層是 N溝道； C是 N型硅 P溝道。例如 , 3DJ6D是結(jié)型 N溝道場效應(yīng)三極管， 3DO6C是絕緣柵型 N溝道場效應(yīng)三管。 第二種命名方法是 CS ， CS代表場效應(yīng)管，以數(shù)字代表型號的序號， 用字母代表同一型號中的不同規(guī)格。例如 CS14A、 CS45G等。 幾種常用的場效應(yīng)三極管的主要參數(shù)見下表。 表 2 場效應(yīng)三極管的參數(shù) 參 數(shù)型號PD M m W ID S S m A VRDS VVRGS V VP V gmm A/ V fM M H z3D J 2D 10 0 0. 35 20 20 4 ≥ 2 30 03D J 7E 10 0 1. 2 20 20 4 ≥ 3 903D J 15 H 10 0 6 ～ 11 20 20 5. 5 ≥ 83DO2E 10 0 0. 35 ～ 1. 2 12 25 10 00C S 1 1C 10 0 0. 3 ～ 1 25 4 ≥ 2 2022/8/23 國家標(biāo)準(zhǔn)對半導(dǎo)體三極管的命名如下 : 3 D G 110 B 第二位： A鍺 PNP管、 B鍺 NPN管、 C硅 PNP管、 D硅 NPN管 第三位： X低頻小功率管、 D低頻大功率管、 G高頻小功率管、 A高頻大功率管、 K開關(guān)管 用字母表示材料 用字母表示器件的種類 用數(shù)字表示同種器件型號的序號 用字母表示同一型號中的不同規(guī)格 三極管 2022/8/23 表 雙極型三極管的參數(shù) 參 數(shù) 型 號 P C M mW I C M mA VR CBO V VR CEO V VR EBO V I C BO μ A f T MHz 3AX31D 125 125 20 12 ≤ 6 *≥ 8 3BX31C 125 125 40 24 ≤ 6 *≥ 8 3CG101C 100 30 45 100 3DG123C 500 50 40 30 3DD101D 5A 5A 300 250 4 ≤ 2mA 3DK100B 100 30 25 15 ≤ 300 3DKG23 250W 30A 400 325 8 注： *為 f? 半導(dǎo)體三極管圖片 半導(dǎo)體三極管圖片
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