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2025-06-30 09:49本頁面
【正文】 電介常數（Dielectric Constant）越大， 越容易帶靜電。 Triboelectric Table當材料的表面電阻大于109 ohms/square時， 較容易帶靜電.0 ohms/square~106 ohms/square 導體106 ohms/square~109 ohms/square 非靜電材質109 ohms/square~ ∞ 易引起靜電材質 防靜電材料之表面電阻值導電PE FOAM104~106 ohms/square抗靜電袋108~1012 ohms/square抗靜電材質10~108 ohmscm2. 空氣中的相對濕度越低， 物體越容易帶靜電ESD的參數特性1. 電容ESD的基本關系式 ： V=Q/CQ為物體所帶的靜電量， 當Q固定時， 帶靜電物體的電容越低， 所釋放的ESD電壓越高。 通常女人的電容比男人高， 一般人體的電容介于80pfd~500pfd之間.2. 電壓ESD所釋放的電壓， 時造成IC組件故障的主要原因之一。 人體通常因摩擦所造成的靜電放電電壓介于10~15kV, 所能產生的ESD電壓最高不超過35~40kV的上限。 人體所能感應的ESD電壓下限為3~4kV3. 能量W=1/2 *CV2典型的ESD能量約在17 milijoules, 即當C=150 pfd, V=15kV時W=1/2 * 150 *1012 * (15 * 103)2 =17 * 103 joules (焦耳)4. 極性物體所帶的靜電有正負之分， 當某極性促使該組件趨向Reverse Bias時， 則該組件較易被破壞.5. RISE TIME ( tr )RISE TIMEESD起始脈沖(PULSE)10%到90%ESD電流的尖峰值所須的時間.Duration ESD起始脈沖50%到落下脈沖50%之間所經過的的時間使用尖銳的工具放電， 產生的ESD Rise time最短， 而電流最大.ESD產生可分為五個階段進行:1. 先期電暈放電（Corona Discharge） , 產生RF輻射波.2. 先期電場放電（Prediscahrge EField）3. 電場放電崩潰（Collapse）4. 磁場放電(Discharge HField)5. 電流釋出， 并產生瞬時電壓（Transient Voltage）82 電子裝備之ESD問題1. 直接放電到電子組件由電壓導致的破壞(1) 以MOS（Metal Oxide Semiconductar）DEVICE為主(2) 當ESD電壓超過氧化層（如SiO2）的Breakdown Voltage時， 即造成組件破壞.(3) 由電場引起 由電流導致的破壞(1) 以BIPOLAR ( Schottky , TTL) DEVICE 為主(2) 當ESD電流達到2~5A時， 因焦耳效應產生的高熱（I2t）, 將IC JUNCTION燒壞.(3) 由磁場引起2. 直接放電到電子設備外殼當帶靜電的人體接觸電子裝備的金屬外殼時， 若該裝備有接地， 則ESD電流會直接流至地線， 否則有可能流經電子組件再流至GROUND, 造成組件的破壞。由于ESD電流是經由阻抗最低的路徑向地傳， 若是接地線的動態(tài)阻抗比箱體到地面/桌面的阻抗低， 則可能有箱體傳至地面， 此時可能對電子線路造成輻射干擾.3. 間接放電間接放電是指帶靜電體不是直接放電到所接觸的設備部門， 而是放電到臨近的金屬件， 使ESD PILSE造成電磁場輻射影響電子組件.83 ESD 防護設計1. 組件層次(Component Level)2. 電路板層次(PCB Level)3. CABLING 層次4. 箱體層次（Housing Level）其中1，2項和機構設計無關1. cabling層次對于箱體內部的Flat Cable和Power Cable, 要注意1. 避免使用過長的Cable.2. 為了防止感應ESD Noise, 必須避免讓Cable 太靠近外殼的接縫處.3. 避免使cable與金屬外殼內面接觸， 以免當外殼承受ESD時， 對Cable造成干擾.4. 對Cable 做屏蔽（Shielding）處理2. 箱體層次最應該注意的是外殼的屏蔽（Shielding）和接地(Grounding). 在Shielding方面， ESD和EMI的要求完全相同， ESD必須注意的是：1. 凡是可從外部接觸到的金屬件（如Switch），都必須與外殼相連， 不可Floating, 以避免：(1) 使ESD電流流經PCB.(2) 因電荷飽和產生二次放電或輻射干擾。， 以免ESD對內部造成輻射干擾.3. 在塑料外殼的縫隙設計上， 應盡量拉長縫隙長度， 以免ESD放電或造成ESD輻射4.14 / 1
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