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畢業(yè)設(shè)計(jì)紅外線避障小車(chē)的設(shè)計(jì)-資料下載頁(yè)

2025-06-29 14:20本頁(yè)面
  

【正文】 //左轉(zhuǎn)彎 SB1=1。 //小車(chē)不響鈴 ControlCar(1)。 //小車(chē)前進(jìn) RunFlag=!RunFlag。 //改變小車(chē)運(yùn)行狀態(tài)位 }}}附 錄B電容有正負(fù)極之分,長(zhǎng)正短負(fù);二極管有正負(fù)極之分,長(zhǎng)正短負(fù);話筒有正負(fù)之分,負(fù)極與外殼相連;蜂鳴器有正負(fù)之分,長(zhǎng)正短負(fù);三極管按照電路板封裝焊接;集成電路即芯片,安裝時(shí)要注意缺口對(duì)應(yīng)(缺口對(duì)應(yīng)位置和封裝對(duì)應(yīng)位置要一致)。(缺口在芯片或芯片底座的一端)數(shù)碼管焊接時(shí)注意數(shù)碼管上的小數(shù)點(diǎn)要與電路板封裝上的小數(shù)點(diǎn)對(duì)應(yīng)。強(qiáng)烈推薦電池采用南孚電池或其他高性能電池。附 錄CAT89S51 (8位微控制單片機(jī),片內(nèi)含4K bytes可系統(tǒng)編程的存儲(chǔ)器)AT89S51是美國(guó)ATMEL公司生產(chǎn)的低功耗,高性能CMOS 8位單片機(jī),片內(nèi)含4k bytes的可系統(tǒng)編程的Flash只讀程序存儲(chǔ)器,器件采用ATMEL公司的高密度、非易失性存儲(chǔ)技術(shù)生產(chǎn),兼容標(biāo)準(zhǔn)8051指令系統(tǒng)及引腳。它集Flash程序存儲(chǔ)器既可在線編程(ISP)也可用傳統(tǒng)方法進(jìn)行編程及通用8位微處理器于單片芯片中,ATMEL公司的功能強(qiáng)大,低價(jià)位AT89S51單片機(jī)可為您提供許多高性價(jià)比的應(yīng)用場(chǎng)介,可靈活應(yīng)用于各種控制領(lǐng)域。(1)主要性能參數(shù):?與MCS51 產(chǎn)品指令系統(tǒng)完全兼:容?4k字節(jié)在線系統(tǒng)編程(ISP) Flash閃速存儲(chǔ)器?1000次擦寫(xiě)周期?4. 05. 5V的工作電壓范圍?全靜態(tài)工作模式:0Hz33MHz?三級(jí)程序加密鎖?1288字節(jié)內(nèi)部RAM?32個(gè)可編程I/O口線?2個(gè)16位定時(shí)/計(jì)數(shù)器?6個(gè)中斷源?全雙工串行UART通道?低功耗空閑和掉電模式?中斷可從空閑模式喚醒系統(tǒng)?看門(mén)狗(WDT)及雙數(shù)據(jù)指針?掉電標(biāo)識(shí)和快速編程特性?靈活的在線系統(tǒng)編程(ISP一字節(jié)或頁(yè)寫(xiě)模式)(2)功能特性概述:AT89S51提供以下標(biāo)準(zhǔn)功能:4k字節(jié)Flash閃速存儲(chǔ)器,128字節(jié)內(nèi)部RAM, 32個(gè)I/O口線,看門(mén)狗(WDT),兩個(gè)數(shù)據(jù)指針,兩個(gè)16位定時(shí)/計(jì)數(shù)器,一個(gè)5向量?jī)杉?jí)中斷結(jié)構(gòu),一個(gè)全雙工串行通信口,片內(nèi)振蕩器及時(shí)鐘電路。同時(shí),AT89S51可降至0Hz的靜態(tài)邏輯操作,并支持兩種軟件可選的節(jié)電工作模式??臻e方式停止CPU的工作,但允許RAM,定時(shí)/計(jì)數(shù)器,串行通信口及中斷系統(tǒng)繼續(xù)工作。掉電方式保存RAM中的內(nèi)容,但振蕩器停止工作并禁止其它所有部件工作直到下一個(gè)硬件復(fù)位。(3)引腳功能說(shuō)明:?Vcc: 電源電壓?GND:地?P0口:P0口是一組8位漏極開(kāi)路型雙向I/O口,也即地址/數(shù)據(jù)總線復(fù)用口。作為輸出口用時(shí),每位能驅(qū)動(dòng)8個(gè)TTL邏輯門(mén)電路,對(duì)端口寫(xiě)‘1’可作為高阻抗輸入端用。在訪問(wèn)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器或程序存儲(chǔ)器時(shí),這組口線分時(shí)轉(zhuǎn)換地址(低8位)和數(shù)據(jù)總線復(fù)用,在訪問(wèn)期間激活內(nèi)部上拉電阻。在Flash編程時(shí),P0 口接收指令字節(jié),而在程序校驗(yàn)時(shí),輸出指令字節(jié),校驗(yàn)時(shí),要求外接上拉電阻。?P1口:P1是一個(gè)帶內(nèi)部上拉電阻的8位雙向I/O口,P1的輸出緩沖級(jí)可驅(qū)動(dòng)(吸收或輸出電流)4個(gè)TTL邏輯門(mén)電路。對(duì)端口寫(xiě)‘1’,通過(guò)內(nèi)部的上拉電阻把端口拉到高電平,此時(shí)可作輸入口。作輸入口使用時(shí),囚為內(nèi)部存在上拉電阻,某個(gè)引腳被外部信號(hào)拉低時(shí)會(huì)輸出一個(gè)電流(In)。Flash編程和程序校驗(yàn)期間 P 1接收低8位地址。?P2口:P2是一個(gè)帶有內(nèi)部上拉電阻的8位雙向I/O口,P2的輸出緩沖級(jí)可驅(qū)動(dòng)(吸收或輸出電流)4個(gè)TTL邏輯門(mén)電路。對(duì)端口寫(xiě)‘1’,通過(guò)內(nèi)部的上拉電阻把端口拉到高電平,此時(shí)可作輸入口,作輸入口使用時(shí),囚為內(nèi)部存在上拉電阻,某個(gè)引腳被外部信號(hào)拉低時(shí)會(huì)輸出一個(gè)電流(In)。在訪問(wèn)外部程序存儲(chǔ)器或16位地址的外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器(例如執(zhí)行MOVX @DPTR指令)時(shí),P2口送出高 8位地址數(shù)據(jù)。在訪問(wèn)8位地址的外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器(如執(zhí)行MOVX @Ri指令)時(shí),P2口線卜的內(nèi)容(也即特殊功能寄存器(SFR)區(qū)中P2寄存器的內(nèi)容),在整個(gè)訪問(wèn)期間不改變。 Flash編程或校驗(yàn)時(shí),P2亦接收高位地址和其它控制信號(hào)。?P3口:P3口是一組帶有內(nèi)部上拉電阻的8位雙向I/O口。P3口輸出緩沖級(jí)可驅(qū)動(dòng)(吸收或輸出電流)4個(gè)TTL邏輯門(mén)電路。對(duì)P3 口寫(xiě)入“1”時(shí),它們被內(nèi)部上拉電阻拉高并可作為輸入端口。作輸入端時(shí),被外部拉低的P3 口將用上拉電阻輸出電流(In)。 P3口除了作為一般的I/O口線外,更重要的用途是它的第二功能。P3 口還接收一些用于Flash閃速存儲(chǔ)器編程和程序校驗(yàn)的控制信號(hào)。?RST:復(fù)位輸入。當(dāng)振蕩器工作時(shí),RST引腳出現(xiàn)兩個(gè)機(jī)器周期以上高電平將使單片機(jī)復(fù)位。WDT溢出將使該引腳輸出高電平,設(shè)置SFR AUXR 的DISRTO位(地址8EH)可打開(kāi)或關(guān)閉該功能。DISRTO位缺省為RESET輸出高電平打開(kāi)狀態(tài)。?ALE/PROG:當(dāng)訪問(wèn)外部程序存儲(chǔ)器或數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí),ALE(地址鎖存允許)輸出脈沖用于鎖存地址的低8位字節(jié)。即使不訪問(wèn)外部存儲(chǔ)器,ALE仍以時(shí)鐘振蕩頻率的1/6輸出固定的正脈沖信號(hào),囚此它可對(duì)外輸出時(shí)鐘或用于定時(shí)目的。要注意的是:每當(dāng)訪問(wèn)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí)將跳過(guò)一個(gè)ALE脈沖。對(duì)Flash存儲(chǔ)器編程期間,該引腳還用于輸入編程脈沖(PROG)。如有必要,可通過(guò)對(duì)特殊功能寄存器(SFR)區(qū)中的8EH單元的D0位置位,可禁正ALE操作。該位置位后,只有一條MOVX和MOVC指令A(yù)LE才會(huì)被激活。此外,該引腳會(huì)被微弱拉高,單片機(jī)執(zhí)行外部程序時(shí),應(yīng)設(shè)置ALE無(wú)效。?PSEN:程序儲(chǔ)存允許(PSEN)輸出是外部程序存儲(chǔ)器的讀選通信號(hào),當(dāng)AT89S51由外部程序存儲(chǔ)器取指令(或數(shù)據(jù))時(shí),每個(gè)機(jī)器周期兩次PSEN有效,即輸出兩個(gè)脈沖。當(dāng)訪問(wèn)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器,沒(méi)有兩次有效的PSEN信號(hào)。?EA/VPP:外部訪問(wèn)允許。欲使CPU僅訪問(wèn)外部程序存儲(chǔ)器(地址為0000HFFFFH), EA端必須保持低電平(接地)。需注意的是:如果加密位LB1被編程,復(fù)位時(shí)內(nèi)部會(huì)鎖存EA端狀態(tài)。如EA端為高電平(接Vcc端),CPU則執(zhí)行內(nèi)部程序存儲(chǔ)器中的指令。Flash存儲(chǔ)器編程時(shí),該引腳加上+12 V的編程電壓Vpp。?XTAL 1:振蕩器反相放大器及內(nèi)部時(shí)鐘發(fā)生器的輸入端。?XTAL2:振蕩器反相放大器的輸出端。?特殊功能寄存器:特殊功能寄存器的于片內(nèi)的空間分布的這些地址并沒(méi)有全部占用,沒(méi)有占用的地址亦不可使用,讀這些地址將得到一個(gè)隨意的數(shù)值。而寫(xiě)這些地址單元將不能得到預(yù)期的結(jié)果。?中斷寄存器:各中斷允許控制位于IE寄存器,5個(gè)中斷源的中斷優(yōu)先級(jí)控制位于IP寄存器。?雙時(shí)鐘指針寄存器:為更方便地訪問(wèn)內(nèi)部和外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器,提供了兩個(gè)16位數(shù)據(jù)指針寄存器:DP0位于SFR(特殊功能寄存器)區(qū)塊中的地址82H, 83H和DP1位于地址84H, 85H,當(dāng)SFR中的位DPS=0選擇DP0,而DPS=1則選擇DP1。用戶應(yīng)在訪問(wèn)相應(yīng)的數(shù)據(jù)指針寄存器前初始化DPS位。?電源空閑標(biāo)志:電源空閑標(biāo)志(POF)在特殊功能寄存器SFR中PCON的第4位(},電源打開(kāi)時(shí)POF置‘1’,它可由軟件設(shè)置睡眠狀態(tài)并不為復(fù)位所影響。?程序存儲(chǔ)器:如果EA引腳接地(GND),全部程序均執(zhí)行外部存儲(chǔ)器。在AT89S51,假如EA接至Vcc(電源+),程序首先執(zhí)行地址從0000HOFFFH (4KB)內(nèi)部程序存儲(chǔ)器,而執(zhí)行地址為1000HFFFFH (60KB)的外部程序存儲(chǔ)器。?數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器:AT89S51的具有128字節(jié)的內(nèi)部RAM,這128字節(jié)可利用直接或間接尋址方式訪問(wèn),堆棧操作可利用間接尋址方式進(jìn)行,128字節(jié)均可設(shè)置為堆棧區(qū)空間。?看門(mén)狗定時(shí)器(WDT):WDT是為了解決CPU程序運(yùn)行時(shí)可能進(jìn)入混亂或死循環(huán)而設(shè)置,它由一個(gè)14bit計(jì)數(shù)器和看門(mén)狗復(fù)位SFR (WDTRST)構(gòu)成。外部復(fù)位時(shí),WDT默認(rèn)為關(guān)閉狀態(tài),要打開(kāi)WDT,用戶必須按順序?qū)?1EH和0E1H寫(xiě)到WDTRST寄存器(SFR地址為OA6H},當(dāng)啟動(dòng)了WDT,它會(huì)隨晶體振蕩器在每個(gè)機(jī)器周期計(jì)數(shù),除硬件復(fù)位或WDT溢出復(fù)位外沒(méi)有其它方法關(guān)閉WDT,當(dāng)WDT溢出,將使RSF引腳輸出高電平的復(fù)位脈沖。?定時(shí)器0和定時(shí)器1:定時(shí)器0和1都是一個(gè)16位定時(shí)/計(jì)數(shù)器。參考文獻(xiàn)[1]陳伯時(shí),電力拖動(dòng)自動(dòng)控制系統(tǒng)。北京:機(jī)械工業(yè)出版社[2]馮先成 ,單片機(jī)應(yīng)用系統(tǒng)設(shè)計(jì)。北京:航天航空大學(xué)出版社[3]何希才,新型實(shí)用電子電路400例。電子工業(yè)出版社 [4]李念強(qiáng),王玉泰,張魯,張羽,單片機(jī)原理及應(yīng)用。機(jī)械工業(yè)出版社[5]趙負(fù)圖,傳感器集成電路手冊(cè),第一版,化學(xué)工業(yè)出版社[6]康化光,電子技術(shù)基礎(chǔ),北京:出等教育出版社。 [7]劉雨棣、杜偉略 單片機(jī)微型接口技術(shù),北京:西安電子科技大學(xué)出版社[8]吳建平 ,傳感器原理及應(yīng)用 。清華大學(xué) 出版社[9]張磊 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