試談3d封裝通孔集成工藝整裝待發(fā)-資料下載頁(yè)
2025-06-26 07:27本頁(yè)面
【正文】 當(dāng)以上三個(gè)單元工藝集成在一部設(shè)備上，與三個(gè)獨(dú)立的單元工藝設(shè)備相比，它將明顯減小設(shè)備的占地面積。單一設(shè)備的安裝可降低成本和減小對(duì)清潔區(qū)的干擾，使得開始進(jìn)行圓片生產(chǎn)到完工的時(shí)間大為提前。TSV制造的生產(chǎn)/生產(chǎn)效率成本因素是采用TSV進(jìn)行3D封裝的主要驅(qū)動(dòng)力，在轉(zhuǎn)向生產(chǎn)階段時(shí)，所用的生產(chǎn)設(shè)備需要在大規(guī)模生產(chǎn)的情況下具有可重復(fù)的、可靠的工作性能。接下來的部分將會(huì)論述每個(gè)工藝步驟在生產(chǎn)率方面的要求。在TSV的刻蝕過程中，刻蝕反應(yīng)室的內(nèi)壁會(huì)淀積氟碳聚合物，在刻蝕處理圓片的間隙進(jìn)行無圓片的等離子清洗工藝可減少反應(yīng)室內(nèi)壁上的淀積物，從而延長(zhǎng)了再次進(jìn)行濕法清洗的時(shí)間。對(duì)每片晶圓來說，無晶圓清洗工藝能提供可重復(fù)的工藝環(huán)境。CVD生產(chǎn)工藝的關(guān)鍵點(diǎn)是臺(tái)階覆蓋性。如能在邊墻上實(shí)現(xiàn)優(yōu)良的臺(tái)階覆蓋，就能減少整個(gè)淀積材料的數(shù)量，這樣就能縮短整個(gè)淀積所需的時(shí)間，還可減少無晶圓清洗的次數(shù)，從而提高生產(chǎn)效率， 還可延長(zhǎng)再次需要進(jìn)行機(jī)械濕法清洗的時(shí)間。在需要進(jìn)行手工濕法清洗時(shí)，重要的是使系統(tǒng)能恢復(fù)到生產(chǎn)狀態(tài)的時(shí)間要盡可能的短。在深硅刻蝕設(shè)備中，CVD模塊的反應(yīng)室中也采用了遮擋片，它可以進(jìn)行及時(shí)的更換，換下后將它進(jìn)行離線清洗。離子化PVD工藝在TSV阻擋層和籽晶層淀積中有明顯的優(yōu)點(diǎn)。然而，對(duì)于離子化PVD的反應(yīng)產(chǎn)物（如TaN和TiN阻擋層）而言，由于濺射靶上的電壓偏置，離子會(huì)在靶材上，特別在其邊緣位置發(fā)生再淀積。再淀積的材料隨時(shí)間進(jìn)行堆積，最終會(huì)剝落而導(dǎo)致顆粒沾污。解決這個(gè)問題的方法是使用一種 “快門”磁控處理過程，當(dāng)處于“快門”打開時(shí)，磁力線將會(huì)集中在靶材的邊緣，從而起到了清洗靶材邊緣區(qū)域再淀積堆積物的作用。 上述方法使得PVD設(shè)備能使用較厚的靶材，從而延長(zhǎng)了PVD設(shè)備模塊的工作壽命。如果不采取該辦法，那么清除這些再淀積堆積物唯一辦法就只能是更換PVD反應(yīng)室的遮擋片了。由于堆積物的去除是通過使用磁控的 “快門”操作，因此除非是需要更換靶材，其它時(shí)段不需要打開反應(yīng)腔室。7 / 7
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