試談3d封裝通孔集成工藝整裝待發(fā)(完整版)
【正文】 176。在后道工藝所有器件的工藝完成之后再制作通孔，就被稱為“后通孔”。促進3D封裝發(fā)展的一個原因是3D封裝中各元件間在互連上的優(yōu)勢。n3D封裝通孔集成工藝整裝待發(fā)[消費電子] 發(fā)布時間：20071206 18:45:28消費類電子產(chǎn)品持續(xù)向更小、便攜化和多功能的趨勢發(fā)展。在用芯片并列放置的封裝方式時，目前所用的互連技術(shù)是在焊區(qū)間使用引線鍵合的方法。后通孔TSV還可以細分為兩類：一是在后道工藝完成之后就直接在圓片上制作TSV，或者是在圓片減薄、劃片（通常使用絕緣載體膜）之后再制作TSV。的淺通孔，該工藝在某些光學成像器件中依然在使用。Bosch式DRIE工藝也正在變成3D通孔制造的主流工藝，在刻蝕MEMS深槽結(jié)構(gòu)中獲得的大量經(jīng)驗被成功地移植到TSV結(jié)構(gòu)的刻蝕工藝中。對硅片貫穿孔TSV來說，后續(xù)的工藝是進行淀積和電鍍工藝填充通孔。氧化物的淀積溫度一般為200℃，由于該溫度已足夠低，因此該工藝將不會影響到已形成的有源器件結(jié)構(gòu)（圖5）。圖7是一個所制作通孔的照片，它使用了集成化的工藝技術(shù)來進行通孔的刻蝕、淀積，并由第三方進行了電鍍。在TSV的刻蝕過程中，刻蝕反應(yīng)室的內(nèi)壁會淀積氟碳聚合物，在刻蝕處理圓片的間隙進行無圓片的等離子清洗工藝可減少反應(yīng)室內(nèi)壁上的淀積物，從而延長了再次進行濕法清洗的時間。再淀積的材料隨時間進行堆積，最終會剝落而導致顆粒沾污。 上述方法使得PVD設(shè)備能使用較厚的靶材，從而延長了PVD設(shè)備模塊的工作壽命。CVD生產(chǎn)工藝的關(guān)鍵點是臺階覆蓋性。在用于初期研發(fā)以及試樣/小規(guī)模生產(chǎn)的制造環(huán)境中，集成化TSV工藝的理想制造方案是能在單一的設(shè)備中實現(xiàn)所有三種關(guān)鍵工藝步驟：TSV的刻蝕、CVD襯里氧化層的淀積/刻蝕以及PVD Cu籽晶層的淀積。雖然通孔的寬度相對較寬，但是它們的深寬比依然可以很大，此時就要求金屬淀積工藝能夠在通孔的底部和邊墻的下部都能有合適的臺階
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