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柵極的wsi工藝-資料下載頁

2025-06-24 02:06本頁面
  

【正文】 amp。SpinDry)④CVDWSix淀積(200nm和150nm兩個(gè)條件)⑤復(fù)合柵RTP退火(1100℃30s)摻雜多晶方塊電阻測試實(shí)驗(yàn)結(jié)果如表5:5復(fù)合柵退火由表6所示200nmWSix+150nm的注入摻雜(P30keV4E15)多晶所組成的復(fù)合柵退火后方塊電阻和片內(nèi)均勻性符合IMEC工藝規(guī)范——退火后復(fù)合柵方塊電阻Rs<5Ω/口(1.5%)。6結(jié)束語CVDWSix復(fù)合柵工藝主要應(yīng)用于130nm工藝,對(duì)于11Onm工藝的復(fù)合柵工藝,CVDWSix的顆粒、氟殘留、熱穩(wěn)定和復(fù)合柵的高A/R都會(huì)帶來影響。對(duì)于工藝尺寸11Onm的復(fù)合柵工藝,新的解決方法是用PVDCleanW腔體制作101型WN/W疊層來代替CVDWSix。由于W的電阻率是WSix的1/6,因此它能比WSix更有效地降低多晶柵高寬比,從而降低光刻、腐蝕工藝的難度,有效提高芯片集成
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