foundry工廠專業(yè)名詞的解釋-資料下載頁
2025-05-13 22:07本頁面
【正文】 芯片投入至晶圓測試完成，謂之Cycle Time。由于IC生命周期很短，自開發(fā)、生產至銷售，需要迅速且能掌握時效，故Cycle Time越短，競爭能力就越高，能掌握產品上市契機，就能獲取最大的利潤。由于Cycle Time 長，不容許生產中的芯片因故報廢或重做，故各項操作過程都要依照規(guī)范進行，且要做好故障排除讓產品流程順利，早日出FIB上市銷售。 41 DEFECT DENSITY 缺點密度 〝缺點密度〞系指芯片單位面積上（如每平方公分、每平方英吋等）有多少〝缺點數〞之意，此缺點數一般可分為兩大類：。前者可藉由一般光學顯微鏡檢查出來（如橋接、斷線），由于芯片制造過程甚為復雜漫長，芯片上缺點數越少，產品量率品質必然越佳，故〝缺點密度〞常備用來當作一個工廠制造的產品品質好壞的指針。 42 DEHYDRATION BAKE 去水烘烤 目的：去除芯片表面水分，增加光阻附著力。以免芯片表面曝光顯影后光阻掀起。方法：在光阻覆蓋之前，利用高溫（120℃或150℃）加熱方式為之。 43 DENSIFY 密化 CVD沉積后，由于所沈積之薄膜（THIN FILM之密度很低），故以高溫步驟使薄膜中之分子重新結合，以提高其密度，此種高溫步驟即稱為密化。密化通常以爐管在800℃以上的溫度完成，但也可在快速升降溫機臺（RTP；RAPID THERMAL PROCESS）完成。 44 DESCUM 電漿預處理 ，系利用電漿方式（Plasma），將芯片表面之光阻加以去除，但其去光阻的時間，較一般電漿光阻去除（Stripping）為短。其目的只是在于將芯片表面之光阻因顯影預烤等制程所造成之光阻毛邊或細屑（Scum）加以去除，以使圖形不失真，蝕刻出來之圖案不會有殘余。2. 有關電漿去除光阻之原理，請參閱「電漿光阻去除」（Ashing）。3. 通常作電漿預處理，均以較低之力，及小之功率為之，也就是使光阻之蝕刻率降低得很低，使得均勻度能提高，以保持完整的圖形，達到電漿預處理的目的。 45 DESIGN RULE 設計規(guī)范 由于半導體制程技術，系一們專業(yè)、精致又復雜的技術，容易受到不同制造設備制程方法（RECIPE）的影響，故在考慮各項產品如何從事制造技術完善，成功地制造出來時，需有一套規(guī)范來做有關技術上之規(guī)定，此即“DESIGN RULE”，其系依照各種不同產品的需求、規(guī)格，制造設備及制程方法、制程能力、各項相關電性參數規(guī)格等之考慮，訂正了如：1. 各制程層次、線路之間距離、線寬等之規(guī)格。2. 各制程層次厚度、深度等之規(guī)格。3. 各項電性參數等之規(guī)格。以供產品設計者及制程技術工程師等人之遵循、參考。 46 EDSIGN RULE 設計準則 設計準則EDSIGN RULE：反應制程能力及制程組件參數，以供IC設計者設計IC時的參考準則。一份完整的Design Rule包括有下列各部分：：如氧化層厚度、復晶、金屬層厚度等，其它如流程、ADI、AEI 參數。主要為擴散與黃光兩方面的參數。：提供給設計者做仿真電路時之參考。：及一般所謂的3μm、2μm、…等等之Rules，提供布局原布局之依據。：提供給光罩公司做光罩時之計算機資料，如CD BAR、測試鍵之擺放位置，各層次之相對位置之擺放等。 47 DIE BY DIE ALIGNMENT 每FIELD均對準 每個Field再曝光前均針對此單一Field對準之方法稱之；也就是說每個Field均要對準。 48 DIFFUSION 擴散 在一杯很純的水上點一滴墨水，不久后可發(fā)現水表面顏色漸漸淡去，而水面下漸漸染紅，但顏色是越來越淡，這即是擴散的一例。在半導體工業(yè)上常在很純的硅芯片上以預置或離子布植的方式作擴散源（即紅墨水）。因固態(tài)擴散比液體擴散慢很多（約數億年），故以進爐管加高溫的方式，使擴散在數小時內完成。 49 DI WATER 去離子水 IC制造過程中，常需要用鹽酸容易來蝕刻、清洗芯片。這些步驟之后又需利用水把芯片表面殘留的鹽酸清除，故水的用量相當大。然而IC。工業(yè)用水，并不是一般的自來水或地下水，而是自來水或地下水經過一系列的純化而成。原來自來水或地下水中含有大量的細菌、金屬離子級PARTICLE，經廠務的設備將之殺菌、過濾和純化后，即可把金屬離子等雜質去除，所得的水即稱為〝去離子水〞，專供IC制造之用。 50 DOPING 參入雜質 為使組件運作，芯片必須參以雜質，一般常用的有：：在爐管內通以飽和的雜質蒸氣，使芯片表面有一高濃度的雜質層，然后以高溫使雜質驅入擴散；或利用沉積時同時進行預置。：先使雜質游離，然后加速植入芯片。 9 /
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