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非平衡pn結(jié)ppt課件-資料下載頁

2025-05-07 08:16本頁面
  

【正文】 cxkqaxE ?? ?空間電荷區(qū)內(nèi)電場強度的增量為: axxNxNxN ad ??? )()()(求積分得到電場 ( 1) 電場 Physics of Semiconductor Devices 0)2(,2 ??? WEWx)2()(20cxkqaxE ?? ?028 ?kqaWc ??028 ?kqaWEM ??020282)( ?? kqaWkqaxxE ??電場強度分布: 邊界條件: Physics of Semiconductor Devices 緩變結(jié)的電場強度為拋物線分布,突變結(jié)的電場強度為線性分布,所以緩變結(jié)的最大電場強度比突變結(jié)要低,這對提高 PN結(jié)的反向擊穿電壓具有指導(dǎo)意義。 思考 ? Physics of Semiconductor Devices ( 2) 電位和空間電荷區(qū)的寬度 由于: dxxExd )()( ???cxkqaWxkqadxxEx ??????? ?0230 86)()( ???00)(0 ????? c x,x ?030 12)2()2( ???? kWqaWW ????3100 )12(qakW ???空間電荷區(qū)的電位差: 空間電荷區(qū)的寬度: P62: 221得證 Physics of Semiconductor Devices iTpn naWV2ln20 ??? ???P62: 222 ? 0???? ad NNpnaxNN ad ??22 24( 中性區(qū),空間電荷得總密度為零)
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