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2025-05-05 18:19本頁面
  

【正文】 反應; 解吸 :反應的生成物解吸,離開硅片表面; 排放 :排放出反應腔。 ? 高深寬比刻蝕( DRIE)依賴于高密度等離子源以及刻蝕、鈍化工藝交替來實現(xiàn)。高密度等離子源產(chǎn)生于電感耦合或 ECR ? 可實現(xiàn)的指標: ? 深寬比: ? 30: 1( 90177。 2o) ? 對膠選擇比: ? 50~100: 1 ? 對 SiO2選擇比: ? 120~200: 1 ? 腐蝕速率: ? 2~3微米 /分 離子束刻蝕是利用具有一定能量的離子轟擊材料表面,使材料原子發(fā)生濺射,從而達到刻蝕目的 . 把 Ar、 Kr或 Xe之類惰性氣體充入離子源放電室并使其電離形成 等離子體,然后由柵極將離子呈 束狀引出并加速,具有一定能量 的離子束進入工作室,射向固體 表面撞擊固體表面原子,使材料 原子發(fā)生濺射,達到刻蝕目的, 屬純物理過程 。 IBE刻蝕特點 – 方向性好,各向異性,陡直度高 – 分辨率高,可達到 – 不受刻蝕材料限制(金屬 or化合物,無機物 or有機物,絕緣體 or半導體均可) – 刻蝕過程中可改變離子束入射角 θ來控制圖形 輪廓 – 加工過程中,損傷比較嚴重 – 加工精度不容易控制 離子束刻蝕速率影響因素 C .離子束流密度 IBE相關刻蝕數(shù)據(jù) 離子能量: 350eV 離子能量: 350eV ? 由于 IBE刻蝕對材料無選擇性,對于那些無法或者難以通過化學研磨、電介研磨難以減薄的材料,可以的通過 IBE來進行減薄。另外,由于離子束能逐層剝離原子層,所以具有的微分析樣品能力,并且可以用來進行精密加工。 反應離子束刻蝕( RIBE) RIBE是改進的離子束刻蝕( IBE) .它采用加入離子源的氣體代替惰性氣體,通過柵電極從等離子體中萃取離子形成離子束,避免了硅片與等離子的直接接觸。 柵電壓是可以調(diào)節(jié)的,來控制離子能量。通過控制等離子體的電離程度來控制離子束密度,從而控制刻蝕速率。 干法刻蝕工藝特點: 。 ; ,適用于工業(yè)生產(chǎn) 謝謝!
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