cvd的原理與工藝ppt課件-資料下載頁
2025-05-05 12:06本頁面
【正文】 計， CVD反應(yīng)依據(jù)反應(yīng)腔中的壓力可分為 常壓 CVD（ APCVD）和減壓 CVD，其中減壓 CVD又分為低壓 CVD（ LPCVD）、等離子增強(qiáng)減壓 CVD（ PECVD）及高密度等離子增強(qiáng) CVD。 各類 CVD反應(yīng)的區(qū)別主要在于 環(huán)境壓力的高低和輸入能量方式的不同 。 APCVD屬于質(zhì)量傳輸限制 CVD工藝的一種，必須保證反應(yīng)氣體能等量到達(dá)每片硅片。 APCVD LPCVD LPCVD屬于 反應(yīng)速度限制 CVD工藝 的一種，在減壓的條件下，增加反應(yīng)氣體擴(kuò)散以獲得更高的氣體質(zhì)量傳輸不再影響 CVD反應(yīng)速度，嚴(yán)格控制溫度可在大量硅片表面淀積形成均勻的膜。 由于低壓， LPCVD中的邊界層距離硅片表面更遠(yuǎn)，邊界層分子密度低，使得反應(yīng)氣體很容易通過邊界層，使硅片表面接觸足夠的反應(yīng)氣體分子： 反應(yīng)速度限制工藝 。 LPCVD
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