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2025-05-04 22:06本頁(yè)面
【正文】 AgBr AgI 極化 鍵性 CN 結(jié)構(gòu)類型 變強(qiáng) 強(qiáng)離子鍵 混合鍵 共價(jià)鍵 6 4 NaCl型 NaCl型 ZnS型 （五）電負(fù)性 各種元素的原子在形成價(jià)鍵時(shí)吸引電子的能力 鮑林用電負(fù)性差值△ X＝ XA－ XB來(lái)計(jì)算化合物中離子鍵的成份。差值越大，離子鍵成分越高。如圖 1－ 28。 例： 1） NaCl： XCl－ ＝ ， XNa＋ ＝ △ X＝ XCl－ － XNa＋ ＝ ＝ 離子鍵分?jǐn)?shù)＝ 70％ —— 離子鍵為主 2） SiC 3） SiO2 （六）結(jié)晶化學(xué)定律 哥希密特（ Goldschmidt) 晶體的結(jié)構(gòu)取決于其組成質(zhì)點(diǎn)的數(shù)量關(guān)系、大小關(guān)系與極化性能。 同質(zhì)多晶與類質(zhì)同晶 同質(zhì)多晶： 化學(xué)組成相同的物質(zhì)，在不同的熱力學(xué)條件下，結(jié)晶成為兩種以上結(jié)構(gòu)不同的晶體的現(xiàn)象。 例如 ： C 石墨 金剛石 類質(zhì)同晶： 化學(xué)組成相似的不同化合物，具有相同的晶體結(jié)構(gòu)的現(xiàn)象。 例如 ： NaCl型 NaCl KCl 四、鮑林規(guī)則 （一）第一規(guī)則（配位多面體規(guī)則）： （二）第二規(guī)則（靜電價(jià)規(guī)則）： 圍繞每一陽(yáng)離子，形成一個(gè)陰離子配位多面體，陰陽(yáng)離子的間距決定于它們的半徑之和，陽(yáng)離子的配位數(shù)則取決于它們的半徑之比。 在一個(gè)穩(wěn)定的晶體結(jié)構(gòu)中，從所有相鄰近的陽(yáng)離子到達(dá)一個(gè)陰離子的靜電鍵的總強(qiáng)度，等于（或近似等于）陰離子的電荷數(shù)。 nZS ?＝正離子配位數(shù)正離子電荷數(shù)＝靜電鍵強(qiáng)度?? i iSZ ＝負(fù)離子電荷數(shù) 當(dāng)偏差 ≤ 價(jià)時(shí)，結(jié)構(gòu)穩(wěn)定 41判斷晶體結(jié)構(gòu)是否穩(wěn)定 判斷（確定）共用一個(gè)頂點(diǎn)的八面體的數(shù)目 例 1： 判斷 NaCl晶體結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性 每個(gè) Na＋ 周圍有 6個(gè) Cl－ ，即 CNNa＝ 6， 61??NaS每個(gè) Cl－ 周圍有 6個(gè) Na＋ ， 1616 ????? ??iiCl SZ偏差為 0，晶體結(jié)構(gòu)是穩(wěn)定的 例 2： [SiO4]中， 144 ??SiS[AlO6]中， 2163 ??AlS[MgO6]中， 3162 ??MgS所以 ： 22 ??OZ而 根據(jù)靜電價(jià)規(guī)則， [SiO4]的一個(gè)頂點(diǎn)還可連接 1個(gè) [SiO4] 2個(gè) [AlO6] 或 3個(gè) [MgO6] 或 才能穩(wěn)定 （三）第三規(guī)則（共頂、共棱、共面規(guī)則）： 在配位結(jié)構(gòu)中，兩個(gè)陰離子多面體以共棱，特別是共面方式存在時(shí)，結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性便降低。 （對(duì)于電價(jià)高，配位數(shù)小的陽(yáng)離子此效應(yīng)顯著（如 [SiO4])；且當(dāng) r＋ /r－ 接近于配位多面體穩(wěn)定的下限值時(shí)，此效應(yīng)更為顯著。） 表 111 多面體共頂、共棱、共面時(shí)的中心間距相對(duì)量 共頂 共棱 共面 四面體中心距 1 八面體中心距 1 （五）第五規(guī)則（節(jié)約規(guī)則）： 例： 島狀鎂橄欖石（ Mg2SiO4） Si4＋ 斥力較大，使得 [SiO4]間互不相連，以孤立狀態(tài)存在；而 Si4＋ 于 Mg2＋ 間斥力較小， [SiO4]與 [MgO6]之間共頂和共棱相連，形成較穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)。 在一個(gè)晶體結(jié)構(gòu)中，本質(zhì)不同的結(jié)構(gòu)組元的種類傾向于為數(shù)最小。 （四）第四規(guī)則： —— 第三規(guī)則的推論 在一個(gè)含有不同陽(yáng)離子的晶體中，電價(jià)高而配位數(shù)小的那些陽(yáng)離子 不趨向于 相互共有配位多面體的要素。 共頂、共棱和共面 例： 柘榴石 ， Ca3Al2Si3O12 其中， CNCa＝ 8， CNAl＝ 6， CNSi＝ 4 陽(yáng)離子靜電鍵強(qiáng)度： 4182 ??CaS 144 ??SiS2163 ??AlS一個(gè) O2－ 可同時(shí)連接 2個(gè) Ca2＋ ， 1個(gè) Al3＋ 和 1個(gè) Si4＋ 2個(gè) Al3＋ 和 1個(gè) Si4＋ 4個(gè) Ca2＋ 和 1個(gè) Si4＋ 則柘榴石中在兩種配位形式： 或 和 則第二種配位方式不符合節(jié)約規(guī)則。 根據(jù)鮑林第二規(guī)則 ： 鮑林規(guī)則 nZS ?＝正離子配位數(shù)正離子電荷數(shù)＝靜電鍵強(qiáng)度（一）第一規(guī)則（配位多面體規(guī)則）： （二）第二規(guī)則（靜電價(jià)規(guī)則）： 在一個(gè)穩(wěn)定的晶體結(jié)構(gòu)中，從所有相鄰近的陽(yáng)離子到達(dá)一個(gè)陰離子的靜電鍵的總強(qiáng)度，等于（或近似等于）陰離子的電荷數(shù)。 [SiO4]中， [AlO6]中， 2163 ??AlS[MgO6]中， 3162 ??MgS所以 ： 22 ??OZ而 根據(jù)靜電價(jià)規(guī)則， [SiO4] 頂點(diǎn)的 氧離子 還可連接 [ SiO4] [AlO6] [MgO6] 1個(gè) 144 ??SiS2個(gè) 3個(gè) （三）第三規(guī)則（共頂、共棱、共面規(guī)則）： 共頂 共棱 共面 四面體中心距 1 八面體中心距 1 堿金屬、堿土金屬氧化物或鹽。 過(guò)渡金屬氧化物或鹽有的不適用，特別是離子價(jià)態(tài)高、半徑大激化率高的氧離子化合物。 鮑林規(guī)則適用的范圍
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