計(jì)算機(jī)維修技術(shù)第3版第05章內(nèi)存系統(tǒng)結(jié)構(gòu)與故障維修-資料下載頁(yè)
2025-05-03 06:36本頁(yè)面
【正文】 相對(duì) CAS的延遲 ） =4； 第 3個(gè)數(shù)字 =tRP（ 行預(yù)充電有效周期 ） =4。 以上延遲參數(shù)以 tCK（ 內(nèi)存時(shí)鐘周期 ） 為單位 ； 它們的 延遲 時(shí)間為：延遲周期數(shù) tCK的時(shí)間 假設(shè) tCK=5ns時(shí)， “444”的延遲時(shí)間為： 202020（ ns）。 內(nèi)存主要技術(shù)參數(shù) 內(nèi)存信號(hào)延遲技術(shù)參數(shù) tCK（ 時(shí)鐘周期 ） ： 決定內(nèi)存工作頻率 。 CL（ 列地址選通潛伏期 ） ： 決定列尋址到數(shù)據(jù)被讀取所花費(fèi)的時(shí)間 。 tRCD（ 從行地址轉(zhuǎn)換到列地址的延遲 ） ： 決定行尋址有效至讀 /寫(xiě)命令列尋址之間的時(shí)間 。 tRP（ 行預(yù)充電有效周期 ） ： 決定在同一 Bank中不同工作行轉(zhuǎn)換的時(shí)間 。 內(nèi)存主要技術(shù)參數(shù) 【 補(bǔ)充 】 DDR3內(nèi)存信號(hào)延遲 參數(shù) 內(nèi)存主要技術(shù)參數(shù) 【 補(bǔ)充 】 BIOS中 CLtRCDtRP 參數(shù) 調(diào)整 內(nèi)存主要技術(shù)參數(shù) 【 補(bǔ)充 】 BIOS中內(nèi)存 參數(shù) 調(diào)整 DDR3內(nèi)存設(shè)計(jì)技術(shù) 1． DDR3內(nèi)存性能的提高 DDR3內(nèi)存工作電壓從 DDR2的 ，降低 了功耗 ； DDR3新增了一些功能，在引腳方面有所增加。 DDR3的延遲值高于 DDR2。 2． DDR3內(nèi)存的技術(shù)改進(jìn) （ 1）預(yù)取位數(shù) ： DDR2是 4bit， DDR3提 高 到 8bit。 （ 2）尋址時(shí)序 ： DDR2的 CL在 2～ 5， DDR3在 5～ 11。 （ 3）突發(fā)長(zhǎng)度。 DDR3的突發(fā)長(zhǎng)度 BL=8。 雙通道內(nèi)存技術(shù) 多通道內(nèi)存主要是依靠 內(nèi)存 控制 器 技術(shù)，與內(nèi)存本身無(wú)關(guān)。 多通道技術(shù)： 內(nèi)存控制器在多個(gè)不同數(shù)據(jù)通道上分別尋址、讀寫(xiě)數(shù)據(jù)。 部分 CPU內(nèi)部集成了內(nèi)存控制器 ； 另外一部分集成在北橋芯片中。 雙通道 內(nèi)存技術(shù) 可以 使數(shù)據(jù) 等待時(shí)間減少 50%。 雙通道內(nèi)存技術(shù) 安裝要求 ： 顏色 相同 的內(nèi)存插槽 ，它們屬于同一個(gè) 內(nèi)存通道 。 單內(nèi)存條無(wú)法達(dá)到雙通道的性能。 注意 對(duì)稱安裝 （ 不同顏色搭配 ） ，第 1個(gè)通道 （如黃色）的 第 1個(gè)插槽 ， 搭配第 2個(gè)通道 （如紅色）的 第 1個(gè)插槽，依此類推。 相同顏色插槽上安裝內(nèi)存條，只能工作在單通道模式。 測(cè)試表明，雙通道內(nèi)存性能 能夠 提升 60%左右。 內(nèi)存 故障分析與處理 內(nèi)存數(shù)據(jù)出錯(cuò)校驗(yàn) 1．存儲(chǔ)器引發(fā)的故障 內(nèi)存芯片出錯(cuò)的原因 電源中的尖峰電壓 ； 高頻脈沖干擾信號(hào) ； 電源噪聲 ； 不正確的內(nèi)存速率 ； 無(wú)線電射頻干擾 ； 靜電影響等。 干擾引發(fā)的錯(cuò)誤不會(huì)引起內(nèi)存芯片損壞，但是它們將引發(fā)臨時(shí)性數(shù)據(jù)錯(cuò)誤。 內(nèi)存數(shù)據(jù)出錯(cuò)校驗(yàn) 2．奇偶校驗(yàn) 早期內(nèi)存條都設(shè)計(jì)有奇偶校驗(yàn)芯片。 1994年開(kāi)始，大部分內(nèi)存廠商取消了內(nèi)存條上的奇偶校驗(yàn)芯片，這樣內(nèi)存條可以節(jié)約 10％左右的生產(chǎn)成本。 目前微機(jī)一般 不支持奇偶校驗(yàn)的內(nèi)存條。 PC服務(wù)器 大多 采用奇偶校驗(yàn)的內(nèi)存條 。 內(nèi)存數(shù)據(jù)出錯(cuò)校驗(yàn) 奇校驗(yàn)的基本方法 如果一個(gè)字節(jié)中 “1”的個(gè)數(shù)為偶數(shù)個(gè)，則奇校驗(yàn)電路產(chǎn)生一個(gè) “1”，并且將它存儲(chǔ)在校驗(yàn)位中（第 9位），使全部 9位數(shù)據(jù)為奇數(shù)個(gè)。 如果一個(gè)字節(jié)中 “1”的個(gè)數(shù)為奇數(shù)，則校驗(yàn)電路產(chǎn)生一個(gè) “0”，并將它存儲(chǔ)在校驗(yàn)位中（第 9位），全部 9位數(shù)據(jù)還是為奇數(shù)個(gè)。 這個(gè)工作由北橋芯片中的硬件電路自動(dòng)完成。 奇偶校驗(yàn)可以發(fā)現(xiàn)錯(cuò)誤，但是無(wú)法改正錯(cuò)誤。 服務(wù)器 內(nèi)存 廣泛采用奇偶校驗(yàn)進(jìn)行檢錯(cuò)。 內(nèi)存條信號(hào)測(cè)試點(diǎn) 2．內(nèi)存工作電壓和對(duì)地阻值測(cè)試 內(nèi)存時(shí)鐘 CK和電源 VDD是故障測(cè)試的關(guān)鍵點(diǎn)。 內(nèi)存時(shí)鐘信號(hào)如果不穩(wěn)定，會(huì)導(dǎo)致內(nèi)存工作不正常。 可以利用內(nèi)存打阻值卡插在主板上的內(nèi)存插槽中進(jìn)行測(cè)試。 內(nèi)存常見(jiàn)故障分析 1．內(nèi)存故障原因分析 （ 1）金手指氧化 故障 （ 2）金手指脫落 故障 （ 3）接觸不良 故障 （ 4）內(nèi)存槽異物 故障 （ 5）電信號(hào) 故障 （ 6）帶電拔插 內(nèi)存條 內(nèi)存條信號(hào)測(cè)試點(diǎn) 2．內(nèi)存常見(jiàn)故障現(xiàn)象 故障現(xiàn)象 故 障 主 要 原 因 分 析 死機(jī) ， 無(wú)任何報(bào)警信號(hào) 內(nèi)存條與主板接觸不良；內(nèi)存條損壞等 隨機(jī)性死機(jī) 內(nèi)存質(zhì)量不佳；金手指氧化； BIOS中內(nèi)存參數(shù)設(shè)置過(guò)高等 運(yùn)行程序中斷 內(nèi)存條性能下降；金手指氧化； BIOS中內(nèi)存參數(shù)設(shè)置過(guò)高等 頻繁自動(dòng)重新啟動(dòng) 內(nèi)存條質(zhì)量不佳；金手指接觸不良等 不識(shí)別內(nèi)存條 兼容性問(wèn)題；主板 BIOS限制；金手指接觸不良等 內(nèi)存容量減少 主板兼容性不好；接觸不良；內(nèi)存條損壞；病毒破壞等 自動(dòng)進(jìn)入安全模式 內(nèi)存質(zhì)量不佳； BIOS中內(nèi)存參數(shù)設(shè)置過(guò)高等 進(jìn)入桌面后自動(dòng)關(guān)機(jī) 內(nèi)存質(zhì)量不佳； BIOS中內(nèi)存參數(shù)設(shè)置過(guò)高等 加大內(nèi)存后系統(tǒng)資源反而降低 內(nèi)存條兼容性不好等 安裝 Windows時(shí)錯(cuò)誤 內(nèi)存條質(zhì)量不佳；金手指接觸不良等 經(jīng)常報(bào)告注冊(cè)表錯(cuò)誤 內(nèi)存條質(zhì)量不佳；金手指接觸不良等 【 補(bǔ)充 】 FBDIMM服務(wù)器內(nèi)存 FBDIMM（ 全緩沖內(nèi)存模組 ） 是 Intel公司在DDR2基礎(chǔ)上開(kāi)發(fā)的一種新型內(nèi)存條結(jié)構(gòu) 。 FBDIMM采用了 并行傳輸與串行傳輸相結(jié)合 的設(shè)計(jì)方案 。 FBDIMM通過(guò) AMB（ 高級(jí)內(nèi)存緩沖器 ） 芯片 ，將并行傳送轉(zhuǎn)化為串行傳送 ， 以提升內(nèi)存?zhèn)鬏斔俾?。 【 補(bǔ)充 】 FBDIMM服務(wù)器內(nèi)存 【 補(bǔ)充 】 FBDIMM服務(wù)器內(nèi)存 FBDIMM內(nèi)存條工作原理 【 補(bǔ)充 】 內(nèi)存技術(shù) 工業(yè)計(jì)算機(jī)主板上的 SODIMM內(nèi)存插座 SODIMM 課程作業(yè)與討論 討論： （ 1） 如何 提高內(nèi)存的數(shù)據(jù)傳輸帶寬 。 （ 2） 內(nèi)存 容量越大越好嗎 ？ （ 3） 虛擬 內(nèi)存可以無(wú)限大嗎 。 （ 4） 串行傳輸 會(huì)成為今后內(nèi)存的發(fā)展方向嗎 ？ （ 5） 2條 4GB內(nèi)存和 1條 8GB的 內(nèi)存 哪 個(gè) 更 快 。 【 本章結(jié)束 】
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