計算機維修技術第3版第05章內存系統(tǒng)結構與故障維修(編輯修改稿)
2025-05-30 06:36 本頁面
【文章內容簡介】 址的時序與讀操作一樣。 寫操作 的 形式有：寫 寫、隨機寫、突發(fā)寫、寫到讀、寫到預充電、寫固定長度或全頁等。 內 存的讀寫與刷新 3．內存系統(tǒng)的刷新過程 存儲單元中，電容的電荷會慢慢泄漏 ； DDR2內存的充電時間為 60ns左右 ； DDR3內存的 充電時間為 36ns左右 。 充電過程中，存儲單元不能被訪問。 定時對存儲單元進行充電稱為 “動態(tài)刷新 ”； 在技術上實現(xiàn)存儲單元的動態(tài)刷新并不困難。 目前公認的 標準刷新時間間隔是 64ms。 內存條 的基本結構 內 存條的容量 1．內存芯片技術規(guī)格 內存芯片容量采用 “M W”的形式表示， M表示 1個數據 I/O接口的最大存儲容量，單位 bit； W表示內存芯片輸入 /輸出位寬。 【例 53】： 64Mbit 8，表示內存芯片在 1個 I/O接口的存儲容量為 64Mbit，內存芯片有 8個這樣的數據 I/O接口， 1個內存芯片總存儲容量為 64Mbit 8=512Mbit。 如果采用 8個這樣的內存芯片，則可以構成一個 512MB的內存條（ 1個 Rank）； 如果采用 16個這樣的內存芯片 ， 則可以構成一個 1GB的內存條（ 2個 Rank）。 內 存條的容量 3．內存芯片與內存條 Rank的關系 內存芯片數據 I/O位寬有 ： 4/8/16/32bit等 類型。 組成一個 Rank（ 64bit）就需要多個內存芯片并聯(lián)工作。 【例 54】： 內存條的不同組成形式。 采用 16bit的 I/O位寬芯片時，需要 4顆（ 16bit 4顆 =64bit）芯片； 8bit的 I/O位寬芯片，需要 8顆（ 8bit 8顆 =64bit）； 4bit的 I/O位寬芯片，需要 16顆（ 4bit 16顆 =64bit）。 內 存條的容量 4．內存條的類型 內存條類型 DDR3 DDR2 DDR SDRAM UnbDIMM 240腳 ， 無 ECC 240腳 ， 無 ECC 184腳 ， 無 ECC 168腳 ， 無 ECC SODIMM 204腳 ， 無 ECC 200腳 ， 無 ECC 200腳 ， 無 ECC 144腳 ， 無 ECC RegDIMM 240腳 ， 有 ECC 240腳 ， 有 ECC 184腳 ， 有 ECC 168腳 ， 有 ECC MicroDIMM — 214腳 ， 無 ECC 172腳 ， 無 ECC 144腳 ， 無 ECC MiniDIMM — 244腳 ， 有 ECC — — 注： ECC=錯誤校驗 內 存條的容量 UnbDIMM（無緩沖雙列直插式內存模組） 臺式計算機 使用最多 ， 簡稱 DIMM； 分為有 ECC和無 ECC兩種，市場上絕大部分是無 ECC型。 SODIMM（小外型內存模組） 筆記本 計算機使用的 DIMM； 市場上絕大部分是無 ECC型。 RegDIMM（寄存 器 內存模組） 用于 PC服務器 ； 市場上幾乎都是 ECC型。 UnbDIMM內存條基本結構 1． UnbDIMM內存條設計方案 UnbDIMM內存條主要用于臺式計算機 ； 主板中內存總線位寬是固定的（ 64位）； 主板對內存條的容量和數量都有限制 。 UnbDIMM內存條基本結構 內存條容量計算公式： 內存條容量（ MB）＝ Bank容量（ Mbit） 芯片 I/O位寬（ bit） 內存芯片個數 247。 8bit 由上式可見： Bank容量和芯片 I/O位寬由芯片廠商提供； 采用不同位寬的芯片，可以設計不同容量的內存條； 內存條有不同容量和不同芯片的設計方案。 UnbDIMM內存條基本結構 【 例 55】：采用不同位寬的內存芯片，設計一個內存總線位寬為 64bit，容量為 1GB的內存條。 （ 1）方案 1： 采用 128Mbit 4的內存芯片，需要 16個內存芯片。 優(yōu)點 ： 采用低容量內存芯片，實現(xiàn)高容量內存條設計 ； 缺點 ： 工藝復雜。 （ 2）方案 2： 采用 128Mbit 8的內存 芯片，需要 8個內存芯片 。 應用： 廣泛 用于 臺式計算機內存條設計。 （ 3）方案 3： 采用 128Mbit 16的內存 芯片，需要 4個內存 芯片 。 優(yōu)點 ：利用 高容量內存芯片實現(xiàn) 少芯片的內存條 設計 。 缺點 ： 要求 采用 高密度內存芯片 ； 應用：廣泛用于 筆記本計算機 。 UnbDIMM內存條基本結構 2． UnbDIMM內存條電路結構 內存條 的電路結構差別 不大 ； 64位 DDR3 1GB內存條電路 結構 。 SODIMM內存條基本結構 SODIMM內存條主要用于筆記本計算機 。 SODIMM內存條在電氣參數和性能上 ， 與 UnbDIMM和 RegDIMM內存條相同 。 SODIMM內存條機械尺寸更短 。 64位 DDR3 SODIMM內存條尺寸 SODIMM內存條基本結構 8GB DDR31600 SODIMM內存條 SODIMM內存條基本結構 64位 DDR3 SODIMM 512MB內存條電路結構 RegDIMM內存條基本結構 RegDIMM內存條 增加的器件 Registered（寄存器） ：穩(wěn)定信號，隔離外部干擾。 PLL（鎖相環(huán)） ：減少內存時延，保證數據同步。 ECC（錯誤校驗） ：保證數據安全。 在 DDR 1/2/3內存條 中 ，這 3個器件都相同。 72位 DDR RegDIMM內存條 RegDIMM內存條基本結構 內存條 數量增加導致的問題 服務器 內存數量 的 增 加 ， 會導致以下問題： 內存 芯片到 CPU之間 的線路 長度 產生 較大差別 ； 容易導致信號時序產生錯位； 使命令與尋址信號的穩(wěn)定性受到嚴峻考驗； 內存控制器的信號驅動能力 也 會不堪重負 。 解決方案： 服務器內存條上 增加了 寄存器芯片 ； 內存控制信號僅僅針對寄存器 芯片通信 ，不用對內存條上每個內存芯片
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