計(jì)算機(jī)維修技術(shù)第3版第05章內(nèi)存系統(tǒng)結(jié)構(gòu)與故障維修(已改無(wú)錯(cuò)字)
2023-06-03 06:36:15 本頁(yè)面
【正文】 輸出信號(hào) ； 這降低了內(nèi)存控制 器 的負(fù)載 ； 寄存器的作用是穩(wěn)定命令 和 地址信號(hào)，隔離外部干擾 。 RegDIMM內(nèi)存條基本結(jié)構(gòu) RegDIMM（ 寄存器型內(nèi)存模組 ） DDR芯片 ECC芯片 Reg芯片 SPD芯片 RegDIMM內(nèi)存條基本結(jié)構(gòu) RegDIMM內(nèi)存條 內(nèi)存 主要技術(shù)性能 內(nèi)存條接口形式與信號(hào) 1． DDR SDRAM（雙倍數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器） 內(nèi)存 DDR內(nèi)存采用的技術(shù) 一般將 DDR SDRAM內(nèi)存統(tǒng)稱(chēng)為 DDR內(nèi)存。 采用了延時(shí)鎖相環(huán)（ DLL）技術(shù) ； 在時(shí)鐘脈沖的上升沿和下降沿都可以傳輸數(shù)據(jù) ； 采用同步電路，使指定地址、數(shù)據(jù) 傳輸?shù)?步驟既能獨(dú)立執(zhí)行，又與 CPU保持完全同步。 不同類(lèi)型的 DDR內(nèi)存在結(jié)構(gòu)沒(méi)有太大區(qū)別 ； 主要區(qū)別在一些技術(shù)參數(shù)和內(nèi)存性能上。 內(nèi)存條接口形式與信號(hào) DDR內(nèi)存技術(shù)參數(shù) 技術(shù)指標(biāo) 技 術(shù) 參 數(shù) 內(nèi)存類(lèi)型 DDR3 DDR2 DDR JEDEC標(biāo)準(zhǔn) PC36400/8500/10600/12800 PC23200/43003/53007 PC1600/2100/2700 內(nèi)存標(biāo)注 DDR3800/1066/1333/1600 DDR2400/533/667/800 DDR200/266/333/400 內(nèi)存時(shí)鐘頻率 （ MHz） 100/133/166/200 100/133/166/200 100/133/166/200 數(shù)據(jù)傳輸頻率 （ MHz） 800/1000/1333/1600 400/533/667/800 200/266/333/400 總線位寬 （ bit） 64 64 64 總線帶寬 （ GB/s） 內(nèi)存插座類(lèi)型 240腳 DIMM 240腳 DIMM 184腳 DIMM 工作電壓 （ V） 177。 177。 177。 芯片封裝 78/82/96球點(diǎn) FBGA 60/84球點(diǎn) BGA TSOP/TSOP II Bank數(shù) （ 個(gè) ） 8/16 4/8 2/4 芯片 I/O位寬 （ bit） 4/ 8/ 16 4/ 8/ 16 4/ 8/ 16/ 32 單芯片最大容量 512Mbit～ 8Gbit 256Mbit～ 4Gbit 64Mbit～ 1Gbit CAS周期 CL=7/8/9/10 CL=3/4/5 CL=突發(fā)長(zhǎng)度 （ bit） BL=8/4 BL=4/8 BL=2/4/8 預(yù)取長(zhǎng)度 （ bit） 8 4 2 時(shí)鐘輸入 差分時(shí)鐘 差分時(shí)鐘 差分時(shí)鐘 PCB層數(shù) 8 6/8 6 內(nèi)存條接口形式與信號(hào) 2．不同 DDR內(nèi)存的區(qū)別 不同規(guī)格的 DDR內(nèi)存，定位卡口位置會(huì)有不同，這樣防止了用戶(hù)的錯(cuò)誤安裝。 內(nèi)存條接口形式與信號(hào) 3． DDR3內(nèi)存條 主要 信號(hào)引腳 數(shù)據(jù) 總線（ DQ0–DQ63）： 64 地址總線 （ A0–A13 ）： 14 Bank地址選擇 （ BA0–BA2 ） ： 3 Rank地址選擇 （ S0–S1）： 2 行地址選通（ RAS） ； 1 列地址選通（ CAS） ： 1 寫(xiě)允許（ WE ） ； 1 數(shù)據(jù)掩碼（ DM0–DM7） ： 8 電源（ VDD） ： 24 地線 （ VSS） ： 59 時(shí)鐘： 4 共計(jì) 240根信號(hào)線 。 內(nèi)存主要技術(shù)參數(shù) 1．內(nèi)存的內(nèi)部時(shí)鐘頻率和外部時(shí)鐘頻率 內(nèi)存頻率指標(biāo) 核心頻率：內(nèi)存內(nèi)部存儲(chǔ)單元 （ Cell） 的工作頻率； I/O頻率：內(nèi)存輸入 /輸出 （ I/O） 緩存的傳輸頻率； 數(shù)據(jù)傳輸頻率：內(nèi)存在總線上的數(shù)據(jù)傳輸速率 。 內(nèi)存主要技術(shù)參數(shù) DDR3內(nèi)存數(shù)據(jù)傳輸 DDR內(nèi)存在時(shí)鐘脈沖的上升和下降沿都可以傳輸數(shù)據(jù) ； DDR3核心 時(shí)鐘頻率 在 200MHz以上； DDR3的 I/O傳輸頻率為 400MHz以上； 因此 DDR3的數(shù)據(jù)傳輸頻率達(dá)到了 800MHz以上 。 內(nèi)存主要技術(shù)參數(shù) 內(nèi)存帶寬計(jì)算： 內(nèi)存帶寬 (B/s)=內(nèi)存?zhèn)鬏旑l率 (Hz) 內(nèi)存總線位數(shù)(bit)/8 例：計(jì)算 DDR3 1600內(nèi)存條的帶寬 。 1600是指內(nèi)存數(shù)據(jù)傳輸頻率 ， 內(nèi)存總線位寬為 64bit； 內(nèi)存帶寬 =1600MHz 64bit/8=12800MB/s= 內(nèi)存主要技術(shù)參數(shù) 內(nèi)存條 技術(shù) 規(guī)格 技術(shù)指標(biāo) 技 術(shù) 參 數(shù) 內(nèi)存類(lèi)型 DDR31600 DDR31333 DDR31066 DDR3800 DDR2400 DDR200 核心頻率 (MHz) 400 333 266 200 100 100 I/O頻率 (MHz) 800 666 533 400 200 100 傳輸頻率 (MHz) 1600 1333 1066 800 400 200 總線位寬 (bit) 64 64 64 64 64 64 最高帶寬 (MB/s) 12800 10664 8528 6400 3200 800 插座類(lèi)型 DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM 信號(hào)引腳（個(gè)） 240 240 240 240 240 184 長(zhǎng) 高（ mm） 133 30 133 30 133 30 133 30 133 30 133 30 適應(yīng) CPU Core i系列 Core i系列 Core i系列 Core i系列 Core 2 Pentium4 工作電壓（ V） 市場(chǎng)應(yīng)用 高端 主流 主流 主流 淘汰 淘汰 內(nèi)存主要技術(shù)參數(shù) 【 補(bǔ)充 】 實(shí)際 捕獲的 DDR2數(shù)據(jù)傳輸信號(hào) 注： DQ=數(shù)據(jù)； DQS=數(shù)據(jù)選取脈沖 內(nèi)存主要技術(shù)參數(shù) 2． DDR內(nèi)存的主要技術(shù)參數(shù) 內(nèi)存數(shù)據(jù)讀寫(xiě)延遲用 “CLtRCDtRP ” 參數(shù)形式表示。 例 ： 某個(gè) DDR2533的內(nèi)存延遲參數(shù)為 “444”； 低 1個(gè)數(shù)字 =CL（ 列地址選擇潛伏周期 ） =4； 第 2個(gè)數(shù)字 =tRCD（ RAS
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