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2025-05-03 06:28本頁面
【正文】 1/3。 晶片加工 晶片加工 2. 磨片 ? 目的： ① 使各片厚度一致； ② 使各硅片各處厚度均勻； ③ 改善平整度 。 ? 磨料： ① 要求：其硬度大于硅片硬度 。 ② 種類： Al2O SiC、 ZrO、 SiO MgO等 晶片加工 3. 拋光 ? 目的：進(jìn)一步消除表面缺陷 ， 獲得高度平整 、光潔及無損層的 “ 理想 ” 表面 。 ? 方法：機(jī)械拋光 、 化學(xué)拋光 、 化學(xué)機(jī)械拋光（ CMP,chemicalmechanical polishing） ① 機(jī)械拋光 :與磨片工藝原理相同 ， 磨料更細(xì)（ ） ， MgO、 SiO ZrO； ? 優(yōu)點：表面平整；缺點：損傷層深 、 速度慢 。 晶片加工 ② 化學(xué)拋光（化學(xué)腐蝕） 典型配方： HF:HNO3:CH3COOH=1:3:2(體積比 ) 3Si+4HNO3+18HF=3H3SiF6+4NO↑+8H2O 注意腐蝕溫度： t=3050℃ ,表面平滑； t25℃ , 表面不平滑。 晶片加工 ： KOH、 NaOH ? 特點： 1） 適于大直徑 （ 75mm） 。 2） 不需攪拌； 3） 表面無損傷 。 ? 缺點：平整度差 晶片加工 ③ 化學(xué)機(jī)械拋光 （ CMP) ? 特點：兼有機(jī)械與化學(xué)拋光兩者的優(yōu)點 。 ? 典型拋光液： SiO2+ NaOH (SiO2化學(xué)機(jī)械拋光 ) Si+ 2NaOH+H2O=Na2SiO3+2H2↑ 典型的化學(xué)機(jī)械 拋光原理示意圖 晶片加工 芯片制造、芯片測試與揀選、裝配與封裝以及終測 芯片制造、芯片測試與揀選、裝配與封裝以及終測
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