《襯底制備》ppt課件-文庫吧
2025-04-18 06:28 本頁面
【正文】 對襯底材料的要求 ： N型與 P型都易制備； ： 103–108Ωcm， 且均勻性好 （ 縱向 、 橫 向 、 微區(qū) ） 、 可靠性高 （ 穩(wěn)定 、 真實 ） ； （ 少數(shù)載流子 ） ：晶體管 —長壽命； 開關器件 —短壽命； ：無位錯 、 低位錯 （ 1000個 /cm2） ； 第一章 襯底制備 對襯底材料的要求 5． 純度：電子級硅 （ EGS,electronicgrade silicon） 1/109雜質； 6． 晶向：雙極器件 111； MOS100； GaAs100； 7． 直徑： 8． 平整度： 9． 主 、 次定位面： 10. 禁帶寬度、遷移率、晶格匹配等。 第一章 襯底制備 起始材料 石英巖 （ 高純度硅砂 SiO2） ① SiO2+SiC+C→Si(s)+SiO(g)+CO(g), 冶金級硅： 98%； ② Si(s)+3HCl(g) →SiHCl3(g)+H2， 三氯硅烷室溫下呈液態(tài) （ 沸點為 32℃ ） ， 利用分 餾法去除雜質； ③ SiHCl3(g)+ H2→Si(s)+ 3HCl(g)， 電子級硅 （片狀多晶硅）。 第一章 襯底制備 單晶的制備 直拉法 （ CZ法 ） 構成： ① 爐體 ② 拉晶裝置 ③ 環(huán)境控制 ④ 電子控制及電源系統(tǒng) 柴可拉斯基拉晶儀 ① 爐體 ? 石英坩堝：盛熔融硅液； ?
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