組合邏輯電路ppt課件-資料下載頁(yè)
2025-05-03 03:37本頁(yè)面
【正文】 和 CD4585。（三）數(shù)值比較器的典型應(yīng)用 1．利用四位數(shù)值比較器組成四位并行比較器。2．?dāng)?shù)值比較器的級(jí)聯(lián)輸入端是供各片之間級(jí)聯(lián)使用的。 由 74HC85構(gòu)成的報(bào)警電路，其功能是將輸入的 BCD碼與設(shè)定的 BCD碼進(jìn)行比較，當(dāng)輸入值大于設(shè)定值時(shí)報(bào)警。 六、加法器（一）半加器和全加器1．半加器 能夠完成兩個(gè)一位二進(jìn)制數(shù) A和 B相加的組合邏輯電路成為半加器。 A和 B分別表示加數(shù)和被加數(shù)， S表示半加和， C表示進(jìn)位。 半加器的邏輯圖和邏輯符號(hào)a）邏輯圖 b）邏輯符號(hào) 2．全加器 全加是指兩個(gè)多位二進(jìn)制數(shù)相加時(shí)，第 i位的被加數(shù)和加數(shù)以及來自相鄰低位的進(jìn)位數(shù)三者相加，其結(jié)果得到本位和及向相鄰高位的進(jìn)位數(shù)。這種實(shí)現(xiàn)全加運(yùn)算的電路叫全加器。 全加器的邏輯圖和邏輯符號(hào)a）邏輯圖 b）邏輯符號(hào) （二）多位二進(jìn)制加法器 多位加法器的實(shí)現(xiàn)電路還有其它形式，讀者可參閱有關(guān)部資料。也有專門的中規(guī)模集成全加器，如 74LS23 74LS283都是中規(guī)模集成 4位全加器。 數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題第三節(jié) 其它組合邏輯電路 一、只讀存儲(chǔ)器半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是一種能存儲(chǔ)大量二進(jìn)制數(shù)據(jù)信息的半導(dǎo)體器件。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器具有存儲(chǔ)密度高、速度快、功耗低等一系列優(yōu)點(diǎn)。它不僅能用來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，而且能實(shí)現(xiàn)組合邏輯函數(shù)。 從信息的存取看，存儲(chǔ)器可分為兩大類：隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM，又稱讀寫存儲(chǔ)器）和只讀存儲(chǔ)器 (簡(jiǎn)稱 ROM)。與 RAM不同的是， ROM的數(shù)據(jù)在寫入以后不能用簡(jiǎn)單、迅速的方法隨時(shí)更改，因此，在正常運(yùn)行時(shí)，它所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是固定不變的，即只能讀出，一般情況下不能再寫入（改寫）。 ROM的種類很多，按所用器件類型可分為二極管 ROM、雙極型 ROM和 MOS型 ROM三種；按存儲(chǔ)內(nèi)容的寫入方式又可分為固定 ROM，可編程 ROM和可擦可編程 ROM三種。 （一）固定 ROM 固定 ROM存儲(chǔ)的內(nèi)容是在制造時(shí)利用掩模技術(shù)根據(jù)用戶的要求制造的，出廠后不能更改。固定 ROM主要由地址譯碼器、存儲(chǔ)單元矩陣和輸出電路三部分組成。固定 ROM可用二極管、雙極型管和 MOS管等三種器件來構(gòu)成存儲(chǔ)單元。 ROM的容量以（字節(jié)數(shù)） （每個(gè)字的位數(shù)）來表示。 以最簡(jiǎn)單的 NMOS44位（ 4字節(jié)，每字節(jié) 4位二進(jìn)制數(shù)）存儲(chǔ)矩陣為例，說明 ROM的原理。 （二）可編程只讀存儲(chǔ)器 PROM （三）可擦可編程只讀存儲(chǔ)器 EPROM 二 、快閃存儲(chǔ)器 閃存 (Flash Memory)三、可編程陣列邏輯 可編程陣列邏輯 (Programmable Logic Device,簡(jiǎn)稱PLD)，用戶編程，可實(shí)現(xiàn)各種組合邏輯電路的功能。 現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列 FPGA，通用陣列邏輯 GAL等器件。 數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題
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