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集成電路器件及spice模型-資料下載頁

2025-04-30 18:17本頁面
  

【正文】 DC DC/Tran Value ? V/Ixxxx—— 獨(dú)立電壓 /流 源標(biāo)識(shí),如 V I2等 N+、 N —— 電源的正負(fù)兩個(gè)輸出結(jié)點(diǎn)標(biāo)號(hào) DC/Tran Value—— 直流和瞬態(tài)值, 0值可略 ? 例 VCC 15 0 DC 12V IS 5 2 1M 正弦信號(hào)源 的 SPICE輸入語句格式 ? 格式 V/Ixxxx N+ N SIN(V0 VA Freq TD Theta) ? V/Ixxxx—— 信號(hào)電壓 /流 源標(biāo)識(shí),如 V I2等 N+、 N —— 電源的正負(fù)兩個(gè)輸出結(jié)點(diǎn)標(biāo)號(hào) V0/VA/Freq/TD/Theta—— 直流分量 /交流幅度 /頻率 /延遲時(shí)間 /衰減系數(shù) ? 例 VIN 5 0 SIN(0 5 10MEG 1P 0) 0 s i n ( 2 ( ) )T h e t a tV V A e F r e q t T D???? ? ? ?脈沖信號(hào)源 的 SPICE輸入語句格式 ? 格式 V/Ixxxx N+ N PULSE(V1 V2 TD TR TF PW PER) ? V/Ixxxx—— 信號(hào)電壓 /流 源標(biāo)識(shí),如 V I2等 N+、 N —— 電源的正負(fù)兩個(gè)輸出結(jié)點(diǎn)標(biāo)號(hào) V1/V2/TD/TR/TF/PW/PER—— 初值 /幅值 /延遲時(shí)間 /上升時(shí)間 /下降時(shí)間 /脈寬 /周期 ? 例 VIN 5 0 PULSE(0 5 0 5N 10N 20N 1M) 其它信號(hào)源 ? 指數(shù)波 EXP(V1 V2 TD1 TAU1 TD2 TAU2) ? 分段線性波 PWL(T1 V1 T2 V2 T3 V3 …) ? 單頻調(diào)頻波 SFEM(V0 VA FC MDI FS) 半導(dǎo)體器件 ? 器件常常用一套器件模型參數(shù)來進(jìn)行定義。因此,需要用一條獨(dú)立的 .MODEL 語句來定義一套器件模型參數(shù) ,并指定一個(gè)專用的模型名。然后, SPICE中的器件描述語句就可以引用這個(gè)模型名。 二極管 D 雙極結(jié)型晶體管 BJT 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管 JFET與 MESFET MOSFET MESFET 二極管 的 SPICE輸入語句格式 ? 格式 Dxxxx N+ N Mname Area OFF IC=VD) ? Dxxxx—— 二極管標(biāo)識(shí),如 D DB等 N+、 N —— 二極管的正負(fù)結(jié)點(diǎn)標(biāo)號(hào) Mname—— 模型名 Area—— 面積因子,缺省值 1 OFF—— DC分析的 ON/OFF起始條件,省卻值為 ON. VD—— AC分析的初始條件 ? 例 D10 13 18 Diode IC= 雙極性三極管 的 SPICE輸入語句格式 ? 格式 Qxxxx NC NB NE Mname Area OFF IC=VBE,VCE) ? Qxxxx—— 三極管標(biāo)識(shí),如 Q Q10等 NC、 NB、 NE —— 三極管的三個(gè)電極結(jié)點(diǎn)標(biāo)號(hào) Mname—— 模型名 Area—— 面積因子,缺省值 1 OFF—— DC分析的 ON/OFF起始條件,省卻值為 ON. VBE、 VCE—— AC分析的初始條件 ? 例 Q12 12 13 18 Qmod IC=, JFET/MESFET的 SPICE輸入語句格式 ? 格式 J/Zxxxx ND NG NS Mname Area OFF IC=VDS,VGS) ? J/Zxxxx—— JFET/MESFET標(biāo)識(shí),如 J Z10等 ND、 NG、 NS —— 漏、柵、源極結(jié)點(diǎn)標(biāo)號(hào) Mname—— 模型名 Area—— 面積因子,缺省值 1 OFF—— DC分析的 ON/OFF起始條件,省卻值為 ON. VDS、 VGS—— AC分析的初始條件 ? 例 J2 2 4 6 Jmod IC=, MOSFET的 SPICE輸入語句 格式 Mxxx nd ng ns nb mname L=val W=val AD=val AS=val PD=val PS=val NRD=val NRS=val OFF IC=vds, vgs,vbs TEMP=val M=val GEO=val Mxxx—— MOSFET元件名 . nd, ng, ns, nb—— 漏 , 柵 , 源和襯底的 節(jié)點(diǎn)名 mname—— 模型名 , 必須引用一個(gè) MOSFET模型 . L—— 溝道長(zhǎng)度 , 省卻值為 100? W—— 溝道寬度 , 省卻值為 100? AD、 AS—— 漏和源擴(kuò)散結(jié)面積 , 省卻值為 0 PD、 PS—— 漏和源擴(kuò)散結(jié)周長(zhǎng) , 省卻值為 0 MOSFET的 SPICE元件輸入格式 NRD、 NRS—— 計(jì)算電阻用的漏和源擴(kuò)散方塊數(shù) ,省卻值為 0 OFF—— DC分析的 ON/OFF起始條件,省卻值為 ON. IC—— 初始電壓條件 . TEMP—— 器件工作溫度 , 單位為176。 C. M—— 乘積因子 , 省卻值為 1. GEO—— 漏 /源幾何尺寸分?jǐn)倲?shù) , 省卻值為 0. 模型 語句 ? 模型語句的通用格式為: .MODEL Mname Type Pname1=P1,Pname2=P2,… ? Mname—— 模型名稱 Type—— 模型類型( D、 NPN、 PNP、 NJF、 PJF、NMOS、 PMOS) Pname Pname2—— 參數(shù)名(由 Spice規(guī)定) P P2—— 參數(shù)值 例句 : .MODEL MODE1 NPN BF=50,IS=1E13,VBF=50 .MODEL MODE2 PNP BF=100,IS=1E12,VBF=30 模型 語句 ?二極管模型 ?雙極結(jié)型晶體管 BJT模型 ?結(jié)型場(chǎng)效應(yīng) JFET (NJF/PJF)模型 ? MESFET(NMF/PMF)模型 ( ) ? MOSFET模型 子 電路描述語句 ? 子電路的定義格式為: .SUBCKT SubName( N1,N2,… ) CONTENTS .ENDS SubName ? 子電路的調(diào)用格式為: XCallName( N1,N2,… ) SubName 注意,調(diào)用結(jié)點(diǎn)的對(duì)應(yīng)。例句 : X1 2 4 17 3 1 MULTI 輸入語句格式 分析 控制語句 ? 初始節(jié)點(diǎn)電壓設(shè)置 .NODESET V(NODENUM)=VAL V(NODENUM)=VAL … ? 初始條件設(shè)置 .IC V(NODENUM)=VAL V(NODENUM)=VAL … ? 輸出控制 .PRINT PRTTYPE OUTVAR1 OUTVAR2 … OUTVAR8 ? 重置參數(shù) .OPTIONS OPT1 OPT2 … .OPTIONS OPT=VAL … SPICE電路輸入文件舉例 例 4: RTL反相器 SIMPLE RTL INVERTER VCC 4 0 5 VIN 1 0 PULSE 0 5 2NS 2NS 2NS 30NS RB 1 2 10K Q1 3 2 0 Q1 RC 3 4 1K .MODEL Q1 NPN BF 20 RB 100 TF .1NS CJC 2PF .DC VIN 0 5 .TRAN 1NS 100NS .END SPICE格式的電路圖編輯 用 Cadence公司 Schemetic畫的 CMOS差動(dòng)放大器電路圖 SPICE應(yīng)用經(jīng)驗(yàn) ? 一個(gè)電路的 Z參數(shù)可以通過以下辦法獲得 – 兩個(gè)子電路通過相同的網(wǎng)表文件,但是以互換的輸入輸出端口來定義; – 在每個(gè)電路的輸入端輸入一個(gè)單位幅度的交流信號(hào),輸出端開路; – 四個(gè)端口的電壓可以用相同單位的輸出變量在復(fù)平面或極坐標(biāo)系中表示出來。 – 經(jīng)過模擬之后,電路的 Z 參數(shù)就得到了。 ? Y參數(shù), H參數(shù),和其它參數(shù)都可以通過類似的方法得到。 ? 通過得到的 Z參數(shù)和其它參數(shù),電路的 S參數(shù)就可以通過它們的相互轉(zhuǎn)換關(guān)系得到。 本章練習(xí) ? 思考題 2 ? 思考題 3 ? 思考題 4 ? 思考題 8 ? 思考題 10 ? 思考題 12 ? 思考題 14
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