ic產(chǎn)品的質(zhì)量與可靠性測試-資料下載頁
2025-03-24 04:55本頁面
【正文】 hod JESD22B106 EIAJED 4701B141 * TCT與TST的區(qū)別在于TCT偏重于package 的測試，而TST偏重于晶園的測試 ⑦HTST: 高溫儲存試驗（High Temperature Storage Life Test ）目的: 評估IC產(chǎn)品在實際使用之前在高溫條件下保持幾年不工作條件下的生命時間。 測試條件: 150℃ 失效機制：化學(xué)和擴散效應(yīng)，AuAl 共金效應(yīng) 具體的測試條件和估算結(jié)果可參考以下標準 MITSTD883E Method JESD22A103A EIAJED 4701B111 ⑧可焊性試驗（Solderability Test ）目的: 評估IC leads在粘錫過程中的可靠度 測試方法: Step1：蒸汽老化8 小時 Step2：浸入245℃錫盆中 5秒 失效標準（Failure Criterion）：至少95％良率 具體的測試條件和估算結(jié)果可參考以下標準 MITSTD883E Method JESD22B102 ⑨SHT Test:焊接熱量耐久測試（ Solder Heat Resistivity Test ）目的: 評估IC 對瞬間高溫的敏感度 測試方法: 侵入260℃ 錫盆中10秒 失效標準（Failure Criterion）：根據(jù)電測試結(jié)果 具體的測試條件和估算結(jié)果可參考以下標準 MITSTD883E Method EIAJED 4701B106 三、耐久性測試項目（Endurance test items ）Endurance cycling test, Data retention test ①周期耐久性測試（Endurance Cycling Test ）目的: 評估非揮發(fā)性memory器件在多次讀寫算后的持久性能 Test Method: 將數(shù)據(jù)寫入memory的存儲單元，在擦除數(shù)據(jù)，重復(fù)這個過程多次 測試條件: 室溫，或者更高，每個數(shù)據(jù)的讀寫次數(shù)達到100k~1000k 具體的測試條件和估算結(jié)果可參考以下標準 MITSTD883E Method 1033 ②數(shù)據(jù)保持力測試（Data Retention Test）目的: 在重復(fù)讀寫之后加速非揮發(fā)性memory器件存儲節(jié)點的電荷損失 測試條件: 在高溫條件下將數(shù)據(jù)寫入memory存儲單元后，多次讀取驗證單元中的數(shù)據(jù) 失效機制：150℃ 具體的測試條件和估算結(jié)果可參考以下標準： MITSTD883E Method MITSTD883E Method 1033 在了解上述的IC測試方法之后，IC的設(shè)計制造商就需要根據(jù)不用IC產(chǎn)品的性能，用途以及需要測試的目的，選擇合適的測試方法，最大限度的降低IC測試的時間和成本，從而有效控制IC產(chǎn)品的質(zhì)量和可靠度。 8 / 8
高考資料相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1