53寄存器和讀寫存儲器registerandrandomaccess-資料下載頁
2025-10-09 06:15本頁面
【導讀】二進制數(shù)碼，需要個觸發(fā)器。并入并出，結構簡單，抗干擾能力強。Q3端獲得并行輸出，再經(jīng)n個CP又獲得串行輸出。
【正文】 NMOS負載，功耗極小，可在交流電源斷電后 ,靠電池保持存儲數(shù)據(jù) . (二 ) 動態(tài)存儲單元 1. 四管動態(tài)存儲單元 T T6 — 控制 對位線的預充電 VDD 存儲單元 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 D D Xi Yi 位 線 B 位 線 B CB CB 預充脈沖 C1 C2 1 導通 0 截止 T T4 — 門控管 控制存儲單元 與位線的連通 T T8 — 門控管 控制位線與數(shù) 據(jù)線的連通 1 1 0 1 若無 預充電，在“讀”過程中 C1 存儲的電荷有所損失，使數(shù)據(jù) “ 1”被破壞，而預充電則起到給 C1 補充電荷的作用，即進行一次 刷新 。 存儲單元 2. 三管動態(tài)存儲單元 T1 T2 T3 T4 寫 位 線 CB VDD 讀 位 線 寫字線 讀字線 C 讀操作 : 先使讀位線預充電到高電平 當讀字線為高電平時 T3 導通 若 C 上 存有電荷 (1) 使 T2 導通 , 則 CB 放電 , 使讀位變?yōu)榈碗娖? (0) 若 C 上 沒有電荷 (0) 使 T2 截止 , 則 CB 不 放電 , 使讀位線保持高電平 (1) 寫操作 : 當寫字線為高電平時 T1 導通 將輸入信號送至寫位線，則將信息存儲于 C 中 三、 RAM 容量的擴展 (一 ) 位擴展 地址線、讀 /寫控制線、片選線 并聯(lián) 輸入 / 輸出 線分開使用 如：用 8 片 1024 ? 1 位 RAM 擴展為 1024 ? 8 位 RAM I / O 1024 1(0) A0A1 …A 9R/WCS I / O 1024 1(1) A0A1…A 9 R/WCS … I / O 1024 1(7) A0A1…A 9 R/WCS … A0 A1 . . A9 CS R / W 0 0 I0 I1 I7 D0?D7 1O0 O1 O7 (二 ) 字擴展 四、 RAM 芯片舉例 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 24 23 22 21 20 19 18 17 16 15 14 13 6116 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 D0 D1 D2 GND VDD A8 A9 WE OE A10 CS D7 D6 D5 D4 D3 片 選 輸出使能 寫入控制 輸入 工作方式 I / O CS OE WE A0?A10 D0?D7 1 ? ? ? 0 0 1 穩(wěn)定 0 ? 0 穩(wěn)定 低功耗維持 讀 寫 高阻態(tài) 輸出 輸入
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