存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)ppt課件-資料下載頁(yè)
2025-05-03 22:10本頁(yè)面
【正文】 儲(chǔ)器（ ROM) 分為 掩膜式 編程式 可擦寫式 掩膜和編程式 ROM的結(jié)構(gòu) 52 Department of Microelectronics, PKU， Xiaoyan Liu NOR ROM 選中的行 Ri為高電平，其余維持低 無(wú) nMOS的存“ 1” 有 nMOS的存“ 0” 53 Department of Microelectronics, PKU， Xiaoyan Liu ROM的編程方式 ?離子注入掩膜版編程 通過(guò)離子注入產(chǎn)生增強(qiáng)和耗盡型 MOSFET，用這兩種晶體管表示所存的信息。 ?有源區(qū)掩膜版編程 通過(guò)有源區(qū)是否跨越多晶硅行線區(qū)分是否形成 MOSFET。 ?引線孔掩膜版編程 通過(guò) MOSFET的漏是否有接地的引線孔，來(lái)區(qū)分所存的信息。 54 Department of Microelectronics, PKU， Xiaoyan Liu 55 Department of Microelectronics, PKU， Xiaoyan Liu 56 Department of Microelectronics, PKU， Xiaoyan Liu ROM及其外圍電路 57 Department of Microelectronics, PKU， Xiaoyan Liu 第五節(jié) 非易失存儲(chǔ)器 NVM 作為可編程、可擦除的 ROM，需要滿足的基本條件： 編程時(shí)間短（ 1秒）、編程信息保存時(shí)間長(zhǎng)（大于 10年） 58 Department of Microelectronics, PKU， Xiaoyan Liu 浮柵存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)示意圖 結(jié)構(gòu)和信息存儲(chǔ)原理 ?利用浮柵上是否存在電荷來(lái)表示“ 0”和“ 1” ?利用溝道閾值電壓不同區(qū)分信息“ 0”和“ 1” CONTROL GATE FLOATING GATE DRAIN SOURCE 電可擦寫的 ROM 59 Department of Microelectronics, PKU， Xiaoyan Liu IME PKU 浮柵存儲(chǔ)器單元 ?未編程時(shí)所有單元存儲(chǔ)信息“ 1” ?存儲(chǔ)信息的編程（寫“ 0”）：向浮柵中注入電子 ?存儲(chǔ)信息的擦除：從浮柵中排出電子 ?注入電子編程的時(shí)間要很短 ?注入到浮柵中的電子在不擦除時(shí)能夠長(zhǎng)時(shí)間停留（大于十年） 因此對(duì)浮柵的的電子注入和擦除過(guò)程具有不對(duì)稱特性 由于對(duì)可編程、可擦除的 ROM，要求： 60 Department of Microelectronics, PKU， Xiaoyan Liu IME PKU ?熱電子注入 ?隧穿注入 61 Department of Microelectronics, PKU， Xiaoyan Liu Floatinggate Avalancheinjection MOS 浮柵雪崩注入 MOS EPROM 可以逐位寫 62 Department of Microelectronics, PKU， Xiaoyan Liu 浮柵雪崩注入 MOS 浮柵上存負(fù)電荷的pMOS閾值低，足夠多將導(dǎo)通，表示存 1，否則存 0 擦除時(shí)用光，擦 1。寫入時(shí)需要很高的電壓。 63 Department of Microelectronics, PKU， Xiaoyan Liu 浮柵隧道氧化層MOS FloatingGate Tunnel Oxide (FLOTOX) EEPROM 浮柵上沒(méi)有電荷時(shí)對(duì)應(yīng)的閾值電壓為 Vtn0，示存 0 浮柵上有電荷時(shí)對(duì)應(yīng)的閾值電壓為 Vtn1，示存 1 Vtn1=Vtn0－ QF/CF Vtn1Vtn0 讀操作時(shí)， WL上的偏壓 VR滿足 Vtn1VRVtn0 64 Department of Microelectronics, PKU， Xiaoyan Liu FloatingGate Tunnel Oxide (FLOTOX) 擦寫時(shí) WL接高電平， BL接低電平，其它字線接低電平，位線接高電平。 低 高 高 高 高 65 Department of Microelectronics, PKU， Xiaoyan Liu 閃存 ?結(jié)構(gòu)與 EEPROM相同，是單管結(jié)構(gòu)，編程和擦除是以模塊形式進(jìn)行 66 Department of Microelectronics, PKU， Xiaoyan Liu Flash EEPROM 存儲(chǔ)器 編程方式與EPROM相同，采用熱電子注入 擦除方式采用 FN隧穿機(jī)制 浮柵氧化層厚度約 10nm T型單元 Flash EEPROM結(jié)構(gòu) 67 Department of Microelectronics, PKU， Xiaoyan Liu DINOR（分割位線的或非結(jié)構(gòu)） 寫（編程）將選中單元的閾值電壓 Vth設(shè)置為低，擦除操作把所選扇區(qū)的單元管的閾值電壓 Vth設(shè)置為高
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1