dram存儲(chǔ)器ppt課件-資料下載頁
2025-01-06 14:02本頁面
【正文】 線 ，容量 4MB～ 512MB ? DDR3單條容量可達(dá) 32GB 存儲(chǔ)器容量的擴(kuò)充實(shí)例 34 三 高級(jí) DRAM芯片 ? 靜態(tài)存儲(chǔ)器和動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器相比 : １ 信息保存性 ２昂貴與否 ３適用范圍 ４外部控制電路 35 １ FPMDRAM(程序局部性原理 ) ? 早期的一種 DRAM方式 ? 基于程序局部性原理 ? 先確定行地址 ,再確定列地址 ? 頁是由一個(gè)行地址和該行中所有列地址確定的存儲(chǔ)單元的組合 . ? 被 EDODRAM取代 ,目前被 SDRAM取代 36 2 CDRAM ? 1M 4位的 EDRAM芯片框圖 地址線 11位 塊操作 37 說明： ? 以 SRAM保存一行內(nèi)容的辦法，對(duì) 成塊傳送 非常有利。如果連續(xù)的地址高 11位相同， 意味著屬于同一行地址，那么連續(xù)變動(dòng)的9位列地址就會(huì)使 SRAM中相應(yīng)位組連續(xù)讀出，這稱為 猝發(fā)式讀取。 38 說明 CDRAM結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)： ●在 SRAM讀出期間可同時(shí)對(duì) DRAM陣列進(jìn)行刷新。 ●芯片內(nèi)的數(shù)據(jù)輸出路徑與輸入路徑是分開的，允許在寫操作完成的同時(shí)來啟動(dòng)同一行的讀操作。 43 3 SDRAMsynchronous DRAM ? 優(yōu)點(diǎn) :與系統(tǒng)時(shí)鐘信號(hào)同步 省去了ＣＰＵ與內(nèi)存進(jìn)行握手的控制信號(hào) ,而是由ＣＰＵ告訴內(nèi)存芯片需要進(jìn)行幾個(gè)時(shí)鐘周期 ,然后啟動(dòng)訪問 .提高處理器與內(nèi)存之間數(shù)據(jù)傳輸速度 . 44 小結(jié) ? 主要掌握 DRAM芯片讀寫，刷新的工作過程，能計(jì)算相應(yīng)的引線。 ? 刷新方式的圖，并能進(jìn)行相關(guān)的計(jì)算。 ? EDRAM的特點(diǎn)及其優(yōu)點(diǎn)。 ? 理解內(nèi)存條的構(gòu)成，以及字節(jié)允許線的功能。
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