[高等教育]ic工藝技術6-外延-資料下載頁
2025-01-15 21:05本頁面
【正文】 L P E 20 61S 24 18 10/ 14 8 雙 PR O 5000 35 24 18 8 雙 MT C 77 00K 32 18 15 8 單 片內的厚度均勻性 爐內的厚度均勻性 爐與爐間的厚度均勻性 0. 1 1 10 10 100 7810 4 % 6% 6% % 6% 15 20% 7700 4 % 6% 6% % 6% 15% 20 61S 3 4% % 1% 2% % 5% PR O 5000 3 4% 2 3% 2 3% 3 5 % 4 6% 5 7% MT C 77 00K 2 3% % 3% 大直徑硅片外延爐 典型代表 ： ASMEpsilon AMC Centrura LPE 3061 MTC308 工藝特點： 、自摻雜小、過渡區(qū)小、明顯地優(yōu)于多片式爐子。 ，表面顆粒少。 ， 6”片產能小 ,為了提高產能采用高的生長速率 5181。/m，片子先予熱，盡可能縮短時間，而 6”以上可比多片爐成本降低 ,越大越低。 AMC CENTRORA ASM EPSION2 各大直徑硅片外延爐的生產能力 6” 8” 10” ASM epsilon2 1 1 1 AMC centrura三反應室 1*3 1*3 1*3 MTC Ω308 6 3 1 LPE 3061 8 5 各 爐 子 生 產 成 本 比 較01 02 03 04 05 06 04 5 6 7 8硅 片 直 徑美元g2 7810 7700 E2 單片外延爐的一些優(yōu)點 單片外延爐 與筒式外延爐的雜質上擴散狀況 P B As Sb E P SILO N 2 A M C 7 810 單片爐的外延均勻性 片與片的典型值 片與片間的最大值 爐與爐問的典型值 爐與爐間的最大值 T 厚度 177。 1% 177。 2% 177。 2% 177。 4% ρ 3 177。 2% 177。 3% 177。 3% 177。 5% ρ = 3 30 177。 4% 177。 6% 177。 5% 177。 8% 單片爐外延前后的顆粒數 外延前 個 / C M2 外延后 個 / C M2 外延工藝及設備的展望 ? 向超薄外延層發(fā)展：淺結薄外延，低溫低壓外延。 ? 向 CMOS發(fā)展，大直徑硅外延 ? 向電力電子大功率高反壓發(fā)展：高阻厚外延、多層外延等 ? 為減少串聯電阻 ,采用重摻砷磷襯底 ρ103所以減少自摻雜，減少過渡區(qū)寬度將是工藝和設備的重要內容 ? SOI外延 GeSi外延提高器件性能 補充 ? 鐵離子沾污的控制： ? 1)金屬離子沾污對器件的影響： ? ? ，可靠性變差 ? 2)測試金屬離子沾污的方法： ? SPV(sufece photovoltage) ? 測試要求：鐵離子濃度 6e1 lifetime350μs ? 3)產生金屬離子沾污的可能原因 ? 襯底及清洗引入沾污、 H2中含水量高使 HCL變成鹽酸，腐蝕管路造或沾污所以 H2含水量應小于 50ppb、反應室有沾污例如感應線圈銹蝕等 例如感應線圈下面有銹可能造成鐵離子沾污鐵
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