材料化學(xué)ppt課件(2)-資料下載頁
2025-01-14 21:29本頁面
【正文】 ANI插層改性前后 MCMB的 XPS圖譜 PANI插層改性后 MCMB復(fù)合材料的 XPS測試結(jié)果 測試樣品 C/% O/% N/% MCMB 0 292 290 288 286 284 282M C M B / PA N I4321 Binding energy / ev292 290 288 286 284 282M C M B4321 Binding energy / ev1 eV 2 eV 3 eV 4 eV PANI插層改性前后 MCMB表面 C1s的 XPS譜圖 PANI插層改性前后 MCMB表面 C1s的 XPS測試結(jié)果 樣品名稱 C1s結(jié)合能峰位置（ eV）及其對應(yīng)的原子百分含量 C原子 COH C=O COOH MCMB 改性后 399 400 401 402 403M C M B / PA N I21 Binding energy / ev1 2 PANI插層改性后 MCMB表面 N1s的 XPS譜圖 PANI插層改性前后 MCMB表面 N1s的 XPS測試結(jié)果 樣品名稱 N1s結(jié)合能峰位置（ eV）及其對應(yīng)的原子百分含量 NH –N+= MCMB 0 0 俄歇電子能譜 AES ? 基本原理 ： 當(dāng) X射線光子（或電子束）轟擊樣品時(shí)，樣品內(nèi)原子受激發(fā)，在內(nèi)層 W能級上（ 1S)首先設(shè)出電子，發(fā)射的電子稱為一次電子，致使 W能級上產(chǎn)生一個(gè)孔穴，隨著原子內(nèi)自洽場外殼層電子受到影響，導(dǎo)致 X(2S)能級上的電子躍遷到 W能級的空穴位，它把放出的能量交給 Y能級（ 2P)上的電子，促使該電子作為二次電子發(fā)射出去。上述過程成為俄歇過程。 ? 一次電子和二次電子發(fā)射過程可用一下兩式示意： A+hvA++e(一次電子）A+(AES)A+++e（二次電子） ? 實(shí)際上，在俄歇躍遷后終態(tài)是雙重電離狀態(tài)，其中 X， Y兩個(gè)能級上各出現(xiàn)一個(gè)空穴。 ? Ev(WXY)=EF(WXY)+Φ= E(WZ)E(XZ)E(YZ) 俄歇譜圖 ? 用一束能量為 Ep的入射電子激發(fā)試樣發(fā)射二次電子，用電子探針和能量分析器測量他們的能量分布，將所得的能量位 E的二次電子數(shù) N(E)對 E做成分布曲線圖。 ? 若將俄歇電子能量分布曲線譜改用能量微分譜，dN(E)/dE～ E作圖，一般在譜峰的高能側(cè)出現(xiàn)了一個(gè)尖銳的負(fù)峰，在低能側(cè)有一個(gè)較小的正峰。 ? AES與 XPS不同： ? AES電子表征了原子能級有助于元素識(shí)別，與激發(fā)輻射的能量和探針是否單色化無關(guān)。 ? 原則上，凡是能激發(fā)原子內(nèi)殼層電子的任何激發(fā)源均可用來激發(fā)俄歇電子，但用得最多的是電子槍。其優(yōu)點(diǎn)是電子束強(qiáng)度較高，容易聚焦和調(diào)控偏轉(zhuǎn)，缺點(diǎn)是散射電子造成較高背景干擾。 定性分析 ? 俄歇能譜可以看作是元素指紋，只要測定俄歇能量即可定性地判別何種元素。 ? 由于俄歇發(fā)射關(guān)聯(lián)著原子三個(gè)能級， H,He不能使用 AES譜進(jìn)行定性分析。 AES從 B開始。 ? 一般方法：找出最強(qiáng)譜線所處位置，與標(biāo)最譜圖對比來確定。 AES在材料表面中應(yīng)用 ? 金屬腐蝕； ? 界面偏析； ? 脆化斷裂； ? 焊接縫面狀況； ? 催化劑活性和中毒失活解析； ? 載體催化劑分散信息； ? 高分子材料表面處理的變化間檢測； ? 陶瓷涂層分析
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