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ecvd質(zhì)量檢驗員培訓(xùn)-資料下載頁

2025-01-10 11:18本頁面
  

【正文】 式中, r r2分別是外界介質(zhì) 膜和膜 硅界面上的菲涅爾反射系數(shù);△為膜層厚度引起的位相角。 ????????c os21c os2212221212221rrrrrrrrR鍍膜 PECVD ?分別表示為 : nnnnr???001sisinnnnr???002nd04????鍍膜 PECVD ? n0, n和 nsi分別為外界介質(zhì)、膜層和硅的折射率;?0是入射光的波長; d是膜層的實際厚度; nd為膜層的光學(xué)厚度。 ? 當波長為 ?0的光垂直入射時,如果膜層光學(xué)厚度為 ?0的四分之一,即 nd=?0/4,則可得 : 202020 )(sisinnnnnnR????鍍膜 PECVD ? 為了使反射損失減到最小,即希望 R0=0,就應(yīng)有: ? 由上式就可求得給定波長為 ?0所需減反射膜的折射率,而最佳膜層光學(xué)厚度是該波長的四分之一,此時反射率最小,接近于零。 sinnn 0? 鍍膜 PECVD ? 但當波長偏離 ?0時,反射率都將增大。因此,為了使電池輸出盡可能增加,應(yīng)先取一個合理的設(shè)計波長 ?0。這需要考慮兩個方面,即太陽光譜的成分和電池的相對光譜響應(yīng)。 鍍膜 PECVD ? 外層空間太陽光譜能量的峰值在波長 ,地面太陽光譜能量的峰值在波長 ;而硅太陽電池的相對響應(yīng)峰值在波長 ~ 。 ? 取設(shè)計波長為 ,則恰當?shù)臏p反射膜的光學(xué)厚度應(yīng)為 。帶這一厚度減反射膜的硅太陽電池,由肉眼看來應(yīng)呈深藍色。 鍍膜 PECVD ? 對于減反射膜應(yīng)取得折射率,由于取 ?0= ,硅的折射率 nsi=,因此如果電池直接暴露在真空或大氣中使用,最匹配的減反射膜折射率為n=≈。 ? 實際應(yīng)用中,電池在做成組件時,大多采用硅橡膠封裝。所以,對于減反射膜來說,外界介質(zhì)將是硅橡膠,其折射率約為 ,在這種情況下,最匹配的減反射膜折射率應(yīng)為 sinnn 0? ???鍍膜 PECVD ? 鍍膜不良造成的影響 色差嚴重,影響外觀,直通合格率低 氮化硅膜厚差異大,造成燒結(jié)過程中銀穿透氮化硅程度不均勻,串聯(lián)電阻增大,填充因子低,效率上不去 謝謝!
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