【正文】
行地址選擇 DOUT ① 靜態(tài) RAM 基本電路的 讀 操作 行選 T T6 開 T T8 開 列選 讀放 DOUT VA T6 T8 T1 ~ T4 T5 T6 T7 T8 A180。 A DIN 位線 A 位線 A 180。 列地址選擇 行地址選擇 寫放 寫放 讀放 DOUT 寫選擇 讀選擇 ② 靜態(tài) RAM 基本電路的 寫 操作 行選 T T6 開 兩個(gè)寫放 DIN 列選 T T8 開 (左) 反相 T5 A180。 (右) T8 T6 A DIN DIN T7 (2) 靜態(tài) RAM 芯片舉例 ① Intel 2114 外特性 存儲(chǔ)容量 1K 4位 . . . . . . I/O 1 I/O 2 I/O 3 I/O 4 A 0 A 8 A 9 WE CS CC V GND Intel 2114