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馮鑫-晶體硅電池的氧化硅-氮化硅雙層薄膜特性研究-資料下載頁(yè)

2024-10-19 11:47本頁(yè)面
  

【正文】 化 (SiN中的固定正電荷密度大于 SiO2),同時(shí)利用 SiN中的氫鈍化硅片表面,是一種優(yōu)良的鈍化膜 。 EGING PV FOR THE WORLD 常州 億晶光電 科技有限公司 Changzhou EGING Photovoltaic Technology Co.,Ltd. 億晶光電 EGING PV 二、實(shí)驗(yàn)論證 通過(guò)在擴(kuò)散爐中用濕氧在 900度左右高溫下熱生長(zhǎng)了一系列厚度在 20nm 左右的 SiO2膜,在 SiO2膜表面再PECVD沉積 SiN( 65nm) ,各步驟的少子壽命比較如下圖所示: EGING PV FOR THE WORLD 常州 億晶光電 科技有限公司 Changzhou EGING Photovoltaic Technology Co.,Ltd. 億晶光電 EGING PV 從圖中可以看到通過(guò) SiO2/SiN 疊層膜的沉積硅片的少子壽命得到較大幅度的提升 EGING PV FOR THE WORLD 常州 億晶光電 科技有限公司 Changzhou EGING Photovoltaic Technology Co.,Ltd. 億晶光電 EGING PV 謝謝
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